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ダイオード（453）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
RBV2502d	1.7400	RFQ	100	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV2502D	8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 a		10 µA @ 200 v		25 a		単相	200 v
RBV2504	1.7000	RFQ	1	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV2504	8541.10.0000	100			1.1 V @ 12.5 a		10 µA @ 400 V		25 a		単相	400 V
RBV2508	1.7400	RFQ	700	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV2508	8541.10.0000	100			1.1 V @ 12.5 a		10 µA @ 800 V		25 a		単相	800 V
RBV606	1.1000	RFQ	900	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV606	8541.10.0000	100			1 V @ 3 a		10 µA @ 600 V		6 a		単相	600 V
1N5353BBULK	0.3900	RFQ	5	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸		5 W	DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5353BBULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 a		1 µA @ 12.2 v						16 v	2.5オーム
FR205T/r	0.0800	RFQ	9	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	標準		DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-FR205T/RTR	8541.10.0000	5,000	高速回復= <500ns	600 V	1.3 V @ 2 a	250 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	2a	15pf @ 4V、1MHz
1N4755AT/r	0.0600	RFQ	15	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N4755AT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 32.7 v						43 v	70オーム
1N5250BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5250BULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 15 V						20 v	25オーム
RBV804	1.2800	RFQ	1	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV804	8541.10.0000	100			1 V @ 4 a		10 µA @ 400 V		8 a		単相	400 V
MR854T/R	0.1100	RFQ	1	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-MR854T/RTR	8541.10.0000	1,250	高速回復= <500ns	400 V	1.25 V @ 3 a	150 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	28pf @ 4V、1MHz
1N5245BT/r	0.0400	RFQ	20	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5245BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 mA		100 na @ 11 v						15 V	16オーム
SN1K	0.0382	RFQ	45	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	標準		sma（do-214ac）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-SN1KTR	8541.10.0000	5,000	標準回復> 500ns	800 V	1 V @ 1 a	2 µs	2 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	30pf @ 4V、1MHz
1N4743T/r	0.0500	RFQ	10	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N4743T/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 9.9 v						13 v	10オーム
SB390-Bulk	0.4000	RFQ	2	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-SB390-bulk	8541.10.0000	500	高速回復= <500ns	90 v	790 mV @ 3 a		500 µA @ 500 µV	-65°C〜150°C	3a	-
1N5391BULK	0.1800	RFQ	19	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5391BULK	8541.10.0000	500	標準回復> 500ns	50 v	1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
1N4742AT/r	0.0510	RFQ	15	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N4742at/rtr	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 9.1 v						12 v	9オーム
BR600	0.7300	RFQ	2	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4 平方、BR-6	標準		BR-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BR600	8541.10.0000	200			1 V @ 3 a		10 µA @ 50 V		6 a		単相	50 v
byd13mbulk	0.2100	RFQ	5	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	雪崩		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-byd13mbulk	8541.10.0000	500	標準回復> 500ns	1000 V	1.05 V @ 1 a		1 µA @ 1000 V	175°C	1.4a	-
BR5006	4.0000	RFQ	300	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	4 平方、BR-50	標準		BR-50	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BR5006	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 a		10 µA @ 600 V		50 a		単相	600 V
KBP206	0.8500	RFQ	19	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-50°C〜125°C	穴を通して	4-sip、kbp	標準		KBP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-kbp206	8541.10.0000	100			1 V @ 1 a		10 µA @ 600 V		2 a		単相	600 V
BR801	1.3500	RFQ	1	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4 平方、BR-10	標準		BR-10	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BR801	8541.10.0000	200			1 V @ 4 a		10 µA @ 100 V		8 a		単相	100 V
1N4749A	0.1800	RFQ	15	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N4749A	8541.10.0000	1,000			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 18.2 v						24 v	25オーム
1N4005T/r	0.0300	RFQ	75	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	標準		DO-41	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-1N4005T/RTR		5,000	標準回復> 500ns	600 V	1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
1N4756AT/r	0.0600	RFQ	30	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N4756AT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 35.8 v						47 v	80オーム
Z1110-T/R	0.1800	RFQ	20	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-Z1110-T/RTR	8541.10.0000	10,000			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 83.6 v						110 v	450オーム
BR2504W	2.5800	RFQ	1	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4 平方、BR-50W	標準		BR-50W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BR2504W	8541.10.0000	50			1.1 V @ 12.5 a		10 µA @ 400 V		25 a		単相	400 V
1N4741Abulk	0.1800	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N4741Abulk	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 8.4 v						11 v	8オーム
1N756ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N756Abulk	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V						8.2 v	8オーム
1N5243BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5243BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v						13 v	13オーム
her503bulk	0.3100	RFQ	3	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-her503bulk	8541.10.0000	500	高速回復= <500ns	200 v	1.1 V @ 5 a	50 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜150°C	5a	50pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（453）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²