SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
BZX884-C9V1,315 NXP USA Inc. BZX884-C9V1,315 0.0300
RFQ
ECAD 49 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX884 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
NZX6V8C,133 NXP USA Inc. NZX6V8C 、133 0.0200
RFQ
ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX6 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
PZU15B1A,115 NXP USA Inc. PZU15B1A 、115 0.0300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 320 MW SOD-323 ダウンロード ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 100 MA 50 na @ 11 v 15 V 15オーム
NZX9V1A,133 NXP USA Inc. nzx9v1a 、133 0.0200
RFQ
ECAD 135 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX9 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
PMEG6020EPA115 NXP USA Inc. PMEG6020EPA115 -
RFQ
ECAD 5188 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント 3-powerudfn PMEG6020 ショットキー 3-HUSON (2x2) ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 575 mV @ 2 a 78 ns 250 µA @ 60 V 150°C (最大) 2a 250pf @ 1V、1MHz
PZU5.6B3A115 NXP USA Inc. PZU5.6B3A115 -
RFQ
ECAD 7245 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
BZX84-B43,215 NXP USA Inc. BZX84-B43,215 0.0200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±2% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 30.1 v 43 v 150オーム
BZX84-B4V3,215 NXP USA Inc. BZX84-B4V3,215 -
RFQ
ECAD 7220 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX84 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX585-C47,115 NXP USA Inc. BZX585-C47,115 -
RFQ
ECAD 7188 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX585 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX79-B10,113 NXP USA Inc. BZX79-B10,113 -
RFQ
ECAD 6791 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX79 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BYV32E-100,127 NXP USA Inc. BYV32E-100,127 0.5400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ byv32 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000
PZU13B3A,115 NXP USA Inc. PZU13B3A 、115 0.0300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 320 MW SOD-323 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,010 1.1 V @ 100 MA 100 Na @ 10 V 13 v 10オーム
PZU18B2A,115 NXP USA Inc. PZU18B2A 、115 0.0300
RFQ
ECAD 33 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU18 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX79-B30,133 NXP USA Inc. BZX79-B30,133 0.0200
RFQ
ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 21 V 30 V 80オーム
BZB84-B75,215 NXP USA Inc. BZB84-B75,215 0.0300
RFQ
ECAD 77 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% - 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,823 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 52.5 v 75 v 255オーム
BAV170QA147 NXP USA Inc. bav170qa147 0.0300
RFQ
ECAD 164 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0070 1
1PS70SB86,115 NXP USA Inc. 1PS70SB86,115 0.1000
RFQ
ECAD 234 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 1ps70 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
BZX84-C4V7,215 NXP USA Inc. BZX84-C4V7,215 0.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 2 V 4.7 v 80オーム
BZX79-B5V6,143 NXP USA Inc. BZX79-B5V6,143 0.0200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 v 40オーム
BZX79-B6V8,113 NXP USA Inc. BZX79-B6V8,113 0.0200
RFQ
ECAD 130 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 15オーム
BZV55-C13,115 NXP USA Inc. BZV55-C13,115 -
RFQ
ECAD 7686 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV55 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500
BZB84-C22,215 NXP USA Inc. BZB84-C22,215 -
RFQ
ECAD 3508 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5% - 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 15.4 v 22 v 55オーム
BZB84-C3V9215 NXP USA Inc. BZB84-C3V9215 0.0200
RFQ
ECAD 39 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
BZX84J-C22,115 NXP USA Inc. BZX84J-C22,115 0.0300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 550 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,823 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 15.4 v 22 v 25オーム
BZX84-B3V3,215 NXP USA Inc. BZX84-B3V3,215 -
RFQ
ECAD 3419 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX84 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX585-C22,115 NXP USA Inc. BZX585-C22,115 0.0300
RFQ
ECAD 329 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX585 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX585-C68,115 NXP USA Inc. BZX585-C68,115 -
RFQ
ECAD 6760 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX585 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX884-C15,315 NXP USA Inc. BZX884-C15,315 -
RFQ
ECAD 2528 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX884 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BZB84-B8V2,215 NXP USA Inc. BZB84-B8V2,215 -
RFQ
ECAD 6976 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZB84 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BAV70W,115 NXP USA Inc. bav70w、115 0.0200
RFQ
ECAD 5607 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ bav70 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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