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トランジスタ（5716）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3456BDV-T1-E3 | - |  | 1200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3456 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 4.5a（ta） | 4.5V 、10V | 35mohm @ 6a 、10V | 3V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.1W | ||||
| SI3458DV-T1-E3 | - | | 7395 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3458 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 3.2a（ta） | 4.5V 、10V | 100mohm @ 3.2a 、10V | 1V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | - | 2W （TA） | ||||
| SI3460BDV-T1-E3 | 0.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3460 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 8a（tc） | 1.8V 、4.5V | 27mohm @ 5.1a 、4.5V | 1V @ 250µA | 24 NC @ 8 V | ±8V | 860 PF @ 10 V | - | 2W （TA）、3.5W （TC） | ||||
| SI3473DV-T1-E3 | - | | 1770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3473 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 5.9a（ta） | 1.8V 、4.5V | 23mohm @ 7.9a 、4.5V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.1W | ||||
| SI3483DV-T1-E3 | - | | 2604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3483 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 4.7a（ta） | 4.5V 、10V | 35mohm @ 6.2a 、10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.14W | ||||
| SI3586DV-T1-E3 | - | | 8818 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3586 | モスフェット（金属酸化物） | 830MW | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 20V | 2.9a 、2.1a | 60mohm @ 3.4a 、4.5V | 1.1V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI3853DV-T1-E3 | - | | 8860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3853 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 1.6a（ta） | 2.5V 、4.5V | 200mohm @ 1.8a 、4.5V | 500MV @ 250µA | 4 NC @ 4.5 v | ±12V | ショットキーダイオード（分離） | 830MW | ||||
| SI3993DV-T1-E3 | - | | 8921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3993 | モスフェット（金属酸化物） | 830MW | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel （デュアル） | 30V | 1.8a | 133mohm @ 2.2a 、10V | 3V @ 250µA | 5NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
 | SI4398DY-T1-E3 | - | | 8832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4398 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 19a（ta） | 4.5V 、10V | 2.8mohm @ 25a 、10V | 3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 v | ±20V | 5620 PF @ 10 V | - | 1.6W | |||
| SI4403BDY-T1-E3 | - | | 1996年年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4403 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 20 v | 7.3a（ta） | 1.8V 、4.5V | 17mohm @ 9.9a 、4.5V | 1V @ 350µA | 50 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.35W | ||||
| SI4421DY-T1-E3 | 2.1000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4421 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 20 v | 10a（ta） | 1.8V 、4.5V | 8.75mohm @ 14a 、4.5V | 800MV @ 850µA | 125 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.5W | |||||
| SI4427BDY-T1-E3 | 1.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4427 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 9.7a（ta） | 2.5V 、10V | 10.5mohm @ 12.6a 、10V | 1.4V @ 250µA | 70 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.5W | |||||
| SI4430BDY-T1-E3 | 1.8500 | | 889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4430 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 14a（ta） | 4.5V 、10V | 4.5mohm @ 20a 、10V | 3V @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | ±20V | - | 1.6W | |||||
| SI4464DY-T1-E3 | 1.4100 | | 4829 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4464 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 200 v | 1.7a（ta） | 6V 、10V | 240mohm @ 2.2a 、10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W | |||||
| SI4466DY-T1-E3 | - | | 1693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4466 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 9.5a（ta） | 2.5V 、4.5V | 9mohm @ 13.5a 、4.5V | 1.4V @ 250µA | 60 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.5W | ||||
| SI4488DY-T1-E3 | 2.2500 | | 983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4488 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 150 v | 3.5a（ta） | 10V | 50mohm @ 5a 、10V | 2V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.56W | |||||
| SI4804BDY-T1-E3 | - | | 8729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4804 | モスフェット（金属酸化物） | 1.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（デュアル） | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a 、10V | 3V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI4850EY-T1-E3 | 1.7700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4850 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 6a（ta） | 4.5V 、10V | 22mohm @ 6a 、10V | 3V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.7W | |||||
| SI4894BDY-T1-E3 | 1.3200 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4894 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 8.9a（ta） | 4.5V 、10V | 11mohm @ 12a 、10v | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1580 PF @ 15 V | - | 1.4W | ||||
| SI4906DY-T1-E3 | - | | 9113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4906 | モスフェット（金属酸化物） | 3.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（デュアル） | 40V | 6.6a | 39mohm @ 5a、10V | 2.2V @ 250µA | 22NC @ 10V | 625pf @ 20V | - | |||||
| SI4916DY-T1-E3 | - | | 8390 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4916 | モスフェット（金属酸化物） | 3.3W 、3.5W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） | 30V | 10a、10.5a | 18mohm @ 10a 、10v | 3V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
| SI4946BEY-T1-E3 | 1.4800 | | 27 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4946 | モスフェット（金属酸化物） | 3.7W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（デュアル） | 60V | 6.5a | 41mohm @ 5.3a 、10V | 3V @ 250µA | 25NC @ 10V | 840pf @ 30V | ロジックレベルゲート | ||||||
 | SI5404BDC-T1-E3 | 0.4200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5404 | モスフェット（金属酸化物） | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 5.4a（ta） | 2.5V 、4.5V | 28mohm @ 5.4a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.3W | ||||
 | SI5484DU-T1-E3 | - | | 2765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®Chipfet™シングル | SI5484 | モスフェット（金属酸化物） | PowerPak®Chipfet™シングル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 12a（tc） | 2.5V 、4.5V | 16mohm @ 7.6a 、4.5V | 2V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±12V | 1600 pf @ 10 v | - | 3.1W | |||
| SI5903DC-T1-E3 | - | | 3675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5903 | モスフェット（金属酸化物） | 1.1W | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel （デュアル） | 20V | 2.1a | 155mohm @ 2.1a 、4.5V | 600MV @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI5908DC-T1-E3 | 1.3900 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5908 | モスフェット（金属酸化物） | 1.1W | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル（デュアル） | 20V | 4.4a | 40mohm @ 4.4a 、4.5V | 1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
 | SIA950DJ-T1-GE3 | - | | 3492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SC-70-6デュアル | SIA950 | モスフェット（金属酸化物） | 7W | PowerPak®SC-70-6デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル（デュアル） | 190V | 950ma | 3.8OHM @ 360MA 、4.5V | 1.4V @ 250µA | 4.5NC @ 10V | 90pf @ 100V | ロジックレベルゲート | |||||
 | SIE818DF-T1-GE3 | 1.9970 | | 1947年年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 10-Polarpak® | Sie818 | モスフェット（金属酸化物） | 10-Polarpak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 75 v | 60a（tc） | 4.5V 、10V | 9.5mohm @ 16a 、10V | 3V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 3200 PF @ 38 v | - | 5.2W | ||||
 | SIR158DP-T1-GE3 | 1.8900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR158 | モスフェット（金属酸化物） | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 60a（tc） | 4.5V 、10V | 1.8mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ±20V | 4980 PF @ 15 V | - | 5.4W | ||||
| SIR836DP-T1-GE3 | 0.8300 | | 3788 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR836 | モスフェット（金属酸化物） | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 21a（tc） | 4.5V 、10V | 19mohm @ 10a 、10v | 2.5V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±20V | 600 PF @ 20 V | - | 3.9W |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
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