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パワードライバーモジュール（ 1368）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOZ5312NQI | 2.5700 |  | 2 | 0.00000000 | アルファ＆オメガ半導体Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 31-POWERVFQFNモジュール | モスフェット | AOZ5312 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1フェーズ | 60 a | - | |||
| AOZ5613BQI | 2.7900 | | 3804 | 0.00000000 | アルファ＆オメガ半導体Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 31-POWERVFQFNモジュール | モスフェット | AOZ5613 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1フェーズ | 65 a | - | |||
| AOZ5118QI-01 | 2.7800 | | 2 | 0.00000000 | アルファ＆オメガ半導体Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 31-POWERVFQFNモジュール | モスフェット | AOZ5118 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1フェーズ | 65 a | - | |||
| AOZ5312UQI | 2.5700 | | 2 | 0.00000000 | アルファ＆オメガ半導体Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 31-POWERVFQFNモジュール | モスフェット | AOZ5312 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1フェーズ | 60 a | - | ||||
| AOZ5613QI | 2.7900 | | 8319 | 0.00000000 | アルファ＆オメガ半導体Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 31-POWERVFQFNモジュール | モスフェット | AOZ5613 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1フェーズ | 65 a | - | |||
 | FSAM15SL60 | 9.0500 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | バルク | アクティブ | 穴を通して | 32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm） | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 8 | 3フェーズ | 15 a | 600 V | 2500VRMS | |||
| FSBM10SM60A | 18.5000 | | 176 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | バルク | アクティブ | 穴を通して | 32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm） | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 48 | 3フェーズ | 10 a | 600 V | 2500VRMS | |||
 | FSBB30CH60CM | - | | 8044 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||
| FSAM20SM60A | 58.6500 | | 13 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®2 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm） | IGBT | FSAM20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 20 a | 600 V | 2500VRMS | ||
| LD431650 | 159.0000 | | 80 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | - | ROHS3準拠 | 適用できない | 2383-LD431650 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - | - | ||||||
| FSB50450US | - | | 9547 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®5 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-Powersmd モジュール、ガルウィング | モスフェット | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 3相インバーター | 1.5 a | 1500VRMS | ||||
| FSB50550UTD | 10.6200 | | 49 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®5 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-powerdip モジュール（0.748 "、19.00mm） | モスフェット | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相インバーター | 2 a | 500 V | 1500VRMS | |||
| FSBS10SH60I | 10.8400 | | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||
| FNA51560T3 | 10.1000 | | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®55 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | 20-POWERDIP モジュール（1.220 "、31.00mm） | IGBT | FNA51 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 78 | 3フェーズ | 15 a | 600 V | 1500VRMS | ||
| FSBB30CH60F | 22.7400 | | 403 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®3 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相インバーター | 30 a | 600 V | 2500VRMS | |||
| IRAM136-1061A2-IR | 13.5300 | | 561 | 0.00000000 | 国際整流器 | imotion™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-sip、19 のリード、形成されたリード | IGBT | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相インバーター | 12 a | 600 V | 2000VRMS | |||
| FSBS10NH60I | 9.0400 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||
| FPAB30BH60 | 18.2000 | | 17 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PFCSPM®3 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1フェーズ | 25 a | 600 V | 2500VRMS | |||
 | FSB50825TB2 | 5.2700 | | 49 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | 23-powerdip モジュール（0.748 "、19.00mm） | IGBT | FSB50825 | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3フェーズ | 4 a | 250 v | 1500VRMS | ||
| FNB51560T1 | 9.2200 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®55 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 20-POWERDIP モジュール（1.220 "、31.00mm） | IGBT | FNB51 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相インバーター | 15 a | 600 V | 1500VRMS | ||
| FSBB15CH60 | 15.4800 | | 351 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®3 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） | IGBT | FSBB15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 15 a | 600 V | 2500VRMS | ||
| IRAMS10UP60A-2 | 1.0000 | | 1093 | 0.00000000 | onsemi | imotion™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-POWERSIP モジュール、19 のリード、リードを形成しました | IGBT | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 10 a | 600 V | 2000VRMS | |||
| IRAM136-1061A2 | - | | 2405 | 0.00000000 | onsemi | imotion™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | 29-POWERSSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました | IGBT | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 12 a | 600 V | 2000VRMS | |||
| FNA51060T3 | 9.3200 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®55 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 20-POWERDIP モジュール（1.220 "、31.00mm） | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相インバーター | 10 a | 600 V | 1500VRMS | |||
| FSBS10SM60I | 9.7400 | | 305 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||
 | NFAM2012L5B | - | | 3112 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | 39-POWERDIP モジュール（1.413 "、35.90mm ）、29のリード | IGBT | NFAM2012 | - | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 3相インバーター | 20 a | 1.2 kv | 2500VRMS | ||
 | NVG800A75L4DSC | 361.2833 | | 8316 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | IGBT | NVG800 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 6 | ハーフブリッジ | 800 a | 750 V | 4200VRMS | ||
 | FDMF5062 | 4.1700 | | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 39-POWERVFQFN | モスフェット | FDMF5062 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1フェーズ | 70 a | 30 V | - | ||
| FSB50825TB2 | - | | 4169 | 0.00000000 | onsemi | SPM® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | 23-powerdip モジュール（0.748 "、19.00mm） | IGBT | FSB50825 | - | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 488-FSB50825TB2 | ear99 | 8542.39.0001 | 180 | 3フェーズ | 4 a | 250 v | 1500VRMS | |
| FSBB20CH60F | - | | 9616 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®3 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） | IGBT | FSBB20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3フェーズ | 20 a | 600 V | 2500VRMS |
2000+
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30,000,000
標準製品ユニット
2800+
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