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トランジスタ（5716）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1970DH-T1-E3 | - |  | 7066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1970 | モスフェット（金属酸化物） | 1.25W | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル（デュアル） | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1.2a 、4.5V | 1.6V @ 250µA | 3.8NC @ 10V | 95pf @ 15V | ロジックレベルゲート | |||||
| SI1972DH-T1-E3 | - | | 3650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1972 | モスフェット（金属酸化物） | 1.25W | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル（デュアル） | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1.3a 、10V | 2.8V @ 250µA | 2.8NC @ 10V | 75pf @ 15V | - | |||||
| SI1988DH-T1-E3 | - | | 9762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1988 | モスフェット（金属酸化物） | 1.25W | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル（デュアル） | 20V | 1.3a | 168mohm @ 1.4a 、4.5V | 1V @ 250µA | 4.1NC @ 8V | 110pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||
 | SI2301BDS-T1-E3 | 0.4600 | | 64 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SI2301 | モスフェット（金属酸化物） | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 2.2a（ta） | 2.5V 、4.5V | 100mohm @ 2.8a 、4.5V | 950MV @ 250µA | 10 NC @ 4.5 v | ±8V | 375 PF @ 6 V | - | 700MW | |||
| SI2303BDS-T1-E3 | - | | 1859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SI2303 | モスフェット（金属酸化物） | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 1.49a | 4.5V 、10V | 200mohm @ 1.7a 、10V | 3V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 15 v | - | 700MW | |||
| SI2337DS-T1-E3 | 1.0100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -50°C〜150°C （TJ | 表面マウント | TO-236-3 | SI2337 | モスフェット（金属酸化物） | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 80 v | 2.2a（tc） | 6V 、10V | 270mohm @ 1.2a 、10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 500 PF @ 40 V | - | 760MW | |||
 | SI3433BDV-T1-E3 | - | | 5654 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3433 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 4.3a（ta） | 1.8V 、4.5V | 42mohm @ 5.6a 、4.5V | 850MV @ 250µA | 18 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.1W | ||||
| SI3455ADV-T1-E3 | - | | 8487 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3455 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 2.7a（ta） | 4.5V 、10V | 100mohm @ 3.5a 、10V | 3V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.14W | ||||
| SI3456BDV-T1-E3 | - | | 1200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3456 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 4.5a（ta） | 4.5V 、10V | 35mohm @ 6a 、10V | 3V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.1W | ||||
| SI3458DV-T1-E3 | - | | 7395 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3458 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 3.2a（ta） | 4.5V 、10V | 100mohm @ 3.2a 、10V | 1V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | - | 2W （TA） | ||||
| SI3460BDV-T1-E3 | 0.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3460 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 8a（tc） | 1.8V 、4.5V | 27mohm @ 5.1a 、4.5V | 1V @ 250µA | 24 NC @ 8 V | ±8V | 860 PF @ 10 V | - | 2W （TA）、3.5W （TC） | ||||
| SI3473DV-T1-E3 | - | | 1770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3473 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 5.9a（ta） | 1.8V 、4.5V | 23mohm @ 7.9a 、4.5V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.1W | ||||
| SI3483DV-T1-E3 | - | | 2604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3483 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 4.7a（ta） | 4.5V 、10V | 35mohm @ 6.2a 、10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.14W | ||||
| SI3586DV-T1-E3 | - | | 8818 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3586 | モスフェット（金属酸化物） | 830MW | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 20V | 2.9a 、2.1a | 60mohm @ 3.4a 、4.5V | 1.1V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI3853DV-T1-E3 | - | | 8860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3853 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 1.6a（ta） | 2.5V 、4.5V | 200mohm @ 1.8a 、4.5V | 500MV @ 250µA | 4 NC @ 4.5 v | ±12V | ショットキーダイオード（分離） | 830MW | ||||
| SI3993DV-T1-E3 | - | | 8921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3993 | モスフェット（金属酸化物） | 830MW | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel （デュアル） | 30V | 1.8a | 133mohm @ 2.2a 、10V | 3V @ 250µA | 5NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
 | SI4398DY-T1-E3 | - | | 8832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4398 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 19a（ta） | 4.5V 、10V | 2.8mohm @ 25a 、10V | 3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 v | ±20V | 5620 PF @ 10 V | - | 1.6W | |||
| SI4403BDY-T1-E3 | - | | 1996年年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4403 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 20 v | 7.3a（ta） | 1.8V 、4.5V | 17mohm @ 9.9a 、4.5V | 1V @ 350µA | 50 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.35W | ||||
| SI4421DY-T1-E3 | 2.1000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4421 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 20 v | 10a（ta） | 1.8V 、4.5V | 8.75mohm @ 14a 、4.5V | 800MV @ 850µA | 125 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.5W | |||||
| SI4427BDY-T1-E3 | 1.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4427 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 9.7a（ta） | 2.5V 、10V | 10.5mohm @ 12.6a 、10V | 1.4V @ 250µA | 70 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.5W | |||||
| SI4430BDY-T1-E3 | 1.8500 | | 889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4430 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 14a（ta） | 4.5V 、10V | 4.5mohm @ 20a 、10V | 3V @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | ±20V | - | 1.6W | |||||
| SI4464DY-T1-E3 | 1.4100 | | 4829 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4464 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 200 v | 1.7a（ta） | 6V 、10V | 240mohm @ 2.2a 、10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W | |||||
| SI4466DY-T1-E3 | - | | 1693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4466 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 9.5a（ta） | 2.5V 、4.5V | 9mohm @ 13.5a 、4.5V | 1.4V @ 250µA | 60 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.5W | ||||
| SI4488DY-T1-E3 | 2.2500 | | 983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4488 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 150 v | 3.5a（ta） | 10V | 50mohm @ 5a 、10V | 2V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.56W | |||||
 | SI8409DB-T1-E1 | 1.1100 | | 9174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-XFBGA 、CSPBGA | SI8409 | モスフェット（金属酸化物） | 4-Microfoot | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 4.6a（ta） | 2.5V 、4.5V | 46mohm @ 1a 、4.5V | 1.4V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.47W | ||||
| SI8424DB-T1-E1 | - | | 6622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-XFBGA 、CSPBGA | SI8424 | モスフェット（金属酸化物） | 4-Microfoot | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 8 v | 12.2a（tc） | 1.2V 、4.5V | 31mohm @ 1a 、4.5v | 1V @ 250µA | 33 NC @ 5 V | ±5V | 1950 pf @ 4 v | - | 2.78W （TA ）、6.25W | |||
 | SI8902EDB-T2-E1 | - | | 1454 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-MICROFOOT®CSP | SI8902 | モスフェット（金属酸化物） | 1W | 6-Micro Foot™（2.36x1.56） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャネル（デュアル）共通ドレイン | 20V | 3.9a | - | 1V @ 980µA | - | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI8904EDB-T2-E1 | - | | 7351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-MICROFOOT®CSP | SI8904 | モスフェット（金属酸化物） | 1W | 6-Micro Foot™（2.36x1.56） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャネル（デュアル）共通ドレイン | 30V | 3.8a | - | 1.6V @ 250µA | - | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI9434BDY-T1-E3 | - | | 9597 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI9434 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 20 v | 4.5a（ta） | 2.5V 、4.5V | 40mohm @ 6.3a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 18 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.3W | ||||
| SI9435BDY-T1-E3 | 0.8900 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI9435 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 4.1a（ta） | 4.5V 、10V | 42mohm @ 5.7a 、10V | 3V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.3W |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
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