SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大)
1N1204A GeneSiC Semiconductor 1N1204A 4.2345
RFQ
ECAD 3708 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N1204 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1026 ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 12a -
1N1204AR GeneSiC Semiconductor 1N1204AR 4.2345
RFQ
ECAD 8105 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N1204AR 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1064 ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 12a -
FR40G02 GeneSiC Semiconductor FR40G02 16.1200
RFQ
ECAD 406 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1063 ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1 V @ 40 a 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
MBR12040CT GeneSiC Semiconductor MBR12040CT 68.8455
RFQ
ECAD 6776 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR12040 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1024 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 120a 650 mV @ 120 a 3 ma @ 20 v -55°C〜150°C
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
RFQ
ECAD 652 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N3892 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1035 ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 400 V 1.4 V @ 12 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
MBRT30040R GeneSiC Semiconductor MBRT30040R 111.0800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT30040 ショットキー、逆極性 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1074 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 40 v 150a 750 mV @ 150 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRH12040R GeneSiC Semiconductor MBRH12040R 65.2300
RFQ
ECAD 45 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67ハーフパック MBRH12040 ショットキー、逆極性 D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1067 ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 40 v 700 mV @ 120 a 1 MA @ 40 V -55°C〜150°C 120a -
1N1188R GeneSiC Semiconductor 1N1188R 10.1200
RFQ
ECAD 74 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1188R 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1094 ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 400 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
FR70GR02 GeneSiC Semiconductor FR70GR02 21.3300
RFQ
ECAD 124 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1.4 V @ 70 a 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MBRT20040 GeneSiC Semiconductor MBRT20040 102.9600
RFQ
ECAD 12 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1018 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 100a 750 mV @ 100 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-220 -
RFQ
ECAD 3082 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 GB02SLT12 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220-2 - 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.8 V @ 2 a 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C〜175°C 2a 138pf @ 1V、1MHz
S85BR GeneSiC Semiconductor S85BR 15.0400
RFQ
ECAD 198 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S85B 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) S85BRGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 85 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
S85GR GeneSiC Semiconductor S85GR 11.8980
RFQ
ECAD 7575 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S85G 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) S85GRGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 85 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
S85YR GeneSiC Semiconductor S85yr 15.4200
RFQ
ECAD 129 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S85Y 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1600 v 1.1 V @ 85 a 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 85a -
W01M GeneSiC Semiconductor W01M -
RFQ
ECAD 7665 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -65°C〜125°C 穴を通して 4 円、 wom 標準 WOM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 a 10 µA @ 100 V 1.5 a 単相 100 V
150K40A GeneSiC Semiconductor 150k40a 35.5695
RFQ
ECAD 6651 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 150k40 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 150k40agn ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 400 V 1.33 V @ 150 a 35 mA @ 400 v -40°C〜200°C 150a -
150KR40A GeneSiC Semiconductor 150kr40a 35.5695
RFQ
ECAD 5407 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 標準、逆極性 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 400 V 1.33 V @ 150 a 35 mA @ 400 v -40°C〜200°C 150a -
1N1183 GeneSiC Semiconductor 1N1183 7.4730
RFQ
ECAD 9741 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1183 標準 do-203ab ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N1183GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 50 v 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
1N1183AR GeneSiC Semiconductor 1N1183AR 6.3770
RFQ
ECAD 4662 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1183AR 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N1183ARGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 50 v 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 40a -
1N1187 GeneSiC Semiconductor 1N1187 7.4730
RFQ
ECAD 5062 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1187 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N1187GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 300 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
1N1188A GeneSiC Semiconductor 1N1188A 6.3770
RFQ
ECAD 6241 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1188 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N118888AGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 40a -
1N1189 GeneSiC Semiconductor 1N1189 7.4730
RFQ
ECAD 1109 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1189 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N1189GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 600 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
1N1202AR GeneSiC Semiconductor 1N1202AR 4.3635
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1202AR 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N1202ARGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 12a -
1N2128AR GeneSiC Semiconductor 1N2128AR 8.9025
RFQ
ECAD 1559 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N2128AR 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N2128ARGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 50 v 1.1 V @ 60 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 60a -
1N2131AR GeneSiC Semiconductor 1N2131AR 11.7300
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N2131AR 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 60 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 60a -
1N2133AR GeneSiC Semiconductor 1N2133AR 8.9025
RFQ
ECAD 9934 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N2133AR 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N2133ARGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 300 V 1.1 V @ 60 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 60a -
1N3208R GeneSiC Semiconductor 1N3208R 7.0650
RFQ
ECAD 9958 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3208R 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3208RGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 50 v 1.5 V @ 15 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3210 GeneSiC Semiconductor 1N3210 9.6500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3210 標準 do-203ab(do-5) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 200 v 1.5 V @ 15 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3211 GeneSiC Semiconductor 1N3211 7.0650
RFQ
ECAD 1199 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3211 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3211GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 300 V 1.5 V @ 15 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3211R GeneSiC Semiconductor 1N3211R 7.0650
RFQ
ECAD 3529 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3211R 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3211RGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 300 V 1.5 V @ 15 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫