SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
CCS15F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ccs15f40、l3f 0.4800
RFQ
ECAD 49 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CCS15F40 ショットキー CST2C ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 40 v 640 mV @ 1.5 a 25 µA @ 40 V 150°C (最大) 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30 、L3F 0.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CBS05F30 ショットキー CST2B - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 30 V 50 µA @ 30 V 125°C (最大) 500mA 118pf @ 0V、1MHz
JDH2S02SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02SL 、L3F 0.4200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし JDH2S02 ショットキー SL2 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 10 v 25 µA @ 500 mV 125°C (最大) 10ma 0.25pf @ 200mV、1MHz
1SS187,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS187、lf 0.2200
RFQ
ECAD 4171 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS187 標準 s-mini - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C (最大) 100mA 4PF @ 0V、1MHz
1SV279,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV279 、H3F 0.4800
RFQ
ECAD 1082 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV279 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 4,000 6.5pf @ 10V、1MHz シングル 15 V 2.5 C2/C10 -
CMF02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF02 (TE12L -
RFQ
ECAD 3945 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOD-128 CMF02 標準 m-flat(2.4x3.8) - ROHS準拠 1 (無制限) cmf02(TE12LQM ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 600 V 2 V @ 1 a 50 µA @ 600 V -40°C〜150°C 1a -
CMG03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG03 -
RFQ
ECAD 2511 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOD-128 CMG03 標準 m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) CMG03 ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 2 a 10 µA @ 600 V -40°C〜150°C 2a -
CMG07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG07 -
RFQ
ECAD 8148 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOD-128 CMG07 標準 m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) CMG07 ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 100 ns - 1a -
CMH02A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH02A -
RFQ
ECAD 2840 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOD-128 CMH02A 標準 m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) CMH02A (TE12LQM ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.8 V @ 3 a 100 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 3a -
CMH08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH08 -
RFQ
ECAD 9412 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOD-128 CMH08 標準 m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS準拠 CMH08 (TE12LQM ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.3 V @ 2 a 100 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 2a -
CMS08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS08 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS08 ショットキー m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 370 mV @ 3 a 1.5 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1a 70pf @ 10V、1MHz
CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 0.5300
RFQ
ECAD 4497 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS09 ショットキー m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a 70pf @ 10V、1MHz
CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I30A 0.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS30 ショットキー m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 490 mV @ 3 a 100 µA @ 30 V 150°C (最大) 3a 82pf @ 10V、1MHz
CMS30I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I40A 0.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS30 ショットキー m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 3 a 100 µA @ 40 V 150°C (最大) 3a 62pf @ 10V、1MHz
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16 0.5400
RFQ
ECAD 4384 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -40°C〜150°C (TJ 表面マウント SOD-128 CMZ16 2 W m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 11 v 16 v 30オーム
CMZ18(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ18 0.5400
RFQ
ECAD 1725 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -40°C〜150°C (TJ 表面マウント SOD-128 CMZ18 2 W m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 13 V 18 v 30オーム
CMZ20(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cmz20(TE12L 0.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -40°C〜150°C (TJ 表面マウント SOD-128 CMZ20 2 W m-flat(2.4x3.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 14 V 20 v 30オーム
CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG05 0.4600
RFQ
ECAD 6290 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123F CRG05 標準 s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 800 V 1.2 V @ 1 a 10 µA @ 800 V -40°C〜150°C 1a -
CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A 0.4700
RFQ
ECAD 3740 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS10I40 標準 s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 40 v 490 mV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150°C (最大) 1a 35pf @ 10V、1MHz
CRS13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crs13(TE85L 0.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS13 ショットキー s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 550 mV @ 1 a 50 µA @ 60 V 150°C (最大) 1a 40pf @ 10V、1MHz
CRS14(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crs14(TE85L 0.1462
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS14 ショットキー s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 490 mV @ 2 a 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 2a 90pf @ 10V、1MHz
CRS15I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30A 0.4500
RFQ
ECAD 4972 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS15I30 ショットキー s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 460 mV @ 1.5 a 60 µA @ 30 V 150°C (最大) 1.5a 50pf @ 10V、1MHz
CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage crs20i30b 0.4900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS20I30 ショットキー s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mv @ 2 a 100 µA @ 30 V 150°C (最大) 2a 82pf @ 10V、1MHz
CRS30I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS30I30A 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS30I30 ショットキー s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 490 mV @ 3 a 100 µA @ 30 V 150°C (最大) 3a 82pf @ 10V、1MHz
CRZ12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz12 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -40°C〜150°C (TJ 表面マウント SOD-123F CRZ12 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 8 V 12 v 30オーム
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz13(TE85L 0.4900
RFQ
ECAD 3970 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -40°C〜150°C (TJ 表面マウント SOD-123F CRZ13 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 9 V 13 v 30オーム
CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz30(TE85L 0.4900
RFQ
ECAD 9098 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -40°C〜150°C (TJ 表面マウント SOD-123F CRZ30 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 21 V 30 V 30オーム
CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz36(TE85L 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -40°C〜150°C (TJ 表面マウント SOD-123F CRZ36 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 28.8 v 36 v 30オーム
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz39(TE85L 0.4900
RFQ
ECAD 7342 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -40°C〜150°C (TJ 表面マウント SOD-123F CRZ39 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 31.2 v 39 v 35オーム
CRZ47(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz47(TE85L 0.4900
RFQ
ECAD 4033 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -40°C〜150°C (TJ 表面マウント SOD-123F CRZ47 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 37.6 v 47 v 65オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫