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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f
1SS416,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416、L3m 0.2700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-923 1SS416 ショットキー SOD-923 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 15pf @ 0V、1MHz
CBS10S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S40 、L3F 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CBS10S40 ショットキー CST2B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 1 a 150 µA @ 40 V 125°C （最大） 1a 120pf @ 0V、1MHz
TBAV99,LM Toshiba Semiconductor and Storage tbav99 、lm 0.2000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TBAV99 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 80 v 100mA 1.25 V @ 150 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
DSF01S30SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SL 、L3F 0.3500
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし DSF01S30 ショットキー SL2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 9.02pf @ 2V、1MHz
DSR01S30SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SL 、L3F 0.3500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし DSR01S30 ショットキー SL2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 620 mV @ 100 Ma 700 Na @ 30 V 125°C （最大） 100mA 8.2pf @ 0V、1MHz
CTS05S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S30 、L3f 0.3400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS05S30 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 30 V 340 mV @ 100 Ma 150 µA @ 10 V 125°C （最大） 500mA 55pf @ 0V、1MHz
CTS05S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S40 、L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS05S40 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 40 v 350 mV @ 100 Ma 30 µA @ 10 V 125°C （最大） 500mA 42pf @ 0V、1MHz
CTS521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS521 、L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS521 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 30 V 500 mV @ 200 mA 30 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 25pf @ 0V、1MHz
CUS05S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S30 、H3F 0.3100
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05S30 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 340 mV @ 100 Ma 150 µA @ 10 V 125°C （最大） 500mA 55pf @ 0V、1MHz
CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S30 、H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS10S30 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 230 mV @ 100 Ma 500 µA @ 30 V 125°C （最大） 1a 135pf @ 0V、1MHz
CUS10S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S40 、H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS10S40 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 400 mV @ 500 Ma 150 µA @ 40 V 125°C （最大） 1a 120pf @ 0V、1MHz
CUS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS15S30 、H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS15S30 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 400 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V 125°C （最大） 1.5a 200PF @ 0V、1MHz
CUS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS15S40 、H3F 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS15S40 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 450 mV @ 1 a 200 µA @ 40 V 125°C （最大） 1.5a 170pf @ 0V、1MHz
1SS393,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS393、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 347 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS393 ショットキー SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V -40°C〜100°C
CLH01(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh01 -
RFQ
 ECAD 4207 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH01 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 3 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 3a -
CLH03(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh03 -
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH03 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 400 V 35 ns - 3a -
CLH03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh03 -
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH03 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 400 V 35 ns - 3a -
CLH05(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh05 -
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH05 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 5a -
CLH06(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh06 -
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH06 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 300 V 35 ns - 5a -
CLS01,LFJFQ(O Toshiba Semiconductor and Storage CLS01 -
RFQ
 ECAD 1100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS01 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 10 a 1 mA @ 30 v -40°C〜125°C 10a 530pf @ 10V、1MHz
CLS02(T6L,CANO-O,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 （T6L -
RFQ
 ECAD 4848 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS02 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 10 a 1 MA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V、1MHz
CLS03(T6L,CANO-O,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 （T6L -
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
CLS03(TE16L,PSD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 -
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
CLS03(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 （TE16L -
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
CLS03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 -
RFQ
 ECAD 7771 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
CLS03,LNITTOQ(O Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 -
RFQ
 ECAD 6921 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
DSR01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SC（TPL3 -
RFQ
 ECAD 1993年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 0201 （0603 メトリック） DSR01S30 ショットキー SC2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 620 mV @ 100 Ma 700 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 8.2pf @ 0V、1MHz
TRS10E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65H、S1Q 2.8900
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS10E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 10 a 0 ns 100 µA @ 650 V 175°C 10a 649PF @ 1V、1MHz
TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H 、LQ 3.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド sic （炭化シリコン）ショットキー 4-dfn-ep（8x8） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 12 a 0 ns 120 µA @ 650 v 175°C 12a 778pf @ 1V、1MHz
TRS12E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65H、S1Q 3.2700
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS12E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 12 a 0 ns 120 µA @ 650 v 175°C 12a 778pf @ 1V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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