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サイリスタ（6）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 構造 | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在-hold（ihmax） | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | 現在 -State | scr の数、ダイオード |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GA080TH65-227SP | 3.0000 |  | 1033 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | GA080 | シングル | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 6.5 kv | 139 a | - | 100 Ma | 80 a | 1 SCR | |||
 | GA060th65 | 2.0000 | | 1137 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-2 | GA060 | シングル | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 1242-1144 | ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 6.5 kv | 104 a | - | 100 Ma | 60 a | 1 SCR | ||
| GA040th65 | 1.0000 | | 3153 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-2 | GA040 | シングル | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 1242-1143 | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 780 Ma | 6.5 kv | 69 a | - | 30 Ma | 40 a | 1 SCR | |
| Ga080th65 | 2.0000 | | 9549 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-2 | GA080 | シングル | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 1242-1145 | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 6.5 kv | 139 a | - | 100 Ma | 80 a | 1 SCR | ||
 | GA040TH65-227SP | 1.0000 | | 6507 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | GA040 | シングル | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 780 Ma | 6.5 kv | 69 a | - | 30 Ma | 40 a | 1 SCR | ||
 | GA060TH65-227SP | 2.0000 | | 7997 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | GA060 | シングル | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 6.5 kv | 104 a | - | 100 Ma | 60 a | 1 SCR |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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