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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C
HGT1S20N36G3VLS Fairchild Semiconductor HGT1S20N36G3VLS 1.8700
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 論理 150 W TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 300V 、10A 、25OHM 、5V - 415 v 37.7 a 1.9V @ 5V 、20a - 28.7 NC - /15µs
HGT1S7N60A4DS9A Fairchild Semiconductor HGT1S7N60A4DS9A -
RFQ
 ECAD 9272 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 標準 125 w TO-263AB ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 390V 、7a、25OHM、15V 34 ns - 600 V 34 a 56 a 2.7V @ 15V 、7a 120µj（オン）、60µj （オフ） 60 NC 11ns/100ns
SSI7N60BTU Fairchild Semiconductor SSI7N60BTU 0.3900
RFQ
 ECAD 964 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 7a（tc） 10V 1.2OHM @ 3.5A 、10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 v - 3.13W
SSP2N60A Fairchild Semiconductor SSP2N60A 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 807 nチャネル 600 V 2a（tc） 10V 5OHM @ 1A 、10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±30V 410 pf @ 25 v - 54W
SSW2N60BTM Fairchild Semiconductor SSW2N60BTM 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 2a（tc） 10V 5OHM @ 1A 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、54W（TC）
HUF76143S3ST Fairchild Semiconductor HUF76143S3ST 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 5.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 114 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 225W
HUF76139S3ST Fairchild Semiconductor HUF76139S3ST 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 7.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 25 V - 165W
HUF76121P3 Fairchild Semiconductor HUF76121p3 0.4000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 47a（tc） 4.5V 、10V 21mohm @ 47a 、10v 3V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 850 PF @ 25 V - 75W
HUF76132S3ST Fairchild Semiconductor HUF76132S3ST 0.9800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 11mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 52 NC @ 10 V ±20V 1650 PF @ 25 V - 120W （TC）
ISL9N306AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N306AS3ST 0.3700
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 6mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 15 V - 125W （TA
ISL9N310AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N310AD3 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK モスフェット（金属酸化物） TO-251 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 35a（tc） 4.5V 、10V 10ohm @ 35a 、10a 3V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 15 V - 70W
ISL9N308AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N308AS3ST 0.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 8ohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 15 V - 100W （TC）
ISL9N310AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N310AP3 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 62a（tc） 4.5V 、10V 10ohm @ 62a 、10a 3V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 15 V - 70W
ISL9N322AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N322AS3ST 1.0300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 35a（tc） 4.5V 、10V 22mohm @ 35a 、10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 970 PF @ 15 V - 50W
ISL9N312AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3 0.2900
RFQ
 ECAD 211 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 50a（tc） 4.5V 、10V 12mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1450 PF @ 15 V - 75W
ISL9N312AD3ST_NL Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3ST_NL -
RFQ
 ECAD 9363 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 184 nチャネル 30 V 50a（tc） 4.5V 、10V 12mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1450 PF @ 15 V - 75W
ISL9N312AD3_NL Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3_NL -
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 340 nチャネル 30 V 50a（tc） 4.5V 、10V 12mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1450 PF @ 15 V - 75W
ISL9N310AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N310AS3ST 0.3300
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 62a（tc） 4.5V 、10V 10ohm @ 62a 、10a 3V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 15 V - 70W
HUF75545S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75545S3ST_NL -
RFQ
 ECAD 9240 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 80 v 75a（tc） 10V 10mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 235 NC @ 20 V ±20V 3750 PF @ 25 V - 270W
HUF76105SK8T Fairchild Semiconductor HUF76105SK8T 0.3300
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 5.5a（ta） 4.5V 、10V 50mohm @ 5.5a 、10V 3V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 325 PF @ 25 V - 2.5W
HUF75631SK8 Fairchild Semiconductor HUF75631SK8 0.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 5.5a（ta） 10V 39mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 250µA 79 NC @ 20 V ±20V 1225 PF @ 25 V - 2.5W
HUF76413D3 Fairchild Semiconductor HUF76413D3 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 49mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±16V 645 PF @ 25 V - 60W （TC）
HUF76409D3 Fairchild Semiconductor HUF76409D3 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 18a（tc） 4.5V 、10V 63mohm @ 18a 、10V 3V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±16V 485 PF @ 25 V - 49W （TC）
HUF76143S3 Fairchild Semiconductor HUF76143S3 0.7500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1
HUF76409D3ST Fairchild Semiconductor huf76409d3st -
RFQ
 ECAD 8446 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 18a（tc） 4.5V 、10V 63mohm @ 18a 、10V 3V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±16V 485 PF @ 25 V - 49W （TC）
HUF76139S3STK Fairchild Semiconductor HUF76139S3STK 0.5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 7.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 25 V - 165W
HUF76113SK8 Fairchild Semiconductor HUF76113SK8 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-VFSOP （0.091 "、幅2.30mm） モスフェット（金属酸化物） US8 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 6.5a（ta） 4.5V 、10V 30mohm @ 6.5a 、10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±20V 585 PF @ 25 V - 2.5W
HUF76129D3S Fairchild Semiconductor HUF76129D3S 0.5400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 20a（tc） 4.5V 、10V 16mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1425 PF @ 25 V - 105W
HUF76129D3ST Fairchild Semiconductor huf76129d3st 0.5200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 20a（tc） 4.5V 、10V 16mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1425 PF @ 25 V - 105W
HUF76139P3 Fairchild Semiconductor HUF76139p3 0.9500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 7.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 25 V - 165W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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