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ダイオード（545）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
bat46wh、115	1.0000	RFQ	6908	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SOD-123F		ショットキー		SOD-123F	ダウンロード					0000.00.0000	1		高速回復= <500ns	100 V	850 mV @ 250 Ma	5.9 ns	9 µA @ 100 V	150°C （最大）	250ma	39pf @ 0V、1MHz
BAW56W135	-	RFQ	7176	NXP半導体	*	バルク	アクティブ					BAW56W				ダウンロード					0000.00.0000	1
BAS321115	1.0000	RFQ	1886年	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード				ear99	8541.10.0070	1
BZV90-C51,115	-	RFQ	8346	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			1.5 w	SOT-223	ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1				1 V @ 50 mA		50 Na @ 35.7 v				51 v	180オーム
NZX20B 、133	-	RFQ	3245	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	NZX20		500 MW	ALF2	ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 mA		50 Na @ 14 V				20 v	60オーム
1N4531133	-	RFQ	9164	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ag		標準		DO-34	ダウンロード				ear99	8541.10.0070	1			75 v	1 V @ 10 mA	4 ns	25 Na @ 20 V	200°C （最大）		4PF @ 0V、1MHz
BZX84J-C47,115	-	RFQ	9645	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F			550 MW	SOD-323F	ダウンロード					0000.00.0000	1				1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 32.9 v				47 v	90オーム
1N4737a 、133	-	RFQ	5624	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4737		1 W	DO-41	ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 5 V				7.5 v	4オーム
BZX884-C2V4315	-	RFQ	2439	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード					0000.00.0000	1
BZB84-C68,215	1.0000	RFQ	6985	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3	BZB84-C68		300 MW	TO-236AB	ダウンロード					0000.00.0000	1	1ペア共通アノード			900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 47.6 v				68 v	240オーム
BZB984-C2V4,115	1.0000	RFQ	2756	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	SOT-663	BZB984-C2V4		265 MW	SOT-663	ダウンロード					0000.00.0000	1	1ペア共通アノード			900 mV @ 10 Ma		50 µA @ 1 V				2.4 v	70オーム
BZX79-C5V6,143	-	RFQ	5295	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79-C5V6		400 MW	ALF2	ダウンロード					0000.00.0000	1				900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 2 V				5.6 v	40オーム
BZX585-B56,115	-	RFQ	2618	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX585-B56		300 MW	SOD-523	ダウンロード					0000.00.0000	1				1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 39.2 v				56 v	200オーム
bzx84-c15/ch、235	0.0200	RFQ	100	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1
BZB84-C2V7,215	-	RFQ	4810	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3	BZB84-C2V7		300 MW	TO-236AB	ダウンロード					0000.00.0000	1	1ペア共通アノード			900 mV @ 10 Ma		20 µA @ 1 V				2.7 v	100オーム
BZX79-C36143	0.0200	RFQ	90	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1
BZV90-C10,115	0.1700	RFQ	4	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			1.5 w	SOT-223	ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1,745				1 V @ 50 mA		200 Na @ 7 V				10 v	20オーム
BZX84J-B11,115	1.0000	RFQ	7693	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F			550 MW	SOD-323F	ダウンロード					0000.00.0000	1				1.1 V @ 100 MA		100 Na @ 8 V				11 v	10オーム
PZU9.1B2A 、115	0.0300	RFQ	25	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323			320 MW	SOD-323	ダウンロード					0000.00.0000	11,632				1.1 V @ 100 MA		500 NA @ 6 V				9.1 v	10オーム
PZU3.9B2L 、315	-	RFQ	3873	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-882	PZU3.9		250 MW	DFN1006-2	ダウンロード					0000.00.0000	1				1.1 V @ 100 MA		3 µA @ 1 V				3.9 v	90オーム
PZU4.3B 、115	0.0300	RFQ	21	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F			310 MW	SOD-323F	ダウンロード	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PZU4.3B 、115-954			1				1.1 V @ 100 MA		3 µA @ 1 V				4.3 v	90オーム
BAW56W、135	0.0200	RFQ	210	NXP半導体	*	バルク	アクティブ					BAW56				ダウンロード	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BAW56W、135-954	ear99	8541.10.0070	1
BZX884-B6V2,315	-	RFQ	3976	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-882			250 MW	DFN1006-2	ダウンロード	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX884-B6V2,315-954	ear99	8541.10.0070	1				900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 4 V				6.2 v	10オーム
BZX79-C3V9,143	0.0200	RFQ	245	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX79-C3V9,143-954	ear99	8541.10.0050	1				900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V				3.9 v	90オーム
BZX585-B7V5,115	-	RFQ	9498	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523			300 MW	SOD-523	ダウンロード	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX585-B7V5,115-954			1				1.1 V @ 100 MA		1 µA @ 5 V				7.5 v	10オーム
BZX585-B43,115	0.0300	RFQ	11	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523			300 MW	SOD-523	ダウンロード	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX585-B43,115-954			1				1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 30.1 v				43 v	150オーム
BZT52H-C22,115	0.0200	RFQ	60	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C（Ta）	表面マウント	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	ダウンロード	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZT52H-C22,115-954			1				900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 15.4 v				22 v	25オーム
BZX79-C36,113	0.0200	RFQ	209	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX79-C36,113-954	ear99	8541.10.0070	1				900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 25.2 v				36 v	90オーム
BZV55-B11,135	0.0200	RFQ	30	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	llds;ミニフル	ダウンロード		影響を受けていない	2156-BZV55-B11,135-954			1				900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V				11 v	20オーム
BZX84J-C68,115	0.0300	RFQ	30	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F			550 MW	SOD-323F	ダウンロード	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX84J-C68,115-954			11,823				1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 47.6 v				68 v	160オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²