SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
CUS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus05 -
RFQ
ECAD 2964 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05 ショットキー us-flat(1.25x2.5) - ROHS準拠 cus05(TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 20 v 370 mV @ 700 Ma 1 mA @ 20 v -40°C〜125°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
CUS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus06 -
RFQ
ECAD 6944 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS06 ショットキー us-flat(1.25x2.5) ダウンロード ROHS準拠 cus06(TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 20 v 450 mV @ 700 Ma 30 µA @ 20 V -40°C〜150°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
CUS15I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS15I30A -
RFQ
ECAD 3931 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS15I30 ショットキー us-flat(1.25x2.5) ダウンロード ROHS準拠 CUS15I30A (TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 30 V 460 mV @ 1.5 a 60 µA @ 30 V 150°C (最大) 1.5a 50pf @ 10V、1MHz
CMS04(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage cms04(TE12L) -
RFQ
ECAD 1186 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ(CT) 廃止 表面マウント SOD-128 CMS04 ショットキー m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 370 mV @ 5 a 8 ma @ 30 v -40°C〜125°C 5a -
CRH01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01 0.5200
RFQ
ECAD 54 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123F CRH01 標準 s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 1a -
CRS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS05 0.1326
RFQ
ECAD 9706 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS05 ショットキー s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 1 a 200 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a -
CRS09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09 0.5000
RFQ
ECAD 174 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS09 ショットキー s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 460 mV @ 1.5 a 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1.5a 90pf @ 10V、1MHz
CRZ10(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz10(TE85L -
RFQ
ECAD 1889 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 ±10% -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ10 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード 1 (無制限) CRZ10TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 6 V 10 v 30オーム
CRZ11(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz11 -
RFQ
ECAD 6761 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 ±10% -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ11 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード 1 (無制限) CRZ11TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 7 V 11 v 30オーム
CRZ15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz15 0.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ15 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 10 V 15 V 30オーム
CRZ22(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz22(TE85L -
RFQ
ECAD 5653 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 ±10% -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ22 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード 1 (無制限) CRZ22TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 16 V 22 v 30オーム
CRZ47(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz47 -
RFQ
ECAD 3679 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 ±10% -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ47 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード 1 (無制限) CRZ47TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 37.6 v 47 v 65オーム
1SV228TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV228TPH3F 0.4400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 1SV228 s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 13.7pf @ 8V、1MHz 1ペア共通カソード 15 V 2.6 C3/C8 -
1SV280,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV280 、H3F 0.4400
RFQ
ECAD 7027 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV280 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 4,000 2PF @ 10V、1MHz シングル 15 V 2.4 C2/C10 -
1SV304TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV304TPH3F 0.4200
RFQ
ECAD 121 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-76、SOD-323 1SV304 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 6.6pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 3 C1/C4 -
1SV305,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV305、L3F 0.4400
RFQ
ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV305 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 8,000 6.6pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 3 C1/C4 -
1SS309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS309 0.4100
RFQ
ECAD 385 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 1SS309 標準 SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 4一般的なカソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C (最大)
CMH08A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH08A -
RFQ
ECAD 7466 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOD-128 CMH08A 標準 m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.8 V @ 2 a 35 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 2a -
CRY82(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cry82(TE85L -
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 ±10% -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F cry82 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 4.9 v 8.2 v 30オーム
CUHS20S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20s40、H3f 0.3700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs20 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 470 mV @ 2 a 300 µA @ 40 V 150°C (最大) 2a 290pf @ 0V、1MHz
CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40 、L3F 0.4800
RFQ
ECAD 93 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 0402 (1006メトリック) CLS10F40 ショットキー CL2E - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 40 v 570 mV @ 1 a 25 µA @ 40 V 150°C 1a 130pf @ 0V、1MHz
CUHS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15s30、H3f 0.3700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 430 mV @ 1.5 a 500 µA @ 30 V 150°C 1.5a 200PF @ 0V、1MHz
1SS181,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS181、lf 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS181 標準 s-mini - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C (最大)
CUHS15F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15f60、H3f 0.4900
RFQ
ECAD 9628 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 730 mV @ 1.5 a 50 µA @ 60 V 150°C 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
CRF03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CRF03A -
RFQ
ECAD 5905 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - アクティブ 表面マウント SOD-123F 標準 s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 700 Ma 100 ns 50 µA @ 600 V 150°C 700MA -
TRS4E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65H、S1Q 1.8500
RFQ
ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 (無制限) 264-TRS4E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 4 a 0 ns 55 µA @ 650 v 175°C 4a 263pf @ 1V、1MHz
CMF02A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMF02A -
RFQ
ECAD 5343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - アクティブ 表面マウント SOD-128 標準 m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 1 a 100 ns 50 µA @ 600 V 150°C 1a -
TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H 、LQ 1.8500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド sic (炭化シリコン)ショットキー 4-dfn-ep(8x8) - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.34 V @ 4 a 0 ns 55 µA @ 650 v 175°C 4a 263pf @ 1V、1MHz
TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H 、LQ 2.7700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド sic (炭化シリコン)ショットキー 4-dfn-ep(8x8) - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 8 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C 8a 520pf @ 1V、1MHz
TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65H、S1Q 1.5500
RFQ
ECAD 300 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 (無制限) 264-TRS2E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 2 a 0 ns 40 µA @ 650 v 175°C 2a 135pf @ 1V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫