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トランジスタ（5716）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIR436DP-T1-GE3 | - |  | 3112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR436 | モスフェット（金属酸化物） | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 25 v | 40a（tc） | 4.5V 、10V | 4.6mohm @ 20a 、10V | 3V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ±20V | 1715 PF @ 15 V | - | 5W （TA）、50W（TC） | ||||
| SIR494DP-T1-GE3 | 1.1500 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR494 | モスフェット（金属酸化物） | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 12 v | 60a（tc） | 4.5V 、10V | 1.2mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±20V | 6900 PF @ 6 V | - | 6.25W （TA ）、104W（TC） | ||||
 | SIS430DN-T1-GE3 | - | | 2395 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SIS430 | モスフェット（金属酸化物） | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 25 v | 35a（tc） | 4.5V 、10V | 5.1mohm @ 20a 、10v | 2.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1600 pf @ 12.5 v | - | 3.8w | ||||
| SIS436DN-T1-GE3 | - | | 1531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SIS436 | モスフェット（金属酸化物） | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 25 v | 16a（tc） | 4.5V 、10V | 10.5mohm @ 10a 、10V | 2.3V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 855 PF @ 10 V | - | 3.5W （TA ）、27.7W | ||||
| SIS438DN-T1-GE3 | 0.8500 | | 67 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SIS438 | モスフェット（金属酸化物） | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 16a（tc） | 4.5V 、10V | 9.5mohm @ 10a 、10V | 2.3V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 880 PF @ 10 V | - | 3.5W （TA ）、27.7W | ||||
 | SQ4850EY-T1_GE3 | 1.3700 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SQ4850 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 12a（tc） | 4.5V 、10V | 22mohm @ 6a 、5v | 2.5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1250 PF @ 25 V | - | 6.8W | ||||
| SQ9945AEY-T1-E3 | - | | 1369 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SQ9945 | モスフェット（金属酸化物） | 2.4W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（デュアル） | 60V | 3.7a | 80mohm @ 3.7a 、10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | ロジックレベルゲート | |||||
 | SQD40N06-25L-GE3 | - | | 6585 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | SQD40 | モスフェット（金属酸化物） | TO-252AA | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 60 V | 30a（tc） | 10V | 22mohm @ 20a 、10V | 3V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1800 pf @ 25 v | - | - | ||||
 | SQM110P04-04L-GE3 | - | | 4477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | SQM110P | モスフェット（金属酸化物） | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | pチャネル | 40 v | 120a（tc） | 4.5V 、10V | 4mohm @ 30a 、10V | 2.5V @ 250µA | 330 NC @ 10 V | ±20V | 13980 PF @ 20 V | - | 375W | |||
| SQR40N10-25_GE3 | 2.3900 | | 4340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-252-4 | SQR40 | モスフェット（金属酸化物） | to-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 100 V | 40a（tc） | 4.5V 、10V | 25mohm @ 40a 、10V | 2.5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 3380 PF @ 25 V | - | 136W | ||||
| SUD08P06-155L-T4E3 | - | | 1129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | SUD08 | モスフェット（金属酸化物） | TO-252AA | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | pチャネル | 60 V | 8.4a（tc） | 4.5V 、10V | 155mohm @ 5a、10V | 3V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ±20V | 450 pf @ 25 v | - | 1.7W | |||
| SUD17N25-165-E3 | - | | 1751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | sud17 | モスフェット（金属酸化物） | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 250 v | 17a（tc） | 10V | 165mohm @ 14a 、10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 1950 PF @ 25 V | - | 3W （TA ）、 136W （TC） | |||
| SUD23N06-31L-E3 | - | | 7571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | sud23 | モスフェット（金属酸化物） | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 60 V | 23a（tc） | 4.5V 、10V | 31mohm @ 15a 、10V | 3V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 670 PF @ 25 V | - | 3W （TA ）、100W（TC） | ||||
| SI4888DY-T1-E3 | - | | 7098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4888 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 11a（ta） | 4.5V 、10V | 7mohm @ 16a 、10V | 1.6V @ 250µA | 24 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.6W | ||||
| SI4914BDY-T1-E3 | - | | 6821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4914 | モスフェット（金属酸化物） | 2.7W 、3.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） | 30V | 8.4a 、8a | 21mohm @ 8a 、10V | 2.7V @ 250µA | 10.5NC @ 4.5V | - | - | ||||||
| SI4923DY-T1-E3 | - | | 2788 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4923 | モスフェット（金属酸化物） | 1.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel （デュアル） | 30V | 6.2a | 21mohm @ 8.3a 、10V | 3V @ 250µA | 70NC @ 10V | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI4925BDY-T1-GE3 | 1.7000 | | 1623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4925 | モスフェット（金属酸化物） | 1.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel （デュアル） | 30V | 5.3a | 25mohm @ 7.1a 、10V | 3V @ 250µA | 50NC @ 10V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
| SI4936ADY-T1-GE3 | 0.9072 | | 5028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4936 | モスフェット（金属酸化物） | 1.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（デュアル） | 30V | 4.4a | 36mohm @ 5.9a 、10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
| SI4940DY-T1-E3 | - | | 5892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4940 | モスフェット（金属酸化物） | 1.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（デュアル） | 40V | 4.2a | 36mohm @ 5.7a 、10V | 1V @ 250µA | 14NC @ 10V | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI4966DY-T1-E3 | - | | 7920 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4966 | モスフェット（金属酸化物） | 2W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（デュアル） | 20V | - | 25mohm @ 7.1a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 50NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
| SI4966DY-T1-GE3 | - | | 4448 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4966 | モスフェット（金属酸化物） | 2W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（デュアル） | 20V | - | 25mohm @ 7.1a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 50NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
 | SI5401DC-T1-GE3 | - | | 3490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5401 | モスフェット（金属酸化物） | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 5.2a（ta） | 1.8V 、4.5V | 32mohm @ 5.2a 、4.5V | 1V @ 250µA | 25 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.3W | ||||
| SI5441DC-T1-E3 | - | | 4826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5441 | モスフェット（金属酸化物） | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 3.9a（ta） | 2.5V 、4.5V | 55mohm @ 3.9a 、4.5V | 1.4V @ 250µA | 22 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.3W | ||||
| SI5441DC-T1-GE3 | - | | 2909 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5441 | モスフェット（金属酸化物） | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 3.9a（ta） | 2.5V 、4.5V | 55mohm @ 3.9a 、4.5V | 1.4V @ 250µA | 22 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.3W | ||||
| SI5443DC-T1-E3 | - | | 9334 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5443 | モスフェット（金属酸化物） | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 3.6a（ta） | 2.5V 、4.5V | 65mohm @ 3.6a 、4.5V | 600MV @ 250µA | 14 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.3W | ||||
| SI5449DC-T1-E3 | - | | 9765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5449 | モスフェット（金属酸化物） | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 3.1a（ta） | 2.5V 、4.5V | 85mohm @ 3.1a 、4.5V | 600MV @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.3W | ||||
| SI5473DC-T1-GE3 | - | | 9797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5473 | モスフェット（金属酸化物） | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 5.9a（ta） | 1.8V 、4.5V | 27mohm @ 5.9a 、4.5V | 1V @ 250µA | 32 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.3W | ||||
| SI5475BDC-T1-E3 | - | | 8312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5475 | モスフェット（金属酸化物） | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 6a（ta） | 1.8V 、4.5V | 28mohm @ 5.6a 、4.5V | 1V @ 250µA | 40 NC @ 8 V | ±8V | 1400 pf @ 6 v | - | 2.5W （TA ）、6.3W（TC） | |||
 | SI5481DU-T1-GE3 | - | | 9846 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®Chipfet™シングル | SI5481 | モスフェット（金属酸化物） | PowerPak®Chipfet™シングル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 12a（tc） | 1.8V 、4.5V | 22mohm @ 6.5a 、4.5V | 1V @ 250µA | 50 NC @ 8 V | ±8V | 1610 pf @ 10 v | - | 3.1w | |||
| SI5482DU-T1-GE3 | - | | 7907 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®Chipfet™シングル | SI5482 | モスフェット（金属酸化物） | PowerPak®Chipfet™シングル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 12a（tc） | 4.5V 、10V | 15mohm @ 7.4a 、10V | 2V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±12V | 1610 pf @ 15 v | - | 3.1W |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
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