画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYV40E-150,115 | 0.2970 | ![]() | 7460 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | byv40 | 標準 | SC-73 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 1.5a | 1 V @ 1.5 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | 150°C (最大) | ||||
![]() | NXPSC06650B6J | 3.7000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | NXPSC06650D6J | 3.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | NXPSC10650D6J | 6.0000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | NXPLQSC30650W6Q | 5.6197 | ![]() | 5212 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | NXPLQSC | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072091127 | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.95 V @ 15 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 30a | 300pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | NXPSC046506Q | 2.6700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072071127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 4a | 130pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | NXPSC066506Q | 3.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072072127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | NXPSC06650X6Q | 3.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072082127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | WNSC2D201200W6Q | 3.2301 | ![]() | 9693 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 20 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 v | 175°C | 20a | 845pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | wnsc2d151200wq | 6.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D151200Q | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175°C | 15a | 700pf @ 1V、1MHz | |||
![]() | WNSC2D08650DJ | 2.1900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | WNSC16650CWQ | 3.3290 | ![]() | 7958 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC16650CWQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | |||
![]() | WNSC2D04650TJ | 1.5000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 125pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | WNSC2D06650XQ | 0.9150 | ![]() | 4213 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D06650XQ | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 198pf @ 1V、1MHz | |||
![]() | WNSC2D16650CWQ | 2.6160 | ![]() | 1862年年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D16650CWQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C | ||||
![]() | byv10mx-600pq | 0.5900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv10 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-byv10mx-600pq | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 10a | - | ||||
![]() | WNSC2D10650BJ | 2.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 10a | 310pf @ 1V、1MHz | ||||
WNSC2D10650WQ | 2.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D10650WQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 10a | 310pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | WNSC2D16650CJQ | 4.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | to-3pf | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C | |||||
WNSC2D301200CWQ | 7.3439 | ![]() | 8131 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 30a | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175°C | ||||||
![]() | murs360bj | 0.4600 | ![]() | 44 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | murs3 | 標準 | SMB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 3 a | 50 ns | 3 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 3a | - | ||||
![]() | WNSC021200Q | 1.5147 | ![]() | 2967 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 2 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 v | 175°C (最大) | 2a | 109pf @ 1V 、1MHz | ||||
![]() | BYV430W-600PQ | 2.6000 | ![]() | 528 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byv430 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 60a | 2 V @ 30 a | 90 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | ||||
![]() | WND08P16XQ | 0.3878 | ![]() | 1749 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WND08 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.2 V @ 8 a | 50 µA @ 1600 v | 150°C | 8a | - | |||||
![]() | WND08P16DJ | 0.8800 | ![]() | 26 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WND08 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.25 V @ 8 a | 50 µA @ 1600 v | 150°C | 8a | - | |||||
![]() | NXPSC20650W-AQ | 6.1465 | ![]() | 9940 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C (最大) | ||||
byc405x-400pq | 0.4257 | ![]() | 9709 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byc405 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.5 V @ 5 a | 40 ns | 10 µA @ 400 V | 150°C | 10a | - | |||||
![]() | wnd60p16wq | 3.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WND60 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.12 V @ 60 a | 50 µA @ 1600 v | -55°C〜150°C | 60a | - | |||||
![]() | WNSC051200Q | 2.8875 | ![]() | 1127 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 5 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 5a | 250pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | NXPSC12650B6J | 3.6300 | ![]() | 7568 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 12a | 380pf @ 1V、1MHz |
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