SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f
WNSC5D206506Q WeEn Semiconductors WNSC5D206506Q -
RFQ
ECAD 6400 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC5 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220AC - 1740-WNSC5D206506Q ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 20 a 0 ns 100 µA @ 650 V -55°C〜175°C 20a 640pf @ 1V、1MHz
WNSC5D046506Q WeEn Semiconductors WNSC5D046506Q -
RFQ
ECAD 8122 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC5 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220AC - 1740-WNSC5D046506Q ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 4 a 0 ns 20 µA @ 650 v -55°C〜175°C 4a 138pf @ 1V、1MHz
WNSC5D06650D6J WeEn Semiconductors WNSC5D06650D6J -
RFQ
ECAD 4757 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 WNSC5 sic (炭化シリコン)ショットキー dpak - 1740-WNSC5D06650D6JTR ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 v -55°C〜175°C 6a 201pf @ 1V、1MHz
WNSC5D16650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC5D16650CW6Q -
RFQ
ECAD 7644 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 WNSC5 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-247-3 - 1740-WNSC5D16650CW6Q ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 16a 1.7 V @ 8 a 0 ns 40 µA @ 650 v -55°C〜175°C
WNSC5D10650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D10650T6J -
RFQ
ECAD 7976 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド WNSC5 sic (炭化シリコン)ショットキー 5-dfn (8x8) - 1740-WNSC5D10650T6JTR ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µA @ 650 v -55°C〜175°C 10a 323pf @ 1V、1MHz
WNSC5D04650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D04650T6J -
RFQ
ECAD 6725 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド WNSC5 sic (炭化シリコン)ショットキー 5-dfn (8x8) - 1740-WNSC5D04650T6JTR ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 4 a 0 ns 20 µA @ 650 v -55°C〜175°C 4a 138pf @ 1V、1MHz
WNSC5D10650D6J WeEn Semiconductors WNSC5D10650D6J -
RFQ
ECAD 7153 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 WNSC5 sic (炭化シリコン)ショットキー dpak - 1740-WNSC5D10650D6JTR ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µA @ 650 v -55°C〜175°C 10a 323pf @ 1V、1MHz
WNSC2D101200D6J WeEn Semiconductors WNSC2D101200D6J 1.3300
RFQ
ECAD 8173 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー dpak ダウンロード ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.6 V @ 10 a 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C〜175°C 10a 481pf @ 1V、1MHz
BYV30JT-600PMQ WeEn Semiconductors byv30jt-600pmq 0.7721
RFQ
ECAD 9894 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 byv30 標準 to-3pf - ear99 8541.10.0080 480 高速回復= <500ns 600 V 1.8 V @ 30 a 65 ns 10 µA @ 600 V 175°C 30a -
WB30FC120ALZ WeEn Semiconductors WB30FC120ALZ 1.2113
RFQ
ECAD 5763 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 死ぬ WB30 標準 ウェーハ - ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1200 v 3.5 V @ 30 a 65 ns 250 µA @ 1200 V 175°C 30a -
BYT28X-500Q WeEn Semiconductors BYT28X-500Q 0.3767
RFQ
ECAD 4290 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ BYT28 標準 TO-220F ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 500 V 10a 1.4 V @ 5 a 60 ns 10 µA @ 500 V 150°C
BYV10D-600PJ WeEn Semiconductors byv10d-600pj 0.2136
RFQ
ECAD 4015 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 byv10 標準 dpak ダウンロード ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 600 V 1.3 V @ 10 a 100 ns 10 µA @ 600 V 175°C 10a -
MUR440J WeEn Semiconductors mur440j 0.1249
RFQ
ECAD 5660 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc MUR440 標準 SMC ダウンロード ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.25 V @ 4 a 75 ns 10 µA @ 400 V 175°C 4a -
MUR320J WeEn Semiconductors mur320j 0.1183
RFQ
ECAD 7804 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc MUR320 標準 SMC ダウンロード ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 875 mV @ 3 a 35 ns 10 µA @ 200 v 175°C 3a -
WB100FC120ALZ WeEn Semiconductors WB100FC120ALZ 2.5754
RFQ
ECAD 3492 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 死ぬ WB100 標準 ウェーハ - ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1200 v 3.3 V @ 100 a 90 ns 250 µA @ 1200 V 175°C 100a -
WNSC2D2012006Q WeEn Semiconductors WNSC2D2012006Q 2.9042
RFQ
ECAD 7419 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220AC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,000 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.65 V @ 20 a 0 ns 100 µA @ 1200 V -55°C〜175°C 20a 950pf @ 1V、1MHz
WNB199V5APTSV WeEn Semiconductors wnb199v5aptsv 0.9319
RFQ
ECAD 8774 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 死ぬ WNB199 標準 ウェーハ - ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 60 a 55 ns 10 µA @ 600 V 175°C 60a -
BYV410X-600/L01Q WeEn Semiconductors BYV410X-600/L01Q 0.6979
RFQ
ECAD 9126 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ byv410 標準 TO-220F ダウンロード ear99 8541.10.0080 600 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 20a 2.1 V @ 10 a 35 ns 50 µA @ 600 V 150°C
BYC40W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC40W-1200PQ 1.8808
RFQ
ECAD 1282 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-247-2 byc40 標準 TO-247-2 ダウンロード ear99 8541.10.0080 450 高速回復= <500ns 1200 v 3.3 V @ 40 a 91 ns 250 µA @ 1200 V 175°C 40a -
WNSC2D1012006Q WeEn Semiconductors WNSC2D1012006Q 1.4521
RFQ
ECAD 4911 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220AC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,000 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.6 V @ 10 a 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C〜175°C 10a 481pf @ 1V、1MHz
WNSC2D101200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D101200W6Q 1.9150
RFQ
ECAD 6055 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-2 WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-247-2 ダウンロード ear99 8541.10.0080 600 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.65 V @ 10 a 0 ns 110 µA @ 1200 V 175°C 10a 490pf @ 1V、1MHz
BYV25FD-600,118 WeEn Semiconductors BYV25FD-600,118 0.8500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 byv25 標準 dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 600 V 1.9 V @ 5 a 35 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大) 5a -
BYV29FD-600,118 WeEn Semiconductors BYV29FD-600,118 0.9000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 byv29 標準 dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 600 V 1.9 V @ 8 a 35 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大) 9a -
BYC8D-600,127 WeEn Semiconductors BYC8D-600,127 0.9400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 byc8 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 2.9 V @ 8 a 20 ns 40 µA @ 600 V 150°C (最大) 8a -
BYV29F-600,127 WeEn Semiconductors BYV29F-600,127 0.4125
RFQ
ECAD 7894 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 byv29 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 1.9 V @ 8 a 35 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大) 9a -
BYV32G-200,127 WeEn Semiconductors BYV32G-200,127 0.7260
RFQ
ECAD 6441 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して To-262-3 Long Leads byv32 標準 i2pak(to-262) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 20a 850 mv @ 8 a 25 ns 30 µA @ 200 V 150°C (最大)
BYV42G-200,127 WeEn Semiconductors BYV42G-200,127 0.7590
RFQ
ECAD 1754 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して To-262-3 Long Leads byv42 標準 i2pak(to-262) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 15a 850 mV @ 15 a 28 ns 100 µA @ 200 V 150°C (最大)
NXPS20H100C,127 WeEn Semiconductors NXPS20H100C、127 -
RFQ
ECAD 9839 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ sicで中止されました 穴を通して TO-220-3 NXPS20 ショットキー TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 10a 770 mV @ 10 a 4.5 µA @ 100 V 175°C (最大)
BYV10EX-600PQ WeEn Semiconductors byv10ex-600pq 1.0600
RFQ
ECAD 4309 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ byv10 標準 TO-220FP ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 10 a 50 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 10a -
BYV415W-600PQ WeEn Semiconductors BYV415W-600PQ 1.4871
RFQ
ECAD 9779 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 byv415 標準 TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 15a 2.1 V @ 15 a 45 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫