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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
TPCA8028-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8028-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv-h カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8028 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 50a（ta） 4.5V 、10V 2.8mohm @ 25a 、10V 2.3V @ 1MA 88 NC @ 10 V ±20V 7800 PF @ 10 V - 1.6W
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-y （q） -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-251-3 2SA1244 1 W pw-mold - 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 200 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400MV @ 150MA、3a 120 @ 1a、1V 60MHz
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 500 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SC5439(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5439 -
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5439 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 450 v 8 a 100µa（icbo） npn 1V @ 640MA 、3.2a 14 @ 1a 、5V -
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2406 25 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 80 v 4 a 30µa（icbo） npn 1.5V @ 300MA、3a 120 @ 500MA 、5V 8MHz
2SK3309(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309 -
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3309 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 450 v 10a（ta） 10V 650mohm @ 5a 、10V 5V @ 1MA 23 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 10 V - 65W
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii トレイ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK20J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 190mohm @ 10a 、10V 5V @ 1MA 27 NC @ 10 V ±30V 1470 PF @ 10 V - 190W
TK70D06J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK70D06J1 -
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK70 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 70a（ta） 4.5V 、10V 6.4mohm @ 35a 、10V 2.3V @ 1MA 87 NC @ 10 V ±20V 5450 PF @ 10 V - 45W
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107 -
RFQ
 ECAD 1647 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6107 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.5a（ta） 2V 、4.5V 55mohm @ 2.2a 、4.5V 1.2V @ 200µA 9.8 NC @ 5 V ±12V 680 PF @ 10 V - 700MW
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901 -
RFQ
 ECAD 6955 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6901 400MW vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 1a 、700ma 100na（icbo） NPN、PNP 170MV @ 6MA、300MA / 230MV @ 10MA、300MA 400 @ 100MA 、2V / 200 @ 100MA 、2V -
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H （TE12LQM） -
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8031 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（ta） 13.3mohm @ 5.5a 、10V 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V 2150 PF @ 10 V - -
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208 （TE12L -
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8208 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 5a 50mohm @ 2.5a 、4V 1.2V @ 200µA 9.5NC @ 5V 780pf @ 10V ロジックレベルゲート
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8003-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8003 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 35a（ta） 4.5V 、10V 6.6mohm @ 18a 、10V 2.3V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 10 V - 1.6W
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6650 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8010 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 200 v 5.5a（ta） 10V 450mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 10 V - 1.6W
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8023-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8023 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 21a（ta） 4.5V 、10V 12.9mohm @ 11a 、10v 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V ±20V 2150 PF @ 10 V - 1.6W
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8105 -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8105 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 6a（ta） 1.8V 、4.5V 33mohm @ 3a 、4.5V 1.2V @ 200µA 18 NC @ 5 V ±8V 1600 pf @ 10 v - 1.6W
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8304 （TE85L -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8304 モスフェット（金属酸化物） 330MW vs-8（2.9x1.5 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 3.2a 72mohm @ 1.6a、10V 1.2V @ 1MA 14NC @ 10V 600pf @ 10V ロジックレベルゲート
TPCP8001-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8001-H （TE85LFM -
RFQ
 ECAD 4459 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8001 モスフェット（金属酸化物） PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 7.2a（ta） 4.5V 、10V 16mohm @ 3.6a 、10V 2.3V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±20V 640 PF @ 10 V - 1W （TA）、30W（TC）
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8203 -
RFQ
 ECAD 5326 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8203 モスフェット（金属酸化物） 360MW PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 40V 4.7a - 2.5V @ 1MA - - -
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J114 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.5V 、4V 149mohm @ 600ma 、4V 1V @ 1MA 7.7 NC @ 4 V ±8V 331 PF @ 10 V - 500MW
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU 、LF -
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J120 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4V 38mohm @ 3a 、4V 1V @ 1MA 22.3 NC @ 4 V ±8V 1484 PF @ 10 V - 500MW
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K315T （TE85L -
RFQ
 ECAD 5970 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K315 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a（ta） 4.5V 、10V 27.6mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 1MA 10.1 NC @ 10 V ±20V 450 PF @ 15 V - 700MW
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3k316t -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K316 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 4a（ta） 1.8V 、10V 53mohm @ 3a、10V 1V @ 1MA 4.3 NC @ 4 V ±12V 270 pf @ 10 v - 700MW
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J409TU -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J409 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 9.5a（ta） 1.5V 、4.5V 22.1mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 15 NC @ 4.5 v ±8V 1100 PF @ 10 V - 1W
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j53fe -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J53 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.5V 、2.5V 136mohm @ 1a 、2.5V 1V @ 1MA 10.6 NC @ 4 V ±8V 568 PF @ 10 V - 500MW
SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE 、LF 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6K211 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nチャネル 20 v 3.2a（ta） 1.5V 、4.5V 47mohm @ 2a 、4.5V 1V @ 1MA 10.8 NC @ 4.5 v ±10V 510 pf @ 10 v - 500MW
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6p15fe 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6P15 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 100mA 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V ロジックレベルゲート
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6p35fe 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6p35 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 100mA 8OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA - 12.2pf @ 3V ロジックレベルゲート
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU -
RFQ
 ECAD 3812 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N7002 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 200mA 2.1OHM @ 500MA 、10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V ロジックレベルゲート
2SK2995(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2995 -
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK2995 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 30a（ta） 10V 68mohm @ 15a 、10V 3.5V @ 1MA 132 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 10 V - 90W
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