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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
TRS4E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65F 、S1Q 2.3700
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS4E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 4 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C （最大） 4a 16pf @ 650V、1MHz
1SS306TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS306TE85LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-61AA 1SS306 標準 SC-61B ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 200 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 60 ns 1 µA @ 200 v 125°C （最大）
HN4D01JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn4d01ju 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 HN4D01 標準 5スソップ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
CLS02(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 （TE16R、Q） -
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS02 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 10 a 1 MA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V、1MHz
HN2D01FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn2d01fu -
RFQ
 ECAD 6360 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2D01 標準 US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 3独立 80 v 80ma 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
CMZ27(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ27 0.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ27 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 19 v 27 v 30オーム
1SS300,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS300、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS300 標準 USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65F 、S1Q 1.0500
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS2E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 2 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C （最大） 2a 8.7pf @ 650V、1MHz
CMS06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS06 0.5400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS06 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 370 mV @ 2 a 3 ma @ 30 v -40°C〜125°C 2a 130pf @ 10V、1MHz
TBAT54S,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54S、LM 0.2100
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TBAT54 ショットキー SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 30 V 200mA 580 mV @ 100 Ma 1.5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜150°C
HN1D01FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1d01fe 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1D01 標準 ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
U20DL2C48A(TE24L,Q Toshiba Semiconductor and Storage U20DL2C48A -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-263-3 u20dl2 標準 TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 20a 980 mV @ 10 a 35 ns 50 µA @ 200 V -
1SS401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS401 0.2700
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS401 ショットキー SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 20 v 450 mV @ 300 Ma 50 µA @ 20 V 125°C （最大） 300mA 46pf @ 0V、1MHz
CMS05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS05 0.7800
RFQ
 ECAD 192 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS05 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mv @ 5 a 800 µA @ 30 V -40°C〜150°C 5a 330pf @ 10V、1MHz
CRH01(TE85R,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRH01 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 1a -
CRF03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRF03 -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRF03 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 700 Ma 100 ns 50 µA @ 600 V -40°C〜150°C 700MA -
CMG05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG05 -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMG05 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） CMG05 ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
CMZ12(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cmz12（TE12L 0.5400
RFQ
 ECAD 9594 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ12 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 8 V 12 v 30オーム
1SS378(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS378 0.3400
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS378 ショットキー SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 10 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大）
CMS09(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 -
RFQ
 ECAD 5132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - Digi-Reel® 廃止 表面マウント SOD-128 CMS09 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a -
CCS15S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S40 、L3F 0.3800
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CCS15S40 ショットキー CST2C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 1.5 a 200 µA @ 40 V 125°C （最大） 1.5a 170pf @ 0V、1MHz
1SS413,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS413、L3m 0.2700
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード 1SS413 ショットキー FSC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 20 v 550 mV @ 50 mA 500 NA @ 20 V 125°C （最大） 50ma 3.9pf @ 0V、1MHz
CMS20I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I40A 0.2123
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS20 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 520 mV @ 2 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 2a 62pf @ 10V、1MHz
TRS12N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65D s1f -
RFQ
 ECAD 6487 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 TRS12N ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 650 V 6a （DC） 1.7 V @ 6 a 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
HN1D01F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1d01f （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 3088 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1D01 標準 SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403、H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 1SS403 標準 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.2 V @ 100 MA 60 ns 1 µA @ 200 v 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
CUS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus05 -
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05 ショットキー us-flat（1.25x2.5） - ROHS準拠 cus05（TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 20 v 370 mV @ 700 Ma 1 mA @ 20 v -40°C〜125°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
1SS387,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387 、L3f 0.2300
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS387 標準 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 0.5pf @ 0V、1MHz
CMS14(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS14 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS14 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 2 a 200 µA @ 60 V -40°C〜150°C 2a -
CRS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS05 0.1326
RFQ
 ECAD 9706 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS05 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 1 a 200 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a -
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    毎日の平均RFQボリューム

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