画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | mur10010ctr | 75.1110 | ![]() | 2570 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR10010 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10010ctrgn | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 100 V | 50a | 1.3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | mur10040ct | 75.1110 | ![]() | 8433 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR10040 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10040ctgn | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 50a | 1.3 V @ 50 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | mur10040ctr | 75.1110 | ![]() | 3250 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR10040 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10040ctrgn | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 400 V | 50a | 1.3 V @ 50 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MUR10060CT | - | ![]() | 9422 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10060ctgn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 50a | 1.7 V @ 50 a | 110 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR20005CTR | - | ![]() | 1360 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR20005CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 50 v | 100a | 1.3 V @ 100 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR2560R | 10.1910 | ![]() | 2236 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | MUR2560 | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR2560RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 25 a | 90 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 25a | - | |||
![]() | MUR30005CT | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30005CTGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 150a | 1.3 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR30005CTR | - | ![]() | 3402 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30005CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 50 v | 150a | 1.3 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR30010CTR | 118.4160 | ![]() | 3859 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR30010 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30010CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 100 V | 150a | 1.3 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MUR30040CT | 118.4160 | ![]() | 2350 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR30040 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30040CTGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 150a | 1.5 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MUR30040CTR | 118.4160 | ![]() | 2621 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR30040 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30040CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 400 V | 150a | 1.5 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MUR30060CT | 118.4160 | ![]() | 9429 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR30060 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30060CTGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 150a | 1.7 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MUR40005CT | - | ![]() | 2519 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR40005CTGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 200a | 1.3 V @ 125 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR5020R | 17.8380 | ![]() | 2942 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | MUR5020 | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur5020rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 50 a | 75 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 50a | - | |||
![]() | MUR7005R | 17.7855 | ![]() | 3629 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | MUR7005 | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR7005RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||
![]() | MUR7010 | 17.5905 | ![]() | 4310 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | Mur7010GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | ||||
![]() | MUR7060 | 17.5905 | ![]() | 5311 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR7060GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | ||||
![]() | MUR7060R | 17.7855 | ![]() | 1102 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | MUR7060 | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur7060rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||
![]() | murf10005 | - | ![]() | 2925 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 標準 | TO-244 | - | 1 (無制限) | murf10005gn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 50a | 1.3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | murf10005r | - | ![]() | 9420 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 標準 | TO-244 | - | 1 (無制限) | murf10005rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 50 v | 50a | 1.3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | murf10040r | - | ![]() | 2115 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 標準 | TO-244AB | - | 1 (無制限) | murf10040rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 400 V | 50a | 1.3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | murf10060r | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 標準 | TO-244AB | - | 1 (無制限) | murf10060rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 600 V | 50a | 1.7 V @ 50 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MURH10010 | 49.5120 | ![]() | 9951 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-67 | 標準 | D-67 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | Murh10010GN | ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 100 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | 100a | - | |||||
![]() | MURH10060 | 49.5120 | ![]() | 7589 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-67 | 標準 | D-67 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MURH10060GN | ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 100 a | 110 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 100a | - | ||||
![]() | MURH10060R | 49.5120 | ![]() | 5768 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-67 | MURH10060 | 標準、逆極性 | D-67 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | murh10060rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 100 a | 110 ns | 25 µA @ 600 V | 100a | - | ||||
![]() | Murt20005 | - | ![]() | 2304 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | murt20005gn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 100a | 1.3 V @ 100 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | Murt20005R | - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | murt20005rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 50 v | 100a | 1.3 V @ 100 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | Murt20040 | 104.4930 | ![]() | 3859 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | murt20040gn | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 100a | 1.35 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MURT20040R | 104.4930 | ![]() | 8659 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | Murt20040 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | murt20040rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 400 V | 100a | 1.35 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | murt40005r | - | ![]() | 3577 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | murt40005rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 50 v | 200a | 1.3 V @ 200 a | 125 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C |
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