SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
HER303BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. her303bulk 0.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-her303bulk 8541.10.0000 500 高速回復= <500ns 200 v 1.1 V @ 3 a 50 ns 10 µA @ 200 v -65°C〜150°C 3a 50pf @ 4V、1MHz
BR1004 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1004 0.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -40°C〜150°C (TJ 穴を通して 4 平方、BR-10 標準 BR-10 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-BR1004 8541.10.0000 200 1.1 V @ 5 a 10 µA @ 400 V 10 a 単相 400 V
1N5241BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5241BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% 175°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5241BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 mA 2 µA @ 8.4 v 11 v 22オーム
1N4743BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743BULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±10% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4743Bulk 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 9.9 v 13 v 10オーム
KBP204 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP204 0.8500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -50°C〜125°C 穴を通して 4-sip、kbp 標準 KBP ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 2439-kbp204 8541.10.0000 100 1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V 2 a 単相 400 V
FEPF16DT EIC SEMICONDUCTOR INC. FEPF16DT 1.6600
RFQ
ECAD 530 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ 標準 ITO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-FEPF16DT 8541.10.0000 50 標準回復> 500ns 200 v 950 mv @ 8 a 35 ns 10 µA @ 200 v -55°C〜150°C 16a 85pf @ 4V、1MHz
SF56-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SF56-Bulk 0.6700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 2439-SF56-Bulk 8541.10.0000 500 高速回復= <500ns 400 V 1.7 V @ 5 a 35 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 5a 50pf @ 4V、1MHz
BR602 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR602 0.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -40°C〜150°C (TJ 穴を通して 4 平方、BR-6 標準 BR-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-BR602 8541.10.0000 200 1 V @ 3 a 10 µA @ 200 v 6 a 単相 200 v
1N5394BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5394BULK 0.1800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 標準 DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5394Bulk 8541.10.0000 500 標準回復> 500ns 300 V 1.1 V @ 1.5 a 5 µA @ 300 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V、1MHz
1N5253BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5253BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 60 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% 175°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5253BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 mA 100 na @ 19 v 25 v 35オーム
BR1508 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1508 2.5600
RFQ
ECAD 700 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント 4 平方、BR-50 標準 BR-50 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-BR1508 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 a 10 µA @ 800 V 15 a 単相 800 V
1N4739ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4739Abulk 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4739Abulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 7 V 9.1 v 5オーム
1N4746BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4746BULK 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±10% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4746Bulk 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 13.7 v 18 v 20オーム
SR1R EIC SEMICONDUCTOR INC. SR1R 0.2500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 SMA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 2439-SR1RTR 8541.10.0000 5,000 高速回復= <500ns 2000 v 3 V @ 500 Ma 200 ns 5 µA @ 2000 v -40°C〜150°C 500mA 5PF @ 4V、1MHz
RBV2510 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2510 2.3100
RFQ
ECAD 600 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -40°C〜150°C (TJ 穴を通して 4-sip、RBV-25 標準 RBV-25 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 2439-RBV2510 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 a 10 µA @ 1000 v 25 a 単相 1 kV
1N5255BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5255BULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% 175°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5255BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 21 V 28 v 44オーム
1N5244BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5244BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% 175°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5244BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 10 V 14 v 15オーム
1N5396T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5396T/r 0.0400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 標準 DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5396T/RTR 8541.10.0000 5,000 標準回復> 500ns 500 V 1.1 V @ 1.5 a 5 µA @ 500 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V、1MHz
1N5246BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5246BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% 175°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5246BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 mA 100 na @ 12 v 16 v 17オーム
FKBL406MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. fkbl406mbulk 1.8500
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -50°C〜150°C (TJ 穴を通して 4-sip 、kbl 標準 KBL ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-FKBL406MBULK 8541.10.0000 50 1.4 V @ 4 a 10 µA @ 600 V 4 a 単相 600 V
SZ6515 EIC SEMICONDUCTOR INC. SZ6515 0.1052
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB 5 W do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-SZ6515TR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 a 1 µA @ 11.5 v 15 V 2.5オーム
1N5357BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5357BBULK 0.3800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 5 W DO-15 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5357BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 a 500 NA @ 15.2 v 20 v 3オーム
1N755AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N755AT/r 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% 175°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N755AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 7.5 v 6オーム
1N5230BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5230BULK 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% 175°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5230BULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 4.7 v 19オーム
1N5361AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5361AT/r 0.1500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 5 W DO-15 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5361AT/RTR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 a 500 NA @ 19.4 v 27 v 5オーム
1N5401BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5401BULK 0.1800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5401Bulk 8541.10.0000 500 標準回復> 500ns 100 V 950 mv @ 3 a 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a 28pf @ 4V、1MHz
1N4933BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4933BULK 0.1800
RFQ
ECAD 98 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 標準 DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4933Bulk 8541.10.0000 1,000 高速回復= <500ns 50 v 1.2 V @ 1 a 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
BR2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2504 2.9600
RFQ
ECAD 650 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント 4 平方、BR-50 標準 BR-50 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-BR2504 8541.10.0000 50 1.1 V @ 12.5 a 10 µA @ 400 V 25 a 単相 400 V
1N4750A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4750A 0.1800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4750A 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 20.6 v 27 v 35オーム
1N5225BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5225BULK 0.1800
RFQ
ECAD 500 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% 175°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5225BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 mA 50 µA @ 1 V 3 v 29オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫