画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSRT25060A | 54.2296 | ![]() | 1769 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRT25060 | 標準 | 3つの塔 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 250a | 1.2 V @ 250 a | 15 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MSRT25080A | 54.2296 | ![]() | 1580 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRT25080 | 標準 | 3つの塔 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 800 V | 250a | 1.2 V @ 250 a | 15 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MSRTA300120AD | 113.5544 | ![]() | 4573 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRTA300 | 標準 | 3つの塔 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 300a | 1.2 V @ 300 a | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MSRTA300160AD | 159.9078 | ![]() | 3791 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRTA300 | 標準 | 3つの塔 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1600 v | 300a | 1.2 V @ 300 a | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MSRTA30060A | 56.2380 | ![]() | 7674 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRTA300 | 標準 | 3つの塔 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 600 V | 300a | 1.2 V @ 300 a | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MSRTA40080A | 60.2552 | ![]() | 5207 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRTA40080 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 800 V | 400a | 1.2 V @ 400 a | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MSRTA500100A | 101.4000 | ![]() | 6615 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRTA500100 | 標準 | 3つの塔 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 1000 V | 500a | 1.2 V @ 500 a | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MSRTA50060A | 101.4000 | ![]() | 2810 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRTA50060 | 標準 | 3つの塔 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 500a | 1.2 V @ 500 a | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MSRTA50080A | 101.4000 | ![]() | 4781 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRTA50080 | 標準 | 3つの塔 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 800 V | 500a | 1.2 V @ 500 a | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MSRTA600140A | 109.2000 | ![]() | 6648 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3-SMDモジュール | MSRTA600140 | 標準 | 3つの塔 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 1400 v | 600a | 1.2 V @ 600 a | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | mur10005ct | - | ![]() | 5416 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10005ctgn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 50a | 1.3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR10005CTR | - | ![]() | 3413 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10005ctrgn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 50 v | 50a | 1.3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | mur10010ct | 75.1110 | ![]() | 8480 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR10010 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10010ctgn | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 50a | 1.3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | mur10010ctr | 75.1110 | ![]() | 2570 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR10010 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10010ctrgn | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 100 V | 50a | 1.3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | mur10040ct | 75.1110 | ![]() | 8433 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR10040 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10040ctgn | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 50a | 1.3 V @ 50 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | mur10040ctr | 75.1110 | ![]() | 3250 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR10040 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10040ctrgn | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 400 V | 50a | 1.3 V @ 50 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MUR10060CT | - | ![]() | 9422 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10060ctgn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 50a | 1.7 V @ 50 a | 110 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR20005CTR | - | ![]() | 1360 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR20005CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 50 v | 100a | 1.3 V @ 100 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR30005CT | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30005CTGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 150a | 1.3 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR30005CTR | - | ![]() | 3402 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30005CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 50 v | 150a | 1.3 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR30010CTR | 118.4160 | ![]() | 3859 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR30010 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30010CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 100 V | 150a | 1.3 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MUR30040CT | 118.4160 | ![]() | 2350 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR30040 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30040CTGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 150a | 1.5 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MUR30040CTR | 118.4160 | ![]() | 2621 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR30040 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30040CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 400 V | 150a | 1.5 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MUR40005CT | - | ![]() | 2519 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR40005CTGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 200a | 1.3 V @ 125 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR5020R | 17.8380 | ![]() | 2942 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | MUR5020 | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur5020rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 50 a | 75 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 50a | - | |||
![]() | MUR7005R | 17.7855 | ![]() | 3629 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | MUR7005 | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR7005RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||
![]() | MUR7010 | 17.5905 | ![]() | 4310 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | Mur7010GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | ||||
![]() | MUR7060 | 17.5905 | ![]() | 5311 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR7060GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | ||||
![]() | MUR7060R | 17.7855 | ![]() | 1102 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | MUR7060 | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur7060rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||
![]() | murf10005 | - | ![]() | 2925 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 標準 | TO-244 | - | 1 (無制限) | murf10005gn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 50a | 1.3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C |
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