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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f
sjpb-d4vl	-	RFQ	5386	サンケン	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	2-SMD、Jリード	SJPB-D4	ショットキー	SJP	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		sjpb-d4vl dk	ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		40 v		550 mV @ 1 a		100 µA @ 1 V	-40°C〜150°C	1a	-
SJPB-L4VR	-	RFQ	2804	Sanken Electric USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	2-SMD、Jリード	SJPB-L4	ショットキー	SJP	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		SJPB-L4VR DK	ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		40 v		550 mV @ 3 a		300 µA @ 40 V	-40°C〜150°C	3a	-
SJPE-H3VL	-	RFQ	8022	Sanken Electric USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	表面マウント	2-SMD、Jリード	SJPE-H3	ショットキー	SJP	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		SJPE-H3VL DK	ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		30 V		550 mv @ 2 a		200 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	2a	-
SJPJ-H3VR	-	RFQ	8263	サンケン	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	2-SMD、Jリード	SJPJ-H3	ショットキー	SJP	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		SJPJ-H3VR DK	ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		30 V		450 mv @ 2 a		200 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	2a	-
SJPJ-L3VR	-	RFQ	3729	サンケン	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	2-SMD、Jリード	SJPJ-L3	ショットキー	SJP	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		SJPJ-L3VR DK	ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		30 V		450 mV @ 3 a		300 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	3a	-
SJPL-H6VR	-	RFQ	6044	サンケン	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	2-SMD、Jリード	SJPL-H6	標準	SJP	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		SJPL-H6VR DK	ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		600 V		1.5 V @ 2 a		50 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	2a	-
SJPL-L4VL	-	RFQ	9489	サンケン	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	2-SMD、Jリード	SJPL-L4	標準	SJP	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		SJPL-L4VL DK	ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 3 a	50 ns	50 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	3a	-
SJPM-H4VL	-	RFQ	3872	サンケン	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	2-SMD、Jリード	SJPM-H4	標準	SJP	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		SJPM-H4VL DK	ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		400 V		1.1 V @ 2 a		10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	2a	-
MBRF2045CT-LJ	-	RFQ	2589	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	チューブ	廃止	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF2045CT	ショットキー	ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	MBRF2045CT-LJDI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	10a	640 mV @ 10 a		100 µA @ 45 V	-55°C〜150°C
SBRT3U40P1-7	0.4100	RFQ	34	ダイオードが組み込まれています	Trenchsbr	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	Powerdi®123	SBRT3	スーパーバリア	Powerdi™123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		40 v		490 mV @ 3 a		180 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	3a	-
uh1che3_a/h	0.1254	RFQ	6851	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	DO-214AC、SMA	uh1	標準	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		150 v		1.05 V @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-55°C〜175°C	1a	17pf @ 4V、1MHz
uh1dhe3_a/i	-	RFQ	8286	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	DO-214AC、SMA	uh1	標準	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		200 v		1.05 V @ 1 a	25 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	1a	17pf @ 4V、1MHz
US1JHE3_a/i	0.4300	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	DO-214AC、SMA	US1J	標準	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
sl13he3_a/h	-	RFQ	3144	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	表面マウント	DO-214AC、SMA	SL13	ショットキー	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		30 V		445 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	1.5a	-
SS15HE3_A/H	-	RFQ	6534	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	表面マウント	DO-214AC、SMA	SS15	ショットキー	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		50 v		750 mv @ 1 a		200 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	-
SS3H10HE3_A/i	-	RFQ	2285	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	表面マウント	do-214ab 、mc	SS3H10	ショットキー	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		100 V		800 mV @ 3 a		20 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
us1ghe3_a/i	0.4300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	DO-214AC、SMA	US1	標準	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		400 V		1 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
US1MHE3_A/H。	0.4300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	DO-214AC、SMA	US1	標準	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		1000 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
es1che3_a/i	0.1073	RFQ	9894	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	DO-214AC、SMA	ES1	標準	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		150 v		920 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
es1dhe3_a/i	0.3900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	DO-214AC、SMA	ES1	標準	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		200 v		920 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
ES3AHE3_a/i	0.3053	RFQ	6195	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	do-214ab 、mc	ES3A	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		50 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
ES3Che3_a/h	0.3138	RFQ	5945	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	do-214ab 、mc	ES3C	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		150 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
ES3Che3_a/i	0.3053	RFQ	8561	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	do-214ab 、mc	ES3C	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		150 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
ES3DHE3_A/H	0.7100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	do-214ab 、mc	ES3D	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
ESH3CHE3_A/H	0.3208	RFQ	9084	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	do-214ab 、mc	ESH3	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		150 v		900 mV @ 3 a	40 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜175°C	3a	70pf @ 4V、1MHz
ESH3CHE3_A/i	0.3208	RFQ	2547	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	do-214ab 、mc	ESH3	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		150 v		900 mV @ 3 a	40 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜175°C	3a	70pf @ 4V、1MHz
ESH3DHE3_A/i	0.3208	RFQ	3577	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	do-214ab 、mc	ESH3	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 3 a	40 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	3a	70pf @ 4V、1MHz
rs1bhe3_a/i	0.1022	RFQ	4651	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	DO-214AC、SMA	RS1B	標準	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
rs1dhe3_a/h	0.4800	RFQ	9273	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	DO-214AC、SMA	RS1D	標準	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		200 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
rs1dhe3_a/i	0.4800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	表面マウント	DO-214AC、SMA	RS1D	標準	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		200 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²