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ダイオード（ 1956年）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
BZB784-C3V0115 NXP USA Inc. BZB784-C3V0115 1.0000
RFQ
 ECAD 7351 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
BYV42G-200,127 NXP USA Inc. BYV42G-200,127 -
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 穴を通して To-262-3 Long Leads byv42 標準 i2pak（to-262） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 15a 850 mV @ 15 a 28 ns 100 µA @ 200 V 150°C （最大）
PZU91B1115 NXP USA Inc. PZU91B1115 0.0300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 12,000
BZX84-B27/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-B27/DG/B3215 0.0700
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 NXP USA Inc. BZX84 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 400 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 50 V 27 v 80オーム
BAS116L315 NXP USA Inc. BAS116L315 -
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0070 1
BZX585-C3V0,115 NXP USA Inc. BZX585-C3V0,115 -
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX585 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX79-C6V2,113 NXP USA Inc. BZX79-C6V2,113 0.0200
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX79 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BZX585-C7V5,115 NXP USA Inc. BZX585-C7V5,115 -
RFQ
 ECAD 1419 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX585 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX84-C11,215 NXP USA Inc. BZX84-C11,215 0.0200
RFQ
 ECAD 679 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX84 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZV49-C6V8,115 NXP USA Inc. BZV49-C6V8,115 -
RFQ
 ECAD 4390 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV49 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000
NZX6V2B,133 NXP USA Inc. nzx6v2b、133 0.0200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX6 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
PZU18B1A,115 NXP USA Inc. PZU18B1A 、115 -
RFQ
 ECAD 3852 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 320 MW SOD-323 ダウンロード ear99 8541.10.0050 8,353 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 13 V 18 v 20オーム
PZU24B3,115 NXP USA Inc. PZU24B3,115 0.0400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU24 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PDZ9.1B145 NXP USA Inc. PDZ9.1B145 0.0200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
PZU22B2A,115 NXP USA Inc. PZU22B2A 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 320 MW SOD-323 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 17 V 22 v 25オーム
PZU5.1BA,115 NXP USA Inc. PZU5.1BA 115 -
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU5.1 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PMEG2020EPK,315 NXP USA Inc. PMEG2020EPK 315 -
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント 2-xdfn ショットキー DFN1608D-2 - 0000.00.0000 1 高速回復= <500ns 20 v 450 mv @ 2 a 5 ns 900 µA @ 20 V 150°C （最大） 2a 120pf @ 1V、1MHz
PZU4.7B1,115 NXP USA Inc. PZU4.7B1,115 0.0400
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU4.7 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PMEG2015EPK,315 NXP USA Inc. PMEG2015EPK 、315 0.0900
RFQ
 ECAD 386 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント 2-xdfn ショットキー DFN1608D-2 ダウンロード ear99 8541.10.0080 3,256 高速回復= <500ns 20 v 420 mV @ 1.5 a 5 ns 350 µA @ 10 V 150°C （最大） 1.5a 120pf @ 1V、1MHz
NZH20C,115 NXP USA Inc. NZH20C 、115 -
RFQ
 ECAD 4012 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZH2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PZU8.2BA115 NXP USA Inc. PZU8.2BA115 -
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
NZX27A,133 NXP USA Inc. NZX27A 、133 0.0200
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ -55°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 mA 50 Na @ 18.9 v 27 v 80オーム
PMEG2010ET,215 NXP USA Inc. PMEG2010ET 、215 -
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMEG2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000
PMEG3005AESF315 NXP USA Inc. PMEG3005AESF315 1.0000
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMEG3005 ダウンロード 0000.00.0000 1
TDZ4V3J,115 NXP USA Inc. TDZ4V3J 、115 0.0300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 NXP USA Inc. 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ バルク アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F TDZ4V3 500 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,072 1.1 V @ 100 MA 3 µA @ 1 V 4.3 v 90オーム
NZH3V6B,115 NXP USA Inc. NZH3V6B 、115 0.0300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZH3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PZU3.3B,115 NXP USA Inc. PZU3.3B 、115 0.0300
RFQ
 ECAD 827 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU3.3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PMEG3020CPA,115 NXP USA Inc. PMEG3020CPA 、115 -
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMEG3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
BB172X NXP USA Inc. BB172X 0.5300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C（TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 BB172 SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 2.754pf @ 28V、1MHz シングル 32 v 15 C1/C28 -
NZX15B,133 NXP USA Inc. NZX15B 、133 -
RFQ
 ECAD 8343 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX1 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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