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ダイオード（ 1956年）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX384-B43,115 NXP USA Inc. BZX384-B43,115 -
RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX384 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZT52H-B2V7,115 NXP USA Inc. BZT52H-B2V7,115 0.0200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C（Ta） 表面マウント SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 v 83オーム
BZX79-C33,113 NXP USA Inc. BZX79-C33,113 0.0200
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX79 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
1N4741A,113 NXP USA Inc. 1N4741A 113 0.0400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 1N47 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000
BAT854W,115 NXP USA Inc. BAT854W 、115 0.0300
RFQ
 ECAD 4422 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BAT85 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
BAT86,133 NXP USA Inc. BAT86,133 0.0800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 穴を通して do-204ag ショットキー DO-34 ダウンロード ear99 8541.10.0070 3,985 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 50 v 900 mV @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 200mA 8PF @ 1V、1MHz
BZX84-B56,215 NXP USA Inc. BZX84-B56,215 0.0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 39.2 v 56 v 200オーム
BZX884-C47,315 NXP USA Inc. BZX884-C47,315 0.0300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX884 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
PMEG4030ER115 NXP USA Inc. PMEG4030ER115 1.0000
RFQ
 ECAD 6115 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0080 1
BZX84-A33,215 NXP USA Inc. BZX84-A33,215 0.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±1％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 NA @ 700 mV 33 v 80オーム
BZX384-C47115 NXP USA Inc. BZX384-C47115 -
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 BZX384 300 MW SOD-323 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 50 V 47 v 170オーム
BZX585-C36115 NXP USA Inc. BZX585-C36115 -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
BZX884-C30,315 NXP USA Inc. BZX884-C30,315 0.0300
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX884 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BAS40W,115 NXP USA Inc. bas40w、115 0.0300
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BAS40 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
BZX585-B68,115 NXP USA Inc. BZX585-B68,115 0.0400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX585 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZV55-B15,115 NXP USA Inc. BZV55-B15,115 -
RFQ
 ECAD 8767 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV55 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500
BAT54S,235 NXP USA Inc. BAT54S 、235 0.0200
RFQ
 ECAD 6647 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAT54 ショットキー SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0070 7,900 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 30 V 200MA （DC） 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150°C （最大）
PZU3.0B2A115 NXP USA Inc. PZU3.0B2A115 1.0000
RFQ
 ECAD 5060 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
BZX84-B22,215 NXP USA Inc. BZX84-B22,215 0.0200
RFQ
 ECAD 154 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX84 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX585-B7V5135 NXP USA Inc. BZX585-B7V5135 -
RFQ
 ECAD 6405 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
1PS66SB82115 NXP USA Inc. 1PS66SB82115 0.0800
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 1ps66 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1
BAV170M315 NXP USA Inc. bav170m315 0.0200
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0070 1
BZB984-C11,115 NXP USA Inc. BZB984-C11,115 0.0400
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOT-663 265 MW SOT-663 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 8 V 11 v 10オーム
BZX585-C4V7,115 NXP USA Inc. BZX585-C4V7,115 -
RFQ
 ECAD 5880 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX585 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BB208-03 NXP USA Inc. BB208-03 1.0000
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
BZX585-C11,135 NXP USA Inc. BZX585-C11,135 -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 300 MW SOD-523 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 MA 100 µA @ 8 V 11 v 10オーム
PZU7.5B1,115 NXP USA Inc. PZU7.5B1,115 -
RFQ
 ECAD 5301 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU7.5 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX585-C2V7,115 NXP USA Inc. BZX585-C2V7,115 0.0300
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 300 MW SOD-523 ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,764 1.1 V @ 100 MA 20 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
BYC8DX-600,127 NXP USA Inc. byc8dx-600,127 0.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック 標準 TO-220F ダウンロード ear99 8541.10.0080 740 高速回復= <500ns 600 V 2.9 V @ 8 a 20 ns 40 µA @ 600 V 150°C （最大） 8a -
NZX12D133 NXP USA Inc. NZX12D133 0.0200
RFQ
 ECAD 8309 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,840
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

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