画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC5D206506Q | - | ![]() | 6400 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D206506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | -55°C〜175°C | 20a | 640pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC5D046506Q | - | ![]() | 8122 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D046506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 138pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC5D06650D6J | - | ![]() | 4757 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | - | 1740-WNSC5D06650D6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 6a | 201pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC5D16650CW6Q | - | ![]() | 7644 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | - | 1740-WNSC5D16650CW6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | |||||
![]() | WNSC5D10650T6J | - | ![]() | 7976 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | 1740-WNSC5D10650T6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC5D04650T6J | - | ![]() | 6725 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | 1740-WNSC5D04650T6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 138pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC5D10650D6J | - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | - | 1740-WNSC5D10650D6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC2D101200D6J | 1.3300 | ![]() | 8173 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 10a | 481pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | byv30jt-600pmq | 0.7721 | ![]() | 9894 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | byv30 | 標準 | to-3pf | - | ear99 | 8541.10.0080 | 480 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.8 V @ 30 a | 65 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 30a | - | ||||||
![]() | WB30FC120ALZ | 1.2113 | ![]() | 5763 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WB30 | 標準 | ウェーハ | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.5 V @ 30 a | 65 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 30a | - | ||||||
BYT28X-500Q | 0.3767 | ![]() | 4290 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BYT28 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 10a | 1.4 V @ 5 a | 60 ns | 10 µA @ 500 V | 150°C | |||||||
![]() | byv10d-600pj | 0.2136 | ![]() | 4015 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byv10 | 標準 | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 10 a | 100 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 10a | - | ||||||
![]() | mur440j | 0.1249 | ![]() | 5660 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR440 | 標準 | SMC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 400 V | 175°C | 4a | - | ||||||
![]() | mur320j | 0.1183 | ![]() | 7804 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR320 | 標準 | SMC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 875 mV @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | 175°C | 3a | - | ||||||
![]() | WB100FC120ALZ | 2.5754 | ![]() | 3492 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WB100 | 標準 | ウェーハ | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 100 a | 90 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 100a | - | ||||||
![]() | WNSC2D2012006Q | 2.9042 | ![]() | 7419 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 20a | 950pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | wnb199v5aptsv | 0.9319 | ![]() | 8774 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WNB199 | 標準 | ウェーハ | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 60a | - | ||||||
BYV410X-600/L01Q | 0.6979 | ![]() | 9126 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byv410 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 2.1 V @ 10 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C | |||||||
![]() | BYC40W-1200PQ | 1.8808 | ![]() | 1282 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc40 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 40 a | 91 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 40a | - | ||||||
![]() | WNSC2D1012006Q | 1.4521 | ![]() | 4911 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 10a | 481pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | WNSC2D101200W6Q | 1.9150 | ![]() | 6055 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C | 10a | 490pf @ 1V、1MHz | ||||||
BYV25FD-600,118 | 0.8500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byv25 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||
BYV29FD-600,118 | 0.9000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byv29 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - | |||||
![]() | BYC8D-600,127 | 0.9400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.9 V @ 8 a | 20 ns | 40 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 8a | - | ||||
![]() | BYV29F-600,127 | 0.4125 | ![]() | 7894 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byv29 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - | ||||
BYV32G-200,127 | 0.7260 | ![]() | 6441 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv32 | 標準 | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 850 mv @ 8 a | 25 ns | 30 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||
BYV42G-200,127 | 0.7590 | ![]() | 1754 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv42 | 標準 | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 850 mV @ 15 a | 28 ns | 100 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | NXPS20H100C、127 | - | ![]() | 9839 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | NXPS20 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 770 mV @ 10 a | 4.5 µA @ 100 V | 175°C (最大) | |||||
![]() | byv10ex-600pq | 1.0600 | ![]() | 4309 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv10 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 10 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 10a | - | ||||
![]() | BYV415W-600PQ | 1.4871 | ![]() | 9779 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byv415 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 15a | 2.1 V @ 15 a | 45 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C |
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