SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f
MSRT25060A GeneSiC Semiconductor MSRT25060A 54.2296
RFQ
ECAD 1769 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT25060 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 600 V 250a 1.2 V @ 250 a 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT25080A GeneSiC Semiconductor MSRT25080A 54.2296
RFQ
ECAD 1580 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT25080 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 250a 1.2 V @ 250 a 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA300120AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300120AD 113.5544
RFQ
ECAD 4573 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA300 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 18 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1200 v 300a 1.2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA300160AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300160AD 159.9078
RFQ
ECAD 3791 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA300 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 18 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1600 v 300a 1.2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA30060A GeneSiC Semiconductor MSRTA30060A 56.2380
RFQ
ECAD 7674 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA300 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 600 V 300a 1.2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA40080A GeneSiC Semiconductor MSRTA40080A 60.2552
RFQ
ECAD 5207 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA40080 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 400a 1.2 V @ 400 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor MSRTA500100A 101.4000
RFQ
ECAD 6615 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA500100 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1000 V 500a 1.2 V @ 500 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA50060A GeneSiC Semiconductor MSRTA50060A 101.4000
RFQ
ECAD 2810 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA50060 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 600 V 500a 1.2 V @ 500 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA50080A GeneSiC Semiconductor MSRTA50080A 101.4000
RFQ
ECAD 4781 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA50080 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 500a 1.2 V @ 500 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA600140A GeneSiC Semiconductor MSRTA600140A 109.2000
RFQ
ECAD 6648 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3-SMDモジュール MSRTA600140 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1400 v 600a 1.2 V @ 600 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct -
RFQ
ECAD 5416 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) mur10005ctgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor MUR10005CTR -
RFQ
ECAD 3413 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) mur10005ctrgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 50 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10010ct 75.1110
RFQ
ECAD 8480 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10010 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) mur10010ctgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10010ctr 75.1110
RFQ
ECAD 2570 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10010 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) mur10010ctrgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct 75.1110
RFQ
ECAD 8433 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10040 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) mur10040ctgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 50a 1.3 V @ 50 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ctr 75.1110
RFQ
ECAD 3250 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10040 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) mur10040ctrgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 400 V 50a 1.3 V @ 50 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor MUR10060CT -
RFQ
ECAD 9422 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) mur10060ctgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 50a 1.7 V @ 50 a 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor MUR20005CTR -
RFQ
ECAD 1360 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) MUR20005CTRGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 50 v 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30005CT GeneSiC Semiconductor MUR30005CT -
RFQ
ECAD 6108 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) MUR30005CTGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 150a 1.3 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30005CTR GeneSiC Semiconductor MUR30005CTR -
RFQ
ECAD 3402 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) MUR30005CTRGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 50 v 150a 1.3 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30010CTR GeneSiC Semiconductor MUR30010CTR 118.4160
RFQ
ECAD 3859 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR30010 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) MUR30010CTRGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 150a 1.3 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30040CT GeneSiC Semiconductor MUR30040CT 118.4160
RFQ
ECAD 2350 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR30040 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) MUR30040CTGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 150a 1.5 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30040CTR GeneSiC Semiconductor MUR30040CTR 118.4160
RFQ
ECAD 2621 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR30040 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) MUR30040CTRGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 400 V 150a 1.5 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR40005CT GeneSiC Semiconductor MUR40005CT -
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) MUR40005CTGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 200a 1.3 V @ 125 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR5020R GeneSiC Semiconductor MUR5020R 17.8380
RFQ
ECAD 2942 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド MUR5020 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) mur5020rgn ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 50 a 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 50a -
MUR7005R GeneSiC Semiconductor MUR7005R 17.7855
RFQ
ECAD 3629 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド MUR7005 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) MUR7005RGN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 70 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MUR7010 GeneSiC Semiconductor MUR7010 17.5905
RFQ
ECAD 4310 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) Mur7010GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 70 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MUR7060 GeneSiC Semiconductor MUR7060 17.5905
RFQ
ECAD 5311 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) MUR7060GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.7 V @ 70 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MUR7060R GeneSiC Semiconductor MUR7060R 17.7855
RFQ
ECAD 1102 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド MUR7060 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) mur7060rgn ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.7 V @ 70 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MURF10005 GeneSiC Semiconductor murf10005 -
RFQ
ECAD 2925 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244 - 1 (無制限) murf10005gn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫