画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SAR523EBTL | 0.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | 2SAR523 | 150 MW | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | PNP | 400mv @ 5ma 、50ma | 120 @ 1MA 、6V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTC043TMT2L | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | DTC043 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 150MV @ 500µA、5MA | 100 @ 5MA 、10V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTC043ZUBTL | 0.3000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-85 | DTC043 | 200 MW | umt3f | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | - | npn-バイアス化 | 150MV @ 500µA、5MA | 80 @ 5MA 、10V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | RF4E110BNTR | 0.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powerudfn | RF4E110 | モスフェット(金属酸化物) | huml2020l8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 11a(ta) | 4.5V 、10V | 11.1mohm @ 11a 、10v | 2V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1200 PF @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | RF4E110GNTR | 0.5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powerudfn | RF4E110 | モスフェット(金属酸化物) | huml2020l8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 11a(ta) | 4.5V 、10V | 11.3mohm @ 11a 、10V | 2.5V @ 250µA | 7.4 NC @ 10 V | ±20V | 504 PF @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | RQ3E080GNTB | 0.5300 | ![]() | 3876 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RQ3E080 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 8a(ta) | 4.5V 、10V | 16.7mohm @ 8a 、10V | 2.5V @ 1MA | 5.8 NC @ 10 V | ±20V | 295 PF @ 15 V | - | 2W (TA )、15W(TC) | |||||||||||||
![]() | RQ3E100GNTB | 0.4500 | ![]() | 1727 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RQ3E100 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 10a(ta) | 4.5V 、10V | 11.7mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 1MA | 7.9 NC @ 10 V | ±20V | 420 PF @ 15 V | - | 2W (TA )、15W(TC) | |||||||||||||
![]() | rs1e320gntb | 0.5968 | ![]() | 9833 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | RS1E | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 32a(ta) | 4.5V 、10V | 1.9mohm @ 32a 、10V | 2.5V @ 1MA | 42.8 NC @ 10 V | ±20V | 2850 PF @ 15 V | - | 3W (TA )、 34.6W (TC | |||||||||||||
![]() | R6004ENX | 1.6400 | ![]() | 109 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6004 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 600 V | 4a(tc) | 10V | 980mohm @ 1.5a 、10V | 4V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 250 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
![]() | R6009ENX | 3.5500 | ![]() | 397 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6009 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 600 V | 9a(tc) | 10V | 535mohm @ 2.8a 、10V | 4V @ 1MA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 430 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
![]() | R6030ENX | 5.8900 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6030 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 600 V | 30a(tc) | 10V | 130mohm @ 14.5a 、10V | 4V @ 1MA | 85 NC @ 10 V | ±30V | 2100 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
![]() | RCX080N25 | 1.3000 | ![]() | 442 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RCX080 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 250 v | 8a(tc) | 10V | 600mohm @ 4a 、10V | 5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 840 PF @ 25 V | - | 2.23W (TA )、 35W (TC) | |||||||||||||
![]() | RCX160N20 | 1.6400 | ![]() | 4243 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RCX160 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 200 v | 16a(tc) | 10V | 180mohm @ 8a、10V | 5.25V @ 1MA | 26 NC @ 10 V | ±30V | 1370 PF @ 25 V | - | 2.23W (TA)、40W(TC) | |||||||||||||
![]() | RCX511N25 | 3.1700 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RCX511 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 250 v | 51a(tc) | 10V | 65mohm @ 25.5a 、10V | 5V @ 1MA | 120 NC @ 10 V | ±30V | 7000 pf @ 25 v | - | 2.23W (TA)、40W(TC) | |||||||||||||
![]() | ZDX130N50 | 1.6372 | ![]() | 9797 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | ZDX130 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ZDX130N50CT-ND | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 500 V | 13a(tc) | 10V | 520mohm @ 6.5a 、10V | 4.5V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 2180 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||
![]() | HS8K11TB | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | HS8K11 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | HSML3030L10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 7a 、11a | 17.9mohm @ 7a 、10V | 2.5V @ 1MA | 11.1NC @ 10V | 500pf @ 15V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||
![]() | R5009FNJTL | 1.1754 | ![]() | 4105 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | R5009 | モスフェット(金属酸化物) | LPTS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 500 V | 9a(tc) | 10V | 840mohm @ 4.5a 、10V | 4V @ 1MA | 18 NC @ 10 V | ±30V | 630 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||
![]() | R6002ENDTL | 0.2832 | ![]() | 3999 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | R6002 | モスフェット(金属酸化物) | CPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 1.7a(tc) | 10V | 3.4OHM @ 500MA 、10V | 4V @ 1MA | 6.5 NC @ 10 V | ±20V | 65 PF @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||
![]() | R6015ENJTL | 4.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | R6015 | モスフェット(金属酸化物) | LPTS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 15a(tc) | 10V | 290mohm @ 6.5a 、10V | 4V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 910 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
![]() | R6020ENJTL | 2.7900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | R6020 | モスフェット(金属酸化物) | LPTS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 20a(tc) | 10V | 196mohm @ 9.5a 、10V | 4V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1400 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
![]() | RCD075N19TL | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RCD075 | モスフェット(金属酸化物) | CPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 190 v | 7.5a | 4V 、10V | 336mohm @ 3.8a 、10V | 2.5V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 1100 PF @ 25 V | - | 850MW | |||||||||||||
![]() | RCJ081N20TL | 1.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | RCJ081 | モスフェット(金属酸化物) | LPTS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 200 v | 8a(tc) | 10V | 770mohm @ 4a 、10V | 5.25V @ 1MA | 8.5 NC @ 10 V | ±30V | 330 PF @ 25 V | - | 1.56W (TA)、40W(TC) | |||||||||||||
![]() | RCJ120N20TL | 1.3000 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | RCJ120 | モスフェット(金属酸化物) | LPTS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 200 v | 12a(tc) | 10V | 325mohm @ 6a 、10V | 5.25V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 740 PF @ 25 V | - | 1.56W (TA)、40W(TC) | |||||||||||||
![]() | RDD023N50TL | - | ![]() | 1196 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RDD023 | モスフェット(金属酸化物) | CPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 500 V | 2a(tc) | 4V 、10V | 5.4OHM @ 1A 、10V | 2V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 151 PF @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||
![]() | RS1G150MNTB | 0.9800 | ![]() | 3335 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | rs1g | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 15a(ta) | 4.5V 、10V | 10.6mohm @ 15a 、10V | 2.5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 930 PF @ 20 V | - | 3W (Ta )、25w(tc) | |||||||||||||
![]() | RS1G260MNTB | 1.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | rs1g | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 26a(ta) | 4.5V 、10V | 3.3mohm @ 26a 、10V | 2.5V @ 1MA | 44 NC @ 10 V | ±20V | 2988 PF @ 20 V | - | 3W (TA)、35W(TC) | |||||||||||||
![]() | rs1g300gntb | 2.1000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | rs1g | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 30a(ta) | 4.5V 、10V | 2.5mohm @ 30a 、10V | 2.5V @ 1MA | 56.8 NC @ 10 V | ±20V | 4230 PF @ 20 V | - | 3W (TA)、35W(TC) | |||||||||||||
![]() | ES6U1T2R | 0.4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | モスフェット(金属酸化物) | 6-WEMT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | pチャネル | 12 v | 1.3a(ta) | 1.5V 、4.5V | 260mohm @ 1.3a 、4.5V | 1V @ 1MA | 2.4 NC @ 4.5 v | ±10V | 290 PF @ 6 V | ショットキーダイオード(分離) | 700MW | ||||||||||||||
![]() | QS8J13TR | 0.8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | QS8J13 | モスフェット(金属酸化物) | 1.25W | TSMT8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 12V | 5.5a | 22mohm @ 5.5a 、4.5V | 1V @ 1MA | 60NC @ 4.5V | 6300pf @ 6V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||
![]() | re1e002sptcl | 0.3600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | Re1E002 | モスフェット(金属酸化物) | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 250ma(ta) | 4V 、10V | 1.4OHM @ 250MA 、10V | 2.5V @ 1MA | ±20V | 30 pf @ 10 v | - | 150MW |
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