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ダイオード（453）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
ba158bulk	0.2100	RFQ	13	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BA158BULK	8541.10.0000	500	高速回復= <500ns	600 V	1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜150°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
byd13gbulk	0.2100	RFQ	5	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	雪崩		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-byd13gbulk	8541.10.0000	500	標準回復> 500ns	400 V	1.05 V @ 1 a		1 µA @ 400 V	175°C	1.4a	-
ba159bulk	0.2100	RFQ	17	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BA159BULK	8541.10.0000	500	高速回復= <500ns	1000 V	1.3 V @ 1 a	250 ns	5 µA @ 1000 v	-65°C〜150°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
BR3508	2.8900	RFQ	1	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	4 平方、BR-50	標準		BR-50	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BR3508	8541.10.0000	50			1.1 V @ 17.5 a		10 µA @ 800 V		35 a		単相	800 V
FR307T/r	0.1600	RFQ	7	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-FR307T/RTR	8541.10.0000	1,250	高速回復= <500ns	1000 V	1.3 V @ 3 a	500 ns	10 µA @ 1000 v	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
BR5010	4.9000	RFQ	600	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	4 平方、BR-50	標準		BR-50	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BR5010	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 a		10 µA @ 1000 v		50 a		単相	1 kV
1N5931AT/r	0.1000	RFQ	5	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5931AT/RTR	8541.10.0000	5,000					1 µA @ 13.7 v						18 v	12オーム
HER306T/r	0.2000	RFQ	5	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-HER306T/RTR	8541.10.0000	1,250	高速回復= <500ns	600 V	1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V、1MHz
FR303T/r	0.1300	RFQ	5	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-FR303T/RTR	8541.10.0000	1,250	高速回復= <500ns	200 v	1.3 V @ 3 a	150 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
Gn2mt/r	0.1100	RFQ	3	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	標準		sma（do-214ac）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-GN2MT/RTR	8541.10.0000	3,000	標準回復> 500ns	1000 V	1 V @ 2 a		5 µA @ 1000 v	-65°C〜150°C	2a	75pf @ 4V、1MHz
FR106T/r	0.0400	RFQ	35	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-FR106T/RTR	8541.10.0000	5,000	高速回復= <500ns	800 V	1.3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V、1MHz
ESJA04-03A	0.6500	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	軸	標準		M1a	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-ESJA04-03A	8541.10.0000	300	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	3000 V	12 V @ 10 mA	80 ns	2 µA @ 3000 V	120°C （最大）	1ma	-
1N752Abulk	0.2100	RFQ	3	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N752Abulk	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						5.6 v	11オーム
HER301BULK	0.2400	RFQ	5	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-her301bulk	8541.10.0000	500	高速回復= <500ns	50 v	1.1 V @ 3 a	50 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V、1MHz
1N748AT/r	0.0300	RFQ	10	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N748AT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						3.9 v	23オーム
HER103BULK	0.2100	RFQ	1	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-her103bulk	8541.10.0000	500	高速回復= <500ns	200 v	1.1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V、1MHz
1N5936BT/r	0.0600	RFQ	10	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5936BT/RTR	8541.10.0000	5,000					1 µA @ 22.8 v						30 V	26オーム
BR802	0.9100	RFQ	1	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4 平方、BR-10	標準		BR-10	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BR802	8541.10.0000	200			1 V @ 4 a		10 µA @ 200 v		8 a		単相	200 v
1n753abulk	0.2100	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N753Abulk	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V						6.2 v	7オーム
byd13kbulk	0.2100	RFQ	2	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	雪崩		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-byd13kbulk	8541.10.0000	500	標準回復> 500ns	800 V	1.05 V @ 1 a		1 µA @ 800 V	175°C	1.4a	-
her306bulk	0.2800	RFQ	2	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-her306bulk	8541.10.0000	500	高速回復= <500ns	600 V	1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V、1MHz
byd13jbulk	0.2100	RFQ	5	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	雪崩		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-byd13jbulk	8541.10.0000	500	標準回復> 500ns	600 V	1.05 V @ 1 a		1 µA @ 600 V	175°C	1.4a	-
RBV1004	1.3800	RFQ	2	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV1004	8541.10.0000	100			1 V @ 5 a		10 µA @ 400 V		10 a		単相	400 V
RBV5010	3.9300	RFQ	260	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV5010	8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 a		10 µA @ 1000 v		50 a		単相	1 kV
RBV1506D	1.6500	RFQ	50	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV1506D	8541.10.0000	50			1.1 V @ 15 a		10 µA @ 600 V		15 a		単相	600 V
RBV1001	1.2400	RFQ	400	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV1001	8541.10.0000	100			1 V @ 5 a		10 µA @ 100 V		10 a		単相	100 V
RBV2502d	1.7400	RFQ	100	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV2502D	8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 a		10 µA @ 200 v		25 a		単相	200 v
RBV2504	1.7000	RFQ	1	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV2504	8541.10.0000	100			1.1 V @ 12.5 a		10 µA @ 400 V		25 a		単相	400 V
RBV2508	1.7400	RFQ	700	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV2508	8541.10.0000	100			1.1 V @ 12.5 a		10 µA @ 800 V		25 a		単相	800 V
RBV606	1.1000	RFQ	900	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV606	8541.10.0000	100			1 V @ 3 a		10 µA @ 600 V		6 a		単相	600 V

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（453）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²