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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション
MBRT12035R GeneSiC Semiconductor MBRT12035R 75.1110
RFQ
 ECAD 1990年 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT12035 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT12035RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 35 v 60a 750 mV @ 60 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT12040 GeneSiC Semiconductor MBRT12040 75.1110
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT12040GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 60a 750 mV @ 60 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT12060 GeneSiC Semiconductor MBRT12060 75.1110
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT12060GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 60a 800 mV @ 60 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT12080 GeneSiC Semiconductor MBRT12080 75.1110
RFQ
 ECAD 5417 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT12080GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 80 v 60a 880 mV @ 60 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT20045 GeneSiC Semiconductor MBRT20045 98.8155
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT20045GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 100a 750 mV @ 100 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT30060R GeneSiC Semiconductor MBRT30060R 107.3070
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT30060 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT30060RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 60 V 150a 800 mV @ 150 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT40020R GeneSiC Semiconductor MBRT40020R 118.4160
RFQ
 ECAD 7892 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT40020 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT40020RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 20 v 200a 750 mv @ 200 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT40030 GeneSiC Semiconductor MBRT40030 118.4160
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT40030GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 200a 750 mv @ 200 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT40030R GeneSiC Semiconductor MBRT40030R 118.4160
RFQ
 ECAD 3425 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT40030 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT40030RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 30 V 200a 750 mv @ 200 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT40040R GeneSiC Semiconductor MBRT40040R 118.4160
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT40040 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT40040RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 40 v 200a 750 mv @ 200 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT40060 GeneSiC Semiconductor MBRT40060 118.4160
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT40060GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 200a 800 mV @ 200 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT40080 GeneSiC Semiconductor MBRT40080 98.7424
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT40080GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 80 v 200a 880 mV @ 200 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT500100R GeneSiC Semiconductor MBRT500100R -
RFQ
 ECAD 5065 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT500100RGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 250a 880 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT50030 GeneSiC Semiconductor MBRT50030 -
RFQ
 ECAD 4648 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50030GN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT50030R GeneSiC Semiconductor MBRT50030R -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50030RGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 30 V 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50040RGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 40 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT50045R GeneSiC Semiconductor MBRT50045R -
RFQ
 ECAD 8302 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50045RGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60030R GeneSiC Semiconductor MBRT60030R 140.2020
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60030 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60030RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 30 V 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60045 GeneSiC Semiconductor MBRT60045 140.2020
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60045GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60045R GeneSiC Semiconductor MBRT60045R 140.2020
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60045 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60045RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MSRT15080A GeneSiC Semiconductor MSRT15080A 38.5632
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT150 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 150a 1.2 V @ 150 a 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060A 48.2040
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT200 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 600 V 200a dc） 1.2 V @ 200 a 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
MSRT250140A GeneSiC Semiconductor MSRT250140A 54.2296
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT250140 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1400 v 250a 1.2 V @ 250 a 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT25060A GeneSiC Semiconductor MSRT25060A 54.2296
RFQ
 ECAD 1769 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT25060 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 600 V 250a 1.2 V @ 250 a 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT25080A GeneSiC Semiconductor MSRT25080A 54.2296
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT25080 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 250a 1.2 V @ 250 a 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA300120AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300120AD 113.5544
RFQ
 ECAD 4573 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA300 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1200 v 300a 1.2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA300160AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300160AD 159.9078
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA300 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1600 v 300a 1.2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA30060A GeneSiC Semiconductor MSRTA30060A 56.2380
RFQ
 ECAD 7674 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA300 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 600 V 300a 1.2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA30080A GeneSiC Semiconductor MSRTA30080A 56.2380
RFQ
 ECAD 1863年 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA300 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 800 V 300a 1.2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA40080A GeneSiC Semiconductor MSRTA40080A 60.2552
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA40080 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 400a 1.2 V @ 400 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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