SIC
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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
1N3673AR GeneSiC Semiconductor 1N3673AR 6.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N3673AR 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1055 ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 12a -
MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor MUR20010CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR20010 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1033 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N3768R GeneSiC Semiconductor 1N3768R 10.1200
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3768R 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1021 ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1000 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
MUR2510R GeneSiC Semiconductor MUR2510R 10.1910
RFQ
 ECAD 5180 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa MUR2510 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1016 ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 25 a 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
MBRH20045R GeneSiC Semiconductor MBRH20045R 75.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67 MBRH20045 ショットキー、逆極性 D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1061 ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 45 v 700 mV @ 200 a 1 MA @ 45 v -55°C〜150°C 200a -
1N1200A GeneSiC Semiconductor 1N1200A 6.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N1200 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1065 ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 12a -
1N8024-GA GeneSiC Semiconductor 1N8024-GA -
RFQ
 ECAD 8416 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-257-3 1N8024 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-257 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.74 V @ 750 MA 0 ns 10 µA @ 1200 v -55°C〜250°C 750ma 66PF @ 1V、1MHz
1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 1N8030-ga -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-257-3 1N8030 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-257 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 650 V 1.39 V @ 750 MA 0 ns 5 µA @ 650 v -55°C〜250°C 750ma 76pf @ 1V、1MHz
1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-257-3 1N8032 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-257 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 650 V 1.3 V @ 2.5 a 0 ns 5 µA @ 650 v -55°C〜250°C 2.5a 274pf @ 1V、1MHz
1N8035-GA GeneSiC Semiconductor 1n8035-ga -
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 表面マウント TO-276AA 1N8035 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-276 - ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 650 V 1.5 V @ 15 a 0 ns 5 µA @ 650 v -55°C〜250°C 14.6a 1107pf @ 1V、1MHz
GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12-247 5.3730
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 GC2X5 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-1324 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 27a 1.8 V @ 5 a 0 ns 4 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252 2.3475
RFQ
 ECAD 8544 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント to-252-3 GC05MPS12 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-252-2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10,000 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.8 V @ 5 a 0 ns 4 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 27a 359pf @ 1V、1MHz
GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252 3.1200
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント to-252-3 GC08MPS12 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-252-2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10,000 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.8 V @ 8 a 0 ns 7 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 40a 545pf @ 1V、1MHz
GC2X15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12-247 10.5555
RFQ
 ECAD 4584 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 GC2X15 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-1333 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 75a 1.8 V @ 15 a 0 ns 14 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
GC2X20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247 16.5525
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ 新しいデザインではありません 穴を通して TO-247-3 GC2x20 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-1337 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 90a 1.8 V @ 20 a 0 ns 18 µa @ 1200 v -55°C〜175°C
GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227 135.8600
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック GB2x100 sic （炭化シリコン）ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-1341 ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 2独立 1200 v 185a 1.8 V @ 100 a 0 ns 80 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247 -
RFQ
 ECAD 6000 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ 廃止 穴を通して TO-247-2 GB05MPS17 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-1342 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1700 v 1.8 V @ 5 a 0 ns 6 µA @ 1700 v -55°C〜175°C 25a 334pf @ 1V、1MHz
GB25MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB25MPS17-247 -
RFQ
 ECAD 1657 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ 廃止 穴を通して TO-247-2 GB25MPS17 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-1344 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1700 v 1.8 V @ 25 a 0 ns 10 µA @ 1700 v -55°C〜175°C 52a 2350pf @ 1V、1MHz
GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n 46.3900
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック gd2x sic （炭化シリコン）ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-GD2X50MPS12N ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 2独立 1200 v 76a 1.8 V @ 50 a 0 ns 15 µA @ 1200 V -55°C〜175°C
GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06d 9.7900
RFQ
 ECAD 695 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 gd2x sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-GD2X30MPS06D ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 600 V 30A （DC） 0 ns 175°C
GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H 5.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-2 GD05MPS sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-GD05MPS17H ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1700 v 1.8 V @ 5 a 0 ns 20 µA @ 1700 v -55°C〜175°C 15a 361pf @ 1V、1MHz
GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e 3.8000
RFQ
 ECAD 5455 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント to-252-3 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-252-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.8 V @ 10 a 0 ns 5 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 29a 367pf @ 1V、1MHz
GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ カットテープ（CT） sicで中止されました 表面マウント to-252-3 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-252-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 4 a 0 ns 5 µA @ 650 v -55°C〜175°C 11a 186pf @ 1V、1MHz
MBRF500150R GeneSiC Semiconductor MBRF500150R -
RFQ
 ECAD 9365 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 150 v 250a 880 mV @ 250 a 1 MA @ 150 v -55°C〜150°C
KBPC35010T GeneSiC Semiconductor KBPC35010T 2.0176
RFQ
 ECAD 8979 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、KBPC-T KBPC35010 標準 KBPC-T ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 a 5 µA @ 1000 v 35 a 単相 1 kV
FST83100M GeneSiC Semiconductor FST83100M -
RFQ
 ECAD 3835 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3M ショットキー D61-3M ダウンロード 1 （無制限） FST83100MGN ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 80A （DC） 840 mV @ 80 a 1.5 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBR2X100A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A150 50.2485
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X100 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 150 v 100a 880 mV @ 100 a 3 MA @ 150 v -40°C〜150°C
MBR2X050A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A100 43.6545
RFQ
 ECAD 2660 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X050 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 100 V 50a 840 mV @ 50 a 1 MA @ 100 V -40°C〜150°C
GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n 24.2385
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック gd2x sic （炭化シリコン）ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-GD2X30MPS06N ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 2独立 650 V 42a -55°C〜175°C
DB155G GeneSiC Semiconductor DB155G 0.2325
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-EDIP （0.321 "、8.15mm） DB155 標準 DB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） DB155GGN ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1.5 a 5 µA @ 600 v 1.5 a 単相 600 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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