画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI4947ADY-T1-GE3 | - | ![]() | 6959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4947 | モスフェット(金属酸化物) | 1.2W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 3a | 80mohm @ 3.9a 、10V | 1V @ 250µA | 8NC @ 5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SI4948BEY-T1-GE3 | 1.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4948 | モスフェット(金属酸化物) | 1.4W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 60V | 2.4a | 120mohm @ 3.1a 、10V | 3V @ 250µA | 22NC @ 10V | - | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | SI5424DC-T1-GE3 | 0.8600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5424 | モスフェット(金属酸化物) | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 6a(tc) | 4.5V 、10V | 24mohm @ 4.8a 、10V | 2.3V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±25V | 950 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA )、6.25W | ||||
![]() | SI5433BDC-T1-GE3 | - | ![]() | 1923年年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5433 | モスフェット(金属酸化物) | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 4.8a(ta) | 1.8V 、4.5V | 37mohm @ 4.8a 、4.5V | 1V @ 250µA | 22 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.3W | |||||
![]() | SI5440DC-T1-GE3 | - | ![]() | 4577 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5440 | モスフェット(金属酸化物) | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 6a(tc) | 4.5V 、10V | 19mohm @ 9.1a 、10V | 2.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA )、6.3W(TC) | ||||
![]() | SI5456DU-T1-GE3 | - | ![]() | 8269 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®Chipfet™シングル | SI5456 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®Chipfet™シングル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 12a(tc) | 4.5V 、10V | 10mohm @ 9.3a 、10V | 2.5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 10 v | - | 3.1W | ||||
![]() | SI5471DC-T1-GE3 | 0.7500 | ![]() | 1050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5471 | モスフェット(金属酸化物) | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 6a(tc) | 1.8V 、4.5V | 20mohm @ 9.1a 、4.5V | 1.1V @ 250µA | 96 NC @ 10 V | ±12V | 2945 PF @ 10 V | - | 2.5W (TA )、6.3W(TC) | ||||
![]() | SI5513CDC-T1-GE3 | 0.6200 | ![]() | 7886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5513 | モスフェット(金属酸化物) | 3.1W | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 20V | 4a 、3.7a | 55mohm @ 4.4a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.2NC @ 5V | 285pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SI5517DU-T1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®Chipfet™デュアル | SI5517 | モスフェット(金属酸化物) | 8.3W | PowerPak®Chipfetデュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 20V | 6a | 39mohm @ 4.4a 、4.5V | 1V @ 250µA | 16NC @ 8V | 520pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | SI5902BDC-T1-GE3 | 1.3200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5902 | モスフェット(金属酸化物) | 3.12w | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 4a | 65mohm @ 3.1a 、10V | 3V @ 250µA | 7NC @ 10V | 220pf @ 15V | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SI5908DC-T1-GE3 | 1.3900 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5908 | モスフェット(金属酸化物) | 1.1W | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 4.4a | 40mohm @ 4.4a 、4.5V | 1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SI6924AEDQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | SI6924 | モスフェット(金属酸化物) | 1W | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャネル(デュアル)共通ドレイン | 28V | 4.1a | 33mohm @ 4.6a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SI6981DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 2405 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | SI6981 | モスフェット(金属酸化物) | 830MW | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 4.1a | 31mohm @ 4.8a 、4.5V | 900MV @ 300µA | 25NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SI7119DN-T1-GE3 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SI7119 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 200 v | 3.8a(tc) | 6V 、10V | 1.05OHM @ 1A 、10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 666 PF @ 50 V | - | 3.7W (TA )、52W(TC) | |||||
![]() | SI7232DN-T1-GE3 | 0.9100 | ![]() | 8529 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8デュアル | SI7232 | モスフェット(金属酸化物) | 23W | PowerPak®1212-8デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 25a | 16.4mohm @ 10a 、4.5V | 1V @ 250µA | 32NC @ 8V | 1220pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | SI7236DP-T1-GE3 | - | ![]() | 3838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8デュアル | SI7236 | モスフェット(金属酸化物) | 46W | PowerPak®SO-8デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 60a | 5.2mohm @ 20.7a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 105NC @ 10V | 4000pf @ 10V | - | |||||||
![]() | SI7456CDP-T1-GE3 | 1.6700 | ![]() | 3200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7456 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 27.5a | 4.5V 、10V | 23.5mohm @ 10a 、10V | 2.8V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 730 PF @ 50 V | - | 5w(ta )、 35.7w | |||||
![]() | SI7617DN-T1-GE3 | 0.8800 | ![]() | 241 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SI7617 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 35a(tc) | 4.5V 、10V | 12.3mohm @ 13.9a 、10V | 2.5V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±25V | 1800 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA )、52W(TC) | |||||
![]() | SI7635DP-T1-GE3 | - | ![]() | 8467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7635 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 40a(tc) | 4.5V 、10V | 4.9mohm @ 26a 、10V | 2.2V @ 250µA | 143 NC @ 10 V | ±16V | 4595 PF @ 10 V | - | 5W (TA )、54W(TC) | |||||
![]() | SI7772DP-T1-GE3 | 0.8100 | ![]() | 2998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®、Trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7772 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 35.6a(tc) | 4.5V 、10V | 13mohm @ 15a 、10V | 2.5V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±20V | 1084 PF @ 15 V | - | 3.9W (TA )、29.8W(TC) | |||||
![]() | SI7774DP-T1-GE3 | - | ![]() | 9356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®、Trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7774 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 60a(tc) | 4.5V 、10V | 3.8mohm @ 15a 、10V | 2.2V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ±20V | 2630 PF @ 15 V | - | 5W (TA )、48W(TC | ||||
![]() | SI7872DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2380 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8デュアル | SI7872 | モスフェット(金属酸化物) | 1.4W | PowerPak®SO-8デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 7.5a 、10V | 3V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | SI7900AEDN-T1-GE3 | 0.4998 | ![]() | 2939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8デュアル | SI7900 | モスフェット(金属酸化物) | 1.5W | PowerPak®1212-8デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャネル(デュアル)共通ドレイン | 20V | 6a | 26mohm @ 8.5a 、4.5V | 900MV @ 250µA | 16NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | SI7911DN-T1-GE3 | - | ![]() | 5080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8デュアル | SI7911 | モスフェット(金属酸化物) | 1.3W | PowerPak®1212-8デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 4.2a | 51mohm @ 5.7a 、4.5V | 1V @ 250µA | 15NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | IRF510S | - | ![]() | 2862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF510 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF510S | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 100 V | 5.6a(tc) | 10V | 540mohm @ 3.4a 、10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA )、43W(TC) | |||
![]() | IRF530STRR | - | ![]() | 7918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF530 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 100 V | 14a(tc) | 10V | 160mohm @ 8.4a 、10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 670 PF @ 25 V | - | 3.7W(タタ)、 88W (TC) | ||||
![]() | IRF610S | - | ![]() | 7301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF610 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF610S | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 200 v | 3.3a(tc) | 10V | 1.5OHM @ 2A 、10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 140 PF @ 25 V | - | 3W (TA )、36W (TC) | |||
IRF614 | - | ![]() | 5470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRF614 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF614 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 250 v | 2.7a | 10V | 2OHM @ 1.6A 、10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 140 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||
![]() | IRF620S | - | ![]() | 6739 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF620 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF620S | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 200 v | 5.2a(tc) | 10V | 800mohm @ 3.1a 、10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 260 PF @ 25 V | - | 3W (TA)、50W(TC) | |||
![]() | IRF740AS | - | ![]() | 4466 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF740 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF740AS | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 400 V | 10a(tc) | 10V | 550mohm @ 6a 、10V | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±30V | 1030 PF @ 25 V | - | 3.1w |
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