画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N4860JTXV02 | - | ![]() | 2023 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N4860 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
![]() | 2N4861JTXL02 | - | ![]() | 1981年年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N4861 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
![]() | 2N4861JTXV02 | - | ![]() | 1214 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N4861 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
![]() | 2N5114JAN02 | - | ![]() | 1721 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5114 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
![]() | 2N5114JTX02 | - | ![]() | 3462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5114 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
![]() | 2N5114JTXV02 | - | ![]() | 9281 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5114 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
![]() | 2N5115 | - | ![]() | 4657 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5115 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 200 | - | - | ||||||||||||||
![]() | 2N5115JTVL02 | - | ![]() | 4741 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5115 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
![]() | 2N5116JAN02 | - | ![]() | 1064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5116 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
![]() | 2N5116JTVL02 | - | ![]() | 1489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5116 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
![]() | 2N5116JTXL02 | - | ![]() | 4372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5116 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
![]() | 2N6661-E3 | - | ![]() | 5595 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N6661 | モスフェット(金属酸化物) | to-39 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | nチャネル | 90 v | 860ma | 5V、10V | 4ohm @ 1a 、10V | 2V @ 1MA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW | |||||
![]() | 2N6661JAN02 | - | ![]() | 3321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N6661 | モスフェット(金属酸化物) | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 20 | nチャネル | 90 v | 860ma | 5V、10V | 4ohm @ 1a 、10V | 2V @ 1MA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW | |||||
![]() | 2N6661JTXL02 | - | ![]() | 8572 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N6661 | モスフェット(金属酸化物) | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 20 | nチャネル | 90 v | 860ma | 5V、10V | 4ohm @ 1a 、10V | 2V @ 1MA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW | |||||
3N163-E3 | - | ![]() | 5647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-206af、to-72-4金属缶 | 3N163 | モスフェット(金属酸化物) | to-72 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 200 | pチャネル | 40 v | 50ma(ta) | 20V | 250OHM @ 100µA 、20V | 5V @ 10µA | ±30V | 3.5 PF @ 15 V | - | 375MW | ||||||
3N164 | - | ![]() | 4665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-206af、to-72-4金属缶 | - | モスフェット(金属酸化物) | to-72 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 200 | pチャネル | 30 V | 50ma(ta) | 20V | 300OHM @ 100µA 、20V | 5V @ 10µA | ±30V | 3.5 PF @ 15 V | - | 375MW | ||||||
![]() | SI4403CDY-T1-GE3 | 0.7900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4403 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 20 v | 13.4a | 1.8V 、4.5V | 15.5mohm @ 9a 、4.5V | 1V @ 250µA | 90 NC @ 8 V | ±8V | 2380 PF @ 10 V | - | 5W (TC) | |||||
![]() | sud50p10-43l-ge3 | 2.6500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | sud50 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | pチャネル | 100 V | 37.1a | 4.5V 、10V | 43mohm @ 9.2a 、10V | 3V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 4600 PF @ 50 V | - | 8.3W | |||||
![]() | SI8851EDB-T2-E1 | 0.6200 | ![]() | 7006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 30-XFBGA | SI8851 | モスフェット(金属酸化物) | PowerMicrofoot®(2.4x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 7.7a(ta) | 1.8V 、4.5V | 8mohm @ 7a 、4.5V | 1V @ 250µA | 180 NC @ 8 V | ±8V | 6900 PF @ 10 V | - | 660MW | ||||
![]() | SISA16DN-T1-GE3 | 0.1995 | ![]() | 6070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SISA16 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 16a(ta) | 6.8mohm @ 15a 、10V | 2.3V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | 2060 PF @ 15 V | - | - | |||||||
SUP90N06-6M0P-E3 | 3.1400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | sup90 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 90a | 10V | 6mohm @ 20a 、10V | 4.5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 4700 PF @ 30 V | - | 3.75W | ||||||
![]() | SI8457DB-T1-E1 | 0.6000 | ![]() | 8268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-ufbga | SI8457 | モスフェット(金属酸化物) | 4-MICROFOOT®(1.6x1.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 6.5a(ta) | 1.8V 、4.5V | 19mohm @ 3a 、4.5v | 900MV @ 250µA | 93 NC @ 8 V | ±8V | 2900 PF @ 6 V | - | 1.1W | ||||
![]() | SIHG25N50E-GE3 | 3.8600 | ![]() | 4359 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | SIHG25 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | nチャネル | 500 V | 26a(tc) | 10V | 145mohm @ 12a 、10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±30V | 1980 pf @ 100 V | - | 250W | |||||
![]() | SIHP25N50E-GE3 | 3.2100 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | SIHP25 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2266-SIHP25N50E-GE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 500 V | 26a(tc) | 10V | 145mohm @ 12a 、10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±30V | 1980 pf @ 100 V | - | 250W | ||||
![]() | SIHA22N60E-E3 | 3.9000 | ![]() | 4436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | SIHA22 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 21a(tc) | 10V | 180mohm @ 11a 、10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±30V | 1920 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | |||||
![]() | SQ4284EY-T1_GE3 | 1.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SQ4284 | モスフェット(金属酸化物) | 3.9W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 40V | - | 13.5mohm @ 7a、10V | 2.5V @ 250µA | 45NC @ 10V | 2200pf @ 25V | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | SIHB22N65E-GE3 | 2.5431 | ![]() | 5246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | SIHB22 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 650 V | 22a(tc) | 10V | 180mohm @ 11a 、10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±30V | 2415 PF @ 100 V | - | 227W | |||||
![]() | SIHB6N65E-GE3 | 1.9200 | ![]() | 7900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | SIHB6 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 650 V | 7a(tc) | 10V | 600mohm @ 3a 、10V | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 820 PF @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||
![]() | SI3993CDV-T1-GE3 | 0.5100 | ![]() | 9869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3993 | モスフェット(金属酸化物) | 1.4W | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 2.9a | 111mohm @ 2.5a 、10V | 2.2V @ 250µA | 8NC @ 10V | 210pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SIR172ADP-T1-GE3 | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR172 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 24a(tc) | 4.5V 、10V | 8.5mohm @ 10a 、10V | 2.4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±20V | 1515 PF @ 15 V | - | 29.8W |
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