SIC
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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格設定（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在 -マックス ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315 [u/d] -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） SC-76、SOD-323 USC ダウンロード 1 （無制限） 264-1SS315 [u/d] tr ear99 8541.10.0070 3,000 30 Ma 0.06pf @ 200mV、1MHz Schottky-シングル 5V -
CMG06A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG06A -
RFQ
 ECAD 9033 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 表面マウント SOD-128 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 1 a 5 µA @ 600 v 150°C 1a -
CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20f60、H3f 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 590 mV @ 2 a 70 µA @ 60 V 150°C 2a 300pf @ 0V、1MHz
CUHS20S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20s60、H3f 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 530 mV @ 2 a 650 µA @ 60 V 150°C 2a 290pf @ 0V、1MHz
1SS389,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389 、H3F -
RFQ
 ECAD 4025 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS389 ショットキー ESC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 600 mV @ 50 Ma 5 µA @ 10 V 125°C （最大） 100mA 25pf @ 0V、1MHz
CRZ18(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz18（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ18 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 13 V 18 v 30オーム
CRS01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS01 （TE85L -
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-123F CRS01 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1 a 1.5 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1a -
CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz27 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ27 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 19 v 27 v 30オーム
CRZ24(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz24（TE85L 0.1740
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ24 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 17 V 24 v 30オーム
1SS362FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362FV、L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 1SS362 標準 vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
1SS319(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS319 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-61AA 1SS319 ショットキー SC-61B ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
HN1D03FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1D03 標準 US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペアCA + CC 80 v 80ma 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS403E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403E 、L3f 0.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS403 標準 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.2 V @ 100 MA 60 ns 1 µA @ 200 v 150°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
CLS03(T6L,SHINA,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 -
RFQ
 ECAD 4372 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
CCS15S30,L3IDTF Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30 、L3IDTF -
RFQ
 ECAD 4741 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 表面マウント 2-SMD 、リードなし CCS15 ショットキー CST2C ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 20 v 400 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V 125°C （最大） 1.5a 200PF @ 0V、1MHz
TRS12E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C、S1Q -
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 TRS12E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 12 a 0 ns 90 µA @ 170 v 175°C （最大） 12a 65pf @ 650v、1MHz
HN1D02F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1d02f 0.4700
RFQ
 ECAD 9292 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1D02 標準 SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V -55°C〜125°C
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H、S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS8E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 8 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C 8a 520pf @ 1V、1MHz
1SS301,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301、LF 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS301 標準 SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS307 標準 s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 1.3 V @ 100 MA 10 Na @ 30 V 125°C （最大） 100mA 6PF @ 0V、1MHz
CRS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04 0.4600
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS04 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 510 mv @ 1 a 100 µA @ 40 V -40°C〜150°C 1a 47pf @ 10V、1MHz
CMS01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS01 0.6600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS01 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 370 mV @ 3 a 5 ma @ 30 v -40°C〜125°C 3a -
CMS03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS03 0.6600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS03 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 3 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 3a -
CMS04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS04 0.7800
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS04 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 370 mV @ 5 a 8 ma @ 30 v -40°C〜125°C 5a 330pf @ 10V、1MHz
CMS07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS07 0.1916
RFQ
 ECAD 2620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS07 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mv @ 2 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 2a -
CMS11(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS11 0.6000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS11 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mv @ 2 a 500 µA @ 40 V -40°C〜150°C 2a 95pf @ 10V、1MHz
CRS03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crs03（TE85L 0.3900
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS03 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 1 a 100 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
CRS08(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS08 0.5200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS08 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1.5 a 1 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1.5a 90pf @ 10V、1MHz
CRS11(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS11 0.4800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS11 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1 a 1.5 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1a -
1SV285TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV285TPH3F 0.0834
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV285 ESC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 2.35pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2.3 C1/C4 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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