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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
FLZ3V6B Fairchild Semiconductor flz3v6b 0.0200
RFQ
 ECAD 2081 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,077 1.2 V @ 200 mA 2.8 µA @ 1 V 3.7 v 48オーム
FFAF20U120DNTU Fairchild Semiconductor FFAF20U120DNTU 2.6400
RFQ
 ECAD 558 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3フルパック 標準 to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 1200 v 20a 3.5 V @ 20 a 120 ns 20 µA @ 1200 v -65°C〜150°C
FLZ12VC Fairchild Semiconductor FLZ12VC 0.0200
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 na @ 9 v 12.1 v 9.5オーム
1N966B Fairchild Semiconductor 1N966B 2.0200
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 149 5 µA @ 12.2 v 16 v 17オーム
BAV19 Fairchild Semiconductor bav19 0.0200
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 2,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 120 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 100 V 175°C （最大） 200mA 5PF @ 0V、1MHz
FDLL4151 Fairchild Semiconductor FDLL4151 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 標準 SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 15,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 75 v 1 V @ 50 mA 4 ns 50 Na @ 50 V -65°C〜200°C 200mA 4PF @ 0V、1MHz
MMBD1705 Fairchild Semiconductor MMBD1705 0.3400
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 30 V 50ma 1.1 V @ 50 mA 700 ps 50 na @ 20 v 150°C （最大）
BZX55C43 Fairchild Semiconductor BZX55C43 0.0200
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 32 v 43 v 90オーム
1N5395 Fairchild Semiconductor 1N5395 -
RFQ
 ECAD 4623 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 8,000 標準回復> 500ns 400 V 1.4 V @ 1.5 a 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1.5a 25pf @ 4V、1MHz
MMBD1703A Fairchild Semiconductor MMBD1703A 1.0000
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 30 V 50ma 1.1 V @ 50 mA 1 ns 50 na @ 20 v 150°C （最大）
FFAF05U120DNTU Fairchild Semiconductor FFAF05U120DNTU 1.0600
RFQ
 ECAD 699 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3フルパック 標準 to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 1200 v 5a 3.5 V @ 5 a 100 ns 5 µA @ 1200 v -65°C〜150°C
1N6011B Fairchild Semiconductor 1N6011B 1.8400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 23 V 30 V 78オーム
FLZ8V2B Fairchild Semiconductor flz8v2b 0.0200
RFQ
 ECAD 5084 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 4,230 1.2 V @ 200 mA 300 Na @ 5 V 8 v 6.6オーム
BZX55C16 Fairchild Semiconductor BZX55C16 0.0600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 na @ 12 v 16 v 40オーム
KBU6A Fairchild Semiconductor Kbu6a 1.1100
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 287 1 V @ 6 a 10 µA @ 50 V 6 a 単相 50 v
1N964B Fairchild Semiconductor 1N964B 2.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 149 5 µA @ 9.9 v 13 v 13オーム
1N462A Fairchild Semiconductor 1N462A 0.0400
RFQ
 ECAD 1791 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.10.0070 765 標準回復> 500ns - -
1N5400 Fairchild Semiconductor 1N5400 0.0200
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 2156-1N5400-FSTR ear99 8541.10.0080 1,250 標準回復> 500ns 50 v 1.2 V @ 3 a 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C 3a 30pf @ 4V、1MHz
1N4372A Fairchild Semiconductor 1N4372a 2.7500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 110 1.5 V @ 200 mA 50 µA @ 1 V 3 v 29オーム
FEP16BTA Fairchild Semiconductor fep16bta 0.6100
RFQ
 ECAD 6792 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 346 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 16a 950 mv @ 8 a 35 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C
FLZ36VD Fairchild Semiconductor FLZ36VD 1.0000
RFQ
 ECAD 4385 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 27 V 34.9 v 63オーム
FLZ36VC Fairchild Semiconductor FLZ36VC 0.0200
RFQ
 ECAD 9474 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 4,513 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 27 V 34.3 v 63オーム
1N6004B Fairchild Semiconductor 1N6004B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 na @ 11 v 15 V 32オーム
FMKA140 Fairchild Semiconductor FMKA140 0.3700
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント DO-214AC、SMA ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 5,000 高速回復= <500ns 40 v 600 mV @ 1 a 1 MA @ 40 V -65°C〜125°C 1a -
KBP10M Fairchild Semiconductor KBP10M 0.2400
RFQ
 ECAD 2136 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 404 1 V @ 1 a 5 µA @ 1 V 1.5 a 単相 1 kV
FFPF60SB60DSTU Fairchild Semiconductor FFPF60SB60DSTU 0.3400
RFQ
 ECAD 946 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Stealth™ チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 946 高速回復= <500ns 1ペアシリーズ接続 600 V 4a 2.6 V @ 4 a 25 ns 100 µA @ 600 V -65°C〜150°C
BZX55C5V1 Fairchild Semiconductor BZX55C5V1 0.0400
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 1 V 5.1 v 35オーム
FFB05U120STM Fairchild Semiconductor FFB05U120STM 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-263-3 標準 d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1200 v 3.5 V @ 5 a 100 ns 5 µA @ 1200 v -65°C〜150°C 5a -
1N976B Fairchild Semiconductor 1N976B 1.8400
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 5 µA @ 32.7 v 43 v 93オーム
1N459-T50R Fairchild Semiconductor 1N459-T50R 0.0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード 適用できない ear99 8541.10.0070 10,000 標準回復> 500ns 200 v 1 V @ 100 MA 25 Na @ 175 v 175°C （最大） 500mA 6PF @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

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