画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GI250-3-E3/54 | 0.2086 | ![]() | 6929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GI250 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 3000 V | 3.5 V @ 250 Ma | 2 µs | 5 µA @ 3000 V | -65°C〜175°C | 250ma | 3PF @ 4V、1MHz | ||
![]() | GI250-4-E3/54 | 0.5300 | ![]() | 8239 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GI250 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 4000 v | 3.5 V @ 250 Ma | 2 µs | 5 µA @ 4000 V | -65°C〜175°C | 250ma | 3PF @ 4V、1MHz | ||
![]() | GI250-4HE3/54 | - | ![]() | 8328 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GI250 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 4000 v | 3.5 V @ 250 Ma | 2 µs | 5 µA @ 4000 V | -65°C〜175°C | 250ma | 3PF @ 4V、1MHz | ||
GI500-E3/54 | 0.1709 | ![]() | 1522 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | GI500 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 9.4 a | 2 µs | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 3a | 28pf @ 4V、1MHz | |||
GI502-E3/54 | 0.1709 | ![]() | 6136 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | GI502 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 9.4 a | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 3a | 28pf @ 4V、1MHz | |||
![]() | GI810-E3/54 | - | ![]() | 5946 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GI810 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.2 V @ 1 a | 750 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||
![]() | GI810HE3/54 | - | ![]() | 9200 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GI810 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.2 V @ 1 a | 750 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||
![]() | GI811HE3/54 | - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GI811 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.2 V @ 1 a | 750 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||
![]() | GI812-E3/54 | - | ![]() | 1759 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GI812 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 1 a | 750 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 1a | - | ||
![]() | GI812HE3/54 | - | ![]() | 7358 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GI812 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 1 a | 750 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 1a | - | ||
![]() | byd33kgp-e3/54 | - | ![]() | 10000 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | byd33 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 300 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | byg10j-e3/tr3 | 0.1068 | ![]() | 1357 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg10 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 1.5 a | 4 µs | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||
![]() | byg10k-e3/tr3 | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg10 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.15 V @ 1.5 a | 4 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||
![]() | byg10m-e3/tr3 | 0.3900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg10 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 1.5 a | 4 µs | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||
![]() | byg20g-e3/tr3 | 0.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg20 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.4 V @ 1.5 a | 75 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||
![]() | byg20j-e3/tr3 | 0.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg20 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.4 V @ 1.5 a | 75 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||
![]() | byg24g-e3/tr3 | 0.1931 | ![]() | 8276 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg24 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 1.5 a | 140 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||
![]() | BYM07-100-E3/83 | 0.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | bym07 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 9,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM07-200HE3/83 | - | ![]() | 8274 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | bym07 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 9,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM07-400HE3/83 | - | ![]() | 2461 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | bym07 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 9,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.35 V @ 500 MA | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM10-100-E3/97 | 0.4500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym10 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||
![]() | BYM10-1000-E3/97 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym10 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||
![]() | bym10-200he3/97 | - | ![]() | 4999 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym10 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym10-200he3_a/i | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM10-400-E3/97 | 0.4500 | ![]() | 5157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym10 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||
![]() | bym10-400he3/97 | - | ![]() | 9545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym10 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym10-400he3_a/i | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | bym10-800he3/97 | - | ![]() | 1535 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym10 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym10-800he3_a/i | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM11-100HE3/97 | - | ![]() | 8065 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym11 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym11-100he3_a/i | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |
![]() | bym12-100-e3/97 | 0.1487 | ![]() | 9229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym12 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | bym12-300-e3/97 | 0.1487 | ![]() | 4874 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym12 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | 1a | 14PF @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM13-20-E3/97 | 0.2586 | ![]() | 2004年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | bym13 | ショットキー | gl41(do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz |
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