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トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
BC54-10PASX NXP Semiconductors BC54-10PASX 0.0600
RFQ
 ECAD 146 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-udfn露出パッド 420 MW DFN2020D-3 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 45 v 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 180MHz
BC51-16PA,115 NXP Semiconductors BC51-16PA 、115 1.0000
RFQ
 ECAD 2956 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn BC51 420 MW 3-HUSON （2x2） ダウンロード 0000.00.0000 1 45 v 1 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 145MHz
BC69-16PA,115 NXP Semiconductors BC69-16PA 、115 1.0000
RFQ
 ECAD 8221 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn BC69 420 MW 3-HUSON （2x2） ダウンロード 0000.00.0000 1 20 v 2 a 100na（icbo） PNP 600mv @ 200ma 、2a 100 @ 500MA、1V 140MHz
PDTB143EU115 NXP Semiconductors PDTB143EU115 0.0400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
PUMB19,115 NXP Semiconductors Pumb19,115 1.0000
RFQ
 ECAD 7660 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 Pumb19 300MW 6-tssop ダウンロード 0000.00.0000 1 50V 100mA 1µA 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 150mv @ 500µa 、10ma 100 @ 1MA 、5V - 22kohms -
PEMH13,315 NXP Semiconductors PEMH13,315 1.0000
RFQ
 ECAD 4656 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 PEMH13 300MW SOT-666 ダウンロード 0000.00.0000 1 50V 100mA 1µA 2 npn- バイアス（デュアル） 100MV @ 250µA、5MA 100 @ 10ma 、5v - 4.7kohms 47kohms
PDTA123YM,315 NXP Semiconductors PDTA123ym 、315 -
RFQ
 ECAD 5284 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 PDTA123 250 MW DFN1006-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150mv @ 500µa 、10ma 35 @ 5MA 、5V 2.2 KOHMS 10 Kohms
PMCXB900UEZ NXP Semiconductors PMCXB900UEZ 0.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 trenchfet® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-XFDFN露出パッド PMCXB900 モスフェット（金属酸化物） 265MW DFN1010B-6 ダウンロード ear99 8541.21.0095 3,557 nおよびpチャネルの相補的 20V 600MA 、500mA 620MOHM @ 600MA 、4.5V 950MV @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 21.3pf @ 10V ロジックレベルゲート
BC869-16115 NXP Semiconductors BC869-16115 0.1100
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.29.0075 1
2PD601ASL,235 NXP Semiconductors 2PD601ASL 、235 -
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2PD601 250 MW TO-236AB ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 Ma 10na （icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 290 @ 2MA 、10V 100MHz
BUK7M21-40E,115 NXP Semiconductors buk7m21-40e、115 1.0000
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ - 0000.00.0000 1
BCP51-10,135 NXP Semiconductors BCP51-10,135 -
RFQ
 ECAD 5939 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA BCP51 1 W SOT-223 ダウンロード 0000.00.0000 1 45 v 1 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 145MHz
PMBT4401/S911,215 NXP Semiconductors PMBT4401/S911,215 0.0200
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
BC51PASX NXP Semiconductors BC51PASX 0.0600
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-udfn露出パッド 420 MW DFN2020D-3 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 45 v 1 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 145MHz
PBSS5330PASX NXP Semiconductors PBSS5330PASX -
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 3-udfn露出パッド 600 MW DFN2020D-3 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 30 V 3 a 100NA PNP 320MV @ 300MA、3a 175 @ 1a 、2V 165MHz
PMV50ENEA215 NXP Semiconductors PMV50EENEA215 -
RFQ
 ECAD 4345 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PMV50 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1
PMCM6501VPEZ NXP Semiconductors PMCM6501VPEZ 0.2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP モスフェット（金属酸化物） 6-wlcsp（1.48x0.98） ダウンロード ear99 8541.29.0095 1,528 pチャネル 12 v 6.2a（ta） 1.8V 、4.5V 25mohm @ 3a 、4.5V 900MV @ 250µA 29.4 NC @ 4.5 v ±8V 1400 pf @ 6 v - 556MW
PDTC144WM,315 NXP Semiconductors PDTC144WM 、315 0.0300
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 PDTC144 250 MW DFN1006-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 15,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 60 @ 5MA 、5V 47 Kohms 22 Kohms
PHPT60610PYX NXP Semiconductors PHPT60610pyx -
RFQ
 ECAD 8194 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント SC-100 、SOT-669 1.5 w LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 60 V 10 a 100NA PNP 470mv @ 1a 、10a 120 @ 500MA 、2V 85MHz
PBSS4260QAZ NXP Semiconductors PBSS4260QAZ 0.0800
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 3,904
PBSS5160PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5160PAP 、115 -
RFQ
 ECAD 7374 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-ufdfn露出パッド PBSS5160 510MW 6-HUSON （2x2） ダウンロード 0000.00.0000 1 60V 1a 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 340MV @ 100MA、1a 120 @ 500MA 、2V 125MHz
PBLS6005D,115 NXP Semiconductors PBLS6005D 、115 -
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 PBLS6005 600MW 6-tsop ダウンロード 0000.00.0000 1 50V 、60V 100MA 、700mA 1µA 、100NA 1 NPN 事前にバイアス、 1 PNP 150MV @ 500µA、 10MA / 340MV @ 100MA、1A 80 @ 5MA 、5V / 150 @ 500MA 、5V 185MHz 47kohms 47kohms
BC857CMB,315 NXP Semiconductors BC857CMB 、315 0.0200
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-xfdfn BC857 250 MW DFN1006B-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC857CMB、315-954 ear99 8541.21.0075 1 45 v 100 Ma 15NA PNP 300MV @ 500µA 、10mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
PHP23NQ11T,127 NXP Semiconductors php23nq11t 、127 0.6600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PHP23NQ11T、127-954 496 nチャネル 110 v 23a（tc） 10V 70mohm @ 13a 、10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 830 PF @ 25 V - 100W （TC）
BUK7620-100A,118 NXP Semiconductors BUK7620-100A 、118 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK7620-100A 、118-954 ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 100 V 63a（tc） 10V 20mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±20V 4373 PF @ 25 V - 200W （TC）
PBSS4032PD,115 NXP Semiconductors PBSS4032PD 、115 0.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 1 W 6-tsop ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4032PD 、115-954 2,031 30 V 2.7 a 100NA PNP 395MV @ 300MA、3a 200 @ 1a 、2V 104MHz
MRF085HR5178 NXP Semiconductors MRF085HR5178 146.7100
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-MRF085HR5178-954 1
BC807-25,235 NXP Semiconductors BC807-25,235 0.0200
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC807-25,235-954 1 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 80MHz
BUK6E3R2-55C,127 NXP Semiconductors buk6e3r2-55c、127 0.9700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK6E3R2-55C、 127-954 1 nチャネル 55 v 120a（tc） 10V 3.2mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 258 NC @ 10 V ±16V 15300 PF @ 25 V - 306W
BC859BW,115 NXP Semiconductors BC859BW 、115 -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BC859BW、115-954 1 30 V 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 220 @ 2MA 、5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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