画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N1204A | 4.2345 | ![]() | 3708 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N1204 | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1026 | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 12a | - | |||||||
1N1204AR | 4.2345 | ![]() | 8105 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N1204AR | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1064 | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 12a | - | ||||||||
FR40G02 | 16.1200 | ![]() | 406 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1063 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1 V @ 40 a | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 40a | - | ||||||||
![]() | MBR12040CT | 68.8455 | ![]() | 6776 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MBR12040 | ショットキー | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1024 | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 120a | 650 mV @ 120 a | 3 ma @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | 1N3892 | 9.3000 | ![]() | 652 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N3892 | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1035 | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.4 V @ 12 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 12a | - | ||||||
![]() | MBRT30040R | 111.0800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MBRT30040 | ショットキー、逆極性 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1074 | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 40 v | 150a | 750 mV @ 150 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MBRH12040R | 65.2300 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-67ハーフパック | MBRH12040 | ショットキー、逆極性 | D-67 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1067 | ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 高速回復= <500ns | 40 v | 700 mV @ 120 a | 1 MA @ 40 V | -55°C〜150°C | 120a | - | |||||||
![]() | 1N1188R | 10.1200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1188R | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1094 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 35 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 35a | - | |||||||
![]() | FR70GR02 | 21.3300 | ![]() | 124 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.4 V @ 70 a | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 70a | - | ||||||||
![]() | MBRT20040 | 102.9600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1018 | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 100a | 750 mV @ 100 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | GB02SLT12-220 | - | ![]() | 3082 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | GB02SLT12 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 2 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 2a | 138pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | S85BR | 15.0400 | ![]() | 198 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | S85B | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | S85BRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 85 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 85a | - | |||||||
![]() | S85GR | 11.8980 | ![]() | 7575 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | S85G | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | S85GRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 85 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 85a | - | |||||||
![]() | S85yr | 15.4200 | ![]() | 129 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | S85Y | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.1 V @ 85 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 85a | - | ||||||||
W01M | - | ![]() | 7665 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | -65°C〜125°C | 穴を通して | 4 円、 wom | 標準 | WOM | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1 a | 10 µA @ 100 V | 1.5 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||
![]() | 150k40a | 35.5695 | ![]() | 6651 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 150k40 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 150k40agn | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.33 V @ 150 a | 35 mA @ 400 v | -40°C〜200°C | 150a | - | |||||||
150kr40a | 35.5695 | ![]() | 5407 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 標準、逆極性 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.33 V @ 150 a | 35 mA @ 400 v | -40°C〜200°C | 150a | - | ||||||||||
![]() | 1N1183 | 7.4730 | ![]() | 9741 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1183 | 標準 | do-203ab | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N1183GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.2 V @ 35 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 35a | - | |||||||
![]() | 1N1183AR | 6.3770 | ![]() | 4662 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1183AR | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N1183ARGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 40 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 40a | - | |||||||
![]() | 1N1187 | 7.4730 | ![]() | 5062 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1187 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N1187GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.2 V @ 35 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 35a | - | |||||||
![]() | 1N1188A | 6.3770 | ![]() | 6241 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1188 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N118888AGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 40 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 40a | - | |||||||
![]() | 1N1189 | 7.4730 | ![]() | 1109 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1189 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N1189GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.2 V @ 35 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 35a | - | |||||||
![]() | 1N1202AR | 4.3635 | ![]() | 1430 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1202AR | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N1202ARGN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 12a | - | |||||||
![]() | 1N2128AR | 8.9025 | ![]() | 1559 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N2128AR | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N2128ARGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 60 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 60a | - | |||||||
1N2131AR | 11.7300 | ![]() | 5031 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N2131AR | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 60 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 60a | - | |||||||||
![]() | 1N2133AR | 8.9025 | ![]() | 9934 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N2133AR | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N2133ARGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.1 V @ 60 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 60a | - | |||||||
![]() | 1N3208R | 7.0650 | ![]() | 9958 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3208R | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3208RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.5 V @ 15 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||
1N3210 | 9.6500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3210 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.5 V @ 15 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||
![]() | 1N3211 | 7.0650 | ![]() | 1199 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3211 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3211GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.5 V @ 15 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||
![]() | 1N3211R | 7.0650 | ![]() | 3529 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3211R | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3211RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.5 V @ 15 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - |
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