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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
TN2435N8-G	1.6700	RFQ	17	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA	TN2435			モスフェット（金属酸化物）		TO-243AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル						350 V	365ma	3V、10V	6OHM @ 750MA 、10V	2.5V @ 1MA		±20V	200 pf @ 25 v	-	1.6W
JANTX2N5671	182.1967	RFQ	9895	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/488	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N5671				6 W	to-3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				90 v	30 a							10ma	npn	5V @ 6a 、30a	20 @ 20a 、5V	-
2N5315	519.0900	RFQ	9426	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA					87 W	to-61	-			影響を受けていない	150-2N5315	ear99	8541.29.0095	1																				100 V	20 a							-	npn	1.5V @ 1MA 、10ma	-	-
JANTX2N708	-	RFQ	7476	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/312	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N708				360 MW	TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				15 V								25Na	npn	400MV @ 1MA 、10MA	40 @ 10ma、1V	-
2N5154L	14.4837	RFQ	9232	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5154				1 W	to-5aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				80 v	2 a							50µA	npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
JANTX2N2812	-	RFQ	8318	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA						to-61	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																				60 V	10 a							-	npn	-	-	-
jansd2n3810	198.9608	RFQ	6853	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500 /336	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810				350MW	to-78-6	-			影響を受けていない	150-Jansd2N3810			1																				60V	50ma							10µa（icbo）	2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
2N6339	67.2980	RFQ	6983	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N6339						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
APT20M45SVRG	11.8200	RFQ	6982	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-268-3	APT20M45			モスフェット（金属酸化物）		d3 [s]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						200 v	56a（tc）		45mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	195 NC @ 10 V		4860 PF @ 25 V	-
Jan2N656	-	RFQ	9481	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3						to-5	-			影響を受けていない			0000.00.0000	1																				60 V	200 ma							-	npn	-	-	-
APT50GF120LRG	21.7100	RFQ	27	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT50GF120	標準			781 w	to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				800V 、50A、1OHM、15V															npt	1200 v	135 a	150 a	3V @ 15V 、50a	3.6MJ （オン）、2.64MJ	340 NC	25ns/260ns
JANTX2N2218	4.1230	RFQ	7353	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N2218				800 MW	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				30 V	800 Ma							10na	npn	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n5794	365.7500	RFQ	10	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/495	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N5794				600MW	to-78-6	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				40V	600MA							10µa（icbo）	2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
Jan2N5416S	-	RFQ	7807	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/485	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					750 MW	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				300 V	1 a							1ma	PNP	2V @ 5MA 、50mA	30 @ 50ma 、10V	-
1214GN-50EP	-	RFQ	4855	マイクロチップテクノロジー	e	バルク	アクティブ	150 v			モジュール			1.2GHz1.4GHz	-		-	ダウンロード			影響を受けていない	150-1214GN-50EP	ear99	8541.29.0095	1	-		-		20 ma	58W	15.9db											-									50 v
APTC90AM60T1G	-	RFQ	6910	マイクロチップテクノロジー	coolmos™	トレイ	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1	APTC90			モスフェット（金属酸化物）	462W	SP1	-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	100	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）							900V	59a		60mohm @ 52a 、10V	3.5V @ 6MA	540NC @ 10V		13600pf @ 100V	スーパージャンクション
89100-03TXV	-	RFQ	6228	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2						to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																												-	-	-	-	-
MSC040SMA120S/TR	26.0800	RFQ	3031	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-268-3				sicfet （炭化シリコン）		TO-268	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSC040SMA120S/TR	ear99	8541.29.0095	400		nチャネル						1200 v	64a（tc）	20V	50mohm @ 40a 、20V	2.6V @ 2MA	137 NC @ 20 V	+23V、-10V	1990 pf @ 1000 v	-	303W
jantxv2n2906al	12.9276	RFQ	7837	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2906				500 MW	TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 Ma							50NA	PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
Jan2N498	-	RFQ	7229	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3						to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																				100 V	200 ma							-	npn	-	-	-
Jan2N2904	10.6533	RFQ	8706	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/290	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N2904				600 MW	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				40 v	600 Ma							1µA	PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	35 @ 10ma 、10V	-
aptm20dum08tg	161.1500	RFQ	4530	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	aptm20			モスフェット（金属酸化物）	781W	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）							200V	208a		10mohm @ 104a 、10V	5V @ 5MA	280NC @ 10V		14400pf @ 25V	-
Jan2N1484	186.7320	RFQ	9985	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/180	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-233AA					1.75 w	to-8	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				55 v	3 a							15µA	npn	1.20V @ 75MA 、750A	20 @ 750MA 、4V	-
2N6436	59.3579	RFQ	8474	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N6436						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
jankccd2n3500	-	RFQ	6829	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-jankccd2n3500			100																				150 v	300 Ma							10µa（icbo）	npn	400MV @ 15MA、150MA	40 @ 150ma 、10V	-
2N336	65.1035	RFQ	4454	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ			穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N336					to-5	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
JANKCCM2N3498	-	RFQ	4136	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-jankccm2n3498			100																				100 V	500 Ma							10µa（icbo）	npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
JANTX2N4033	6.9825	RFQ	3007	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/512	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N4033				800 MW	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				80 v	1 a							10µa（icbo）	PNP	1V @ 100MA、1a	100 @ 100MA 、5V	-
JANSP2N2906A	99.9500	RFQ	3869	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	穴を通して	to-206aa					500 MW	TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2906A			1																				60 V	600 Ma							50NA	PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
JANTXV2N3440U4	-	RFQ	8405	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					800 MW	U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				250 v	2 µA							2µA	npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²