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トランジスタ（5714）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
APTGLQ600A65T6G Microchip Technology aptglq600A65T6G 340.9925
RFQ
 ECAD 5177 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して SP6 aptglq600 2000 w 標準 SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 ハーフブリッジ トレンチフィールドストップ 650 V 1200 a 2.4V @ 15V 、600A 600 µA はい 36.6 nf @ 25 v
JANTX2N2906A Microchip Technology JANTX2N2906A 4.2294
RFQ
 ECAD 8670 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/291 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-206aa 2N2906 500 MW TO-18（to-206aa ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 60 V 600 Ma 50NA PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 40 @ 150ma 、10V -
JANTX2N2946A Microchip Technology JANTX2N2946A 9.2435
RFQ
 ECAD 3064 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/382 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-46-3 2N2946 400 MW to-46（to-206ab ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 35 v 100 Ma 10µa（icbo） PNP - 50 @ 1MA 、500mv -
JANTX2N6989 Microchip Technology JANTX2N6989 35.8568
RFQ
 ECAD 4269 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/559 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して 14-dip （0.300 "、7.62mm） 2N6989 1.5W TO-116 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 50V 800mA 10µa（icbo） 4 npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
JAN2N2484 Microchip Technology Jan2N2484 -
RFQ
 ECAD 8190 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/376 バルク sicで中止されました -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-206aa 2N2484 360 MW TO-18 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 60 V 50 Ma 2NA npn 300MV @ 100µA、1MA 225 @ 10MA 、5V -
APTGF150A60T3AG Microchip Technology APTGF150A60T3AG -
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク 廃止 - シャーシマウント SP3 833 w 標準 SP3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 ハーフブリッジ npt 600 V 230 a 2.5V @ 15V 、200A 350 µA はい 9 nf @ 25 v
APTGF50DH120T3G Microchip Technology APTGF50DH120T3G -
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク 廃止 - シャーシマウント SP3 312 w 標準 SP3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 非対称ブリッジ npt 1200 v 70 a 3.7V @ 15V 、50a 250 µA はい 3.45 NF @ 25 V
APTGF50DSK120T3G Microchip Technology APTGF50DSK120T3G -
RFQ
 ECAD 7598 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク 廃止 - シャーシマウント SP3 312 w 標準 SP3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 デュアルバックチョッパー npt 1200 v 70 a 3.7V @ 15V 、50a 250 µA はい 3.45 NF @ 25 V
APTGL40H120T1G Microchip Technology aptgl40h120t1g 75.1207
RFQ
 ECAD 3800 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP1 aptgl40 220 W 標準 SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 フルブリッジ トレンチフィールドストップ 1200 v 65 a 2.25V @ 15V、35a 250 µA はい 1.95 nf @ 25 v
APTGL90A120T1G Microchip Technology aptgl90a120t1g 72.0600
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して SP1 aptgl90 385 W 標準 SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 ハーフブリッジ トレンチフィールドストップ 1200 v 110 a 2.25V @ 15V、75a 250 µA はい 4.4 nf @ 25 v
APTGL90DA120T1G Microchip Technology aptgl90da120t1g 53.1400
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP1 aptgl90 385 W 標準 SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル トレンチフィールドストップ 1200 v 110 a 2.25V @ 15V、75a 250 µA はい 4.4 nf @ 25 v
APTGL90DDA120T3G Microchip Technology aptgl90dda120t3g 84.9500
RFQ
 ECAD 7432 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP3 aptgl90 385 W 標準 SP3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 デュアルブーストチョッパー トレンチフィールドストップ 1200 v 110 a 2.25V @ 15V、75a 250 µA はい 4.4 nf @ 25 v
APTGL90DSK120T3G Microchip Technology aptgl90dsk120t3g 84.9500
RFQ
 ECAD 1136 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP3 aptgl90 385 W 標準 SP3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 デュアルバックチョッパー トレンチフィールドストップ 1200 v 110 a 2.25V @ 15V、75a 250 µA はい 4.4 nf @ 25 v
APTGT150A60T3AG Microchip Technology APTGT150A60T3AG 105.0300
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP3 aptgt150 600 W 標準 SP3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 ハーフブリッジ トレンチフィールドストップ 600 V 225 a 1.9V @ 15V 、150a 250 µA はい 9.2 nf @ 25 v
APTGT30TL601G Microchip Technology aptgt30tl601g 56.5400
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP1 aptgt30 90 w 標準 SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 3つのレベルインバーター トレンチフィールドストップ 600 V 50 a 1.9V @ 15V 、30a 250 µA いいえ 1.6 nf @ 25 v
2N3439L Microchip Technology 2N3439L -
RFQ
 ECAD 6979 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク sicで中止されました -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 800 MW to-5 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 350 V 1 a 2µA npn 500MV @ 4MA 、50MA 40 @ 20MA 、10V -
APT100MC120JCU2 Microchip Technology APT100MC120JCU2 -
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック APT100 sicfet （炭化シリコン） SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 1200 v 143a（tc） 20V 17mohm @ 100a 、20V 2.3V @ 2MA 360 NC @ 20 V +25V、-10V 5960 PF @ 1000 V - 600W
APTMC120AM16CD3AG Microchip Technology APTMC120AM16CD3AG -
RFQ
 ECAD 2840 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント D-3モジュール APTMC120 炭化シリコン（原文） 625W D3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 1200V（1.2kv） 131a（tc） 20mohm @ 100a 、20V 2.2V @ 5MA（タイプ） 246NC @ 20V 4750pf @ 1000V -
2N7002-G Microchip Technology 2N7002-G 0.6400
RFQ
 ECAD 866 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 2N7002 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 115MA （TJ） 5V、10V 7.5OHM @ 500MA 、10V 2.5V @ 250µA ±30V 50 pf @ 25 V - 360MW
DN1509N8-G Microchip Technology DN1509N8-G 0.9500
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-243AA DN1509N8 モスフェット（金属酸化物） TO-243AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 90 v 360ma 0V 6OHM @ 200MA 、0V - ±20V 150 PF @ 25 V 枯渇モード 1.6W
DN2530N8-G Microchip Technology DN2530N8-G 0.8800
RFQ
 ECAD 3905 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-243AA DN2530 モスフェット（金属酸化物） TO-243AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 300 V 200MA （TJ） 0V 12ohm @ 150ma 、0V - ±20V 300 pf @ 25 V 枯渇モード 1.6W
DN2540N3-G-P003 Microchip Technology DN2540N3-G-P003 1.0200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 DN2540 モスフェット（金属酸化物） to-92（to-226） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 400 V 120ma 0V 25OHM @ 120MA 、0V - ±20V 300 pf @ 25 V 枯渇モード 1W （TC）
DN2625K4-G Microchip Technology DN2625K4-G 1.6300
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 DN2625 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 250 v 1.1a（tj） 0V 3.5OHM @ 1A 、0V - 7.04 NC @ 1.5 v ±20V 1000 pf @ 25 v 枯渇モード -
DN3135K1-G Microchip Technology DN3135K1-G 0.6900
RFQ
 ECAD 8445 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 DN3135 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 350 V 72ma 0V 35OHM @ 150MA 、0V - ±20V 120 PF @ 25 V 枯渇モード 360MW
GN2470K4-G Microchip Technology GN2470K4-G 1.3300
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 GN2470 標準 2.5 W TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 - - 700 V 1 a 3.5 a 5V @ 13V、3a - 8ns/20ns
LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150N3-G-P014 0.6800
RFQ
 ECAD 6783 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - カットテープ（CT） アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 LND150 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 500 V 30MA （TJ） 0V 1000OHM @ 500µA 、0V - ±20V 10 pf @ 25 V 枯渇モード 740MW
LND150N8-G Microchip Technology LND150N8-G 0.7900
RFQ
 ECAD 4221 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-243AA LND150 モスフェット（金属酸化物） SOT-89-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 30MA （TJ） 0V 1000OHM @ 500µA 、0V - ±20V 10 pf @ 25 V 枯渇モード 1.6W
TC6320K6-G Microchip Technology TC6320K6-G 1.7300
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド TC6320 モスフェット（金属酸化物） - 8-dfn （4x4） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,300 nおよびpチャネル 200V - 7OHM @ 1A 、10V 2V @ 1MA - 110pf @ 25V -
TC7920K6-G Microchip Technology TC7920K6-G 1.8800
RFQ
 ECAD 4836 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 12-VFDFN露出パッド TC7920 モスフェット（金属酸化物） - 12-dfn （4x4） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,300 2nおよび2pチャネル 200V - 10ohm @ 1a 、10V 2.4V @ 1MA - 52pf @ 25V -
TC8020K6-G-M937 Microchip Technology TC8020K6-G-M937 8.4000
RFQ
 ECAD 5476 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 56-VFQFN露出パッド TC8020 モスフェット（金属酸化物） - 56-QFN （8x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 6nおよび6pチャネル 200V - 8ohm @ 1a 、10V 2.4V @ 1MA - 50pf @ 25V -
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    毎日の平均RFQボリューム

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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