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ダイオード（ 1956年）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BAS40-05V115 | - |  | 3001 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | byc58x-600,127 | 0.6300 | | 910 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | byc58 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84-C11,235 | 0.0200 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | |||||||||||||
 | BZX84-C3V9,215 | 0.0200 | | 183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84-C33,215 | 1.0000 | | 5847 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム | ||||||||||||||
| BZX84-B39,215 | 0.0200 | | 603 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
 | byc10x-600,127 | - | | 3283 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 350 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 10 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C （最大） | 10a | - | |||||||||||
 | BZX585-C7V5135 | - | | 7286 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| byc5x-600,127 | - | | 2191 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C （最大） | 5a | - | |||||||||||
 | BZT52H-C43,115 | 0.0200 | | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZV49-C10,115 | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV49 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
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 | BAT54AW 、115 | 0.0200 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAT54 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX884-B8V2,315 | - | | 2498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX884 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
| BZV55-B51,115 | - | | 2890 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84-C33/DG/B3215 | 0.0700 | | 8047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 3,800 | |||||||||||||||||||||||
 | PMEG6002TV 、115 | - | | 6226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | PMEG6002 | ショットキー | SOT-666 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 2独立 | 60 V | 200MA （DC） | 600 mV @ 200 mA | 100 µA @ 60 V | 150°C （最大） | |||||||||||
| NZX33A 、133 | 0.0200 | | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX3 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
| BZX384-B2V7,115 | 0.0200 | | 5773 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX384 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C36,115 | - | | 6221 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
| BZT52H-C2V7,115 | 0.0200 | | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
| BZX585-B5V1,135 | 1.0000 | | 4600 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||
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| BZX84-B16,215 | 0.0200 | | 78 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
| BZX79-C4V3,133 | 0.0200 | | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
| PZU8.2B1,115 | - | | 9675 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU8.2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
| BZB784-C9V1,115 | 0.0300 | | 11 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZB784 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
| BZX79-C56133 | 1.0000 | | 9093 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| BZV55-C2V7,115 | - | | 9353 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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