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トランジスタ（5716）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI9434BDY-T1-E3 | - |  | 9597 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI9434 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 20 v | 4.5a（ta） | 2.5V 、4.5V | 40mohm @ 6.3a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 18 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.3W | ||||
| SI9435BDY-T1-E3 | 0.8900 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI9435 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 4.1a（ta） | 4.5V 、10V | 42mohm @ 5.7a 、10V | 3V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.3W | |||||
| SI9933BDY-T1-E3 | - | | 3154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI9933 | モスフェット（金属酸化物） | 1.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel （デュアル） | 20V | 3.6a | 60mohm @ 4.7a 、4.5V | 1.4V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
 | SIA914DJ-T1-E3 | - | | 5141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SC-70-6デュアル | SIA914 | モスフェット（金属酸化物） | 6.5W | PowerPak®SC-70-6デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル（デュアル） | 20V | 4.5a | 53mohm @ 3.7a 、4.5V | 1V @ 250µA | 11.5NC @ 8V | 400pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||
 | SIE802DF-T1-E3 | 1.8574 | | 5701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 10-Polarpak® | Sie802 | モスフェット（金属酸化物） | 10-Polarpak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 60a（tc） | 4.5V 、10V | 1.9mohm @ 23.6a 、10V | 2.7V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 7000 pf @ 15 V | - | 5.2W | ||||
| SIE812DF-T1-E3 | 1.7317 | | 3235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 10-Polarpak® | Sie812 | モスフェット（金属酸化物） | 10-Polarpak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 60a（tc） | 4.5V 、10V | 2.6mohm @ 25a 、10V | 3V @ 250µA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 8300 PF @ 20 V | - | 5.2W | ||||
 | SIF912EDZ-T1-E3 | - | | 8478 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®2x5 | SIF912 | モスフェット（金属酸化物） | 1.6W | PowerPak®（2x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャネル（デュアル）共通ドレイン | 30V | 7.4a | 19mohm @ 7.4a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 15NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
 | SUM110N04-03P-E3 | - | | 8268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | sum110 | モスフェット（金属酸化物） | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 40 v | 110a（tc） | 10V | 3.1mohm @ 30a 、10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±20V | 6500 PF @ 25 V | - | 3.75w | ||||
| sum40n10-30-e3 | - | | 8392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | sum40 | モスフェット（金属酸化物） | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 100 V | 40a（tc） | 6V 、10V | 30mohm @ 15a 、10V | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 2400 PF @ 25 V | - | 3.75W | |||
| SUM47N10-24L-E3 | - | | 7940 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | sum47 | モスフェット（金属酸化物） | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 100 V | 47a（tc） | 4.5V 、10V | 24mohm @ 40a 、10V | 3V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 2400 PF @ 25 V | - | 3.75W | |||
| SUM75N06-09L-E3 | - | | 4104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | カットテープ（CT） | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | sum75 | モスフェット（金属酸化物） | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 60 V | 90a | 9.3mohm @ 30a 、10V | 3V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | 2400 PF @ 25 V | - | |||||||
 | TN2404K-T1-E3 | 0.9100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | TN2404 | モスフェット（金属酸化物） | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 240 v | 200ma（ta） | 2.5V 、10V | 4OHM @ 300MA 、10V | 2V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ±20V | - | 360MW | ||||
| TP0202K-T1-E3 | - | | 9227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | TP0202 | モスフェット（金属酸化物） | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 385ma（ta） | 4.5V 、10V | 1.4OHM @ 500MA 、10V | 3V @ 250µA | 1 NC @ 10 V | ±20V | 31 PF @ 15 V | - | 350MW | |||
| TP0610K-T1-E3 | 0.5000 | | 830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | TP0610 | モスフェット（金属酸化物） | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 185ma（ta） | 4.5V 、10V | 6OHM @ 500MA 、10V | 3V @ 250µA | 1.7 NC @ 15 V | ±20V | 23 pf @ 25 v | - | 350MW | |||
| 2N7002E-T1-E3 | 0.6400 | | 1582 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 2N7002 | モスフェット（金属酸化物） | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 240ma（ta） | 4.5V 、10V | 3OHM @ 250MA 、10V | 2.5V @ 250µA | 0.6 NC @ 4.5 v | ±20V | 21 pf @ 5 v | - | 350MW | |||
 | SI3911DV-T1-E3 | - | | 5753 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | カットテープ（CT） | 廃止 | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3911 | モスフェット（金属酸化物） | 830MW | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel （デュアル） | 20V | 1.8a | 145mohm @ 2.2a 、4.5V | 450MV @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
| SI4804BDY-T1-E3 | - | | 8729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4804 | モスフェット（金属酸化物） | 1.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（デュアル） | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a 、10V | 3V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI4850EY-T1-E3 | 1.7700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4850 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 6a（ta） | 4.5V 、10V | 22mohm @ 6a 、10V | 3V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.7W | |||||
| SI4894BDY-T1-E3 | 1.3200 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4894 | モスフェット（金属酸化物） | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 8.9a（ta） | 4.5V 、10V | 11mohm @ 12a 、10v | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1580 PF @ 15 V | - | 1.4W | ||||
| SI4906DY-T1-E3 | - | | 9113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4906 | モスフェット（金属酸化物） | 3.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（デュアル） | 40V | 6.6a | 39mohm @ 5a、10V | 2.2V @ 250µA | 22NC @ 10V | 625pf @ 20V | - | |||||
| SI4916DY-T1-E3 | - | | 8390 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4916 | モスフェット（金属酸化物） | 3.3W 、3.5W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） | 30V | 10a、10.5a | 18mohm @ 10a 、10v | 3V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
| SI4946BEY-T1-E3 | 1.4800 | | 27 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | SI4946 | モスフェット（金属酸化物） | 3.7W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル（デュアル） | 60V | 6.5a | 41mohm @ 5.3a 、10V | 3V @ 250µA | 25NC @ 10V | 840pf @ 30V | ロジックレベルゲート | ||||||
 | SI5404BDC-T1-E3 | 0.4200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5404 | モスフェット（金属酸化物） | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 5.4a（ta） | 2.5V 、4.5V | 28mohm @ 5.4a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.3W | ||||
| SI5484DU-T1-E3 | - | | 2765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®Chipfet™シングル | SI5484 | モスフェット（金属酸化物） | PowerPak®Chipfet™シングル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 12a（tc） | 2.5V 、4.5V | 16mohm @ 7.6a 、4.5V | 2V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±12V | 1600 pf @ 10 v | - | 3.1W | |||
| SI5903DC-T1-E3 | - | | 3675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5903 | モスフェット（金属酸化物） | 1.1W | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel （デュアル） | 20V | 2.1a | 155mohm @ 2.1a 、4.5V | 600MV @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI5908DC-T1-E3 | 1.3900 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5908 | モスフェット（金属酸化物） | 1.1W | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル（デュアル） | 20V | 4.4a | 40mohm @ 4.4a 、4.5V | 1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
 | SI5944DU-T1-E3 | - | | 7097 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®Chipfet™デュアル | SI5944 | モスフェット（金属酸化物） | 10W | PowerPak®Chipfetデュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル（デュアル） | 40V | 6a | 112mohm @ 3.3a 、10V | 3V @ 250µA | 6.6NC @ 10V | 210pf @ 20V | ロジックレベルゲート | |||||
 | SI6924AEDQ-T1-E3 | - | | 2812 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | SI6924 | モスフェット（金属酸化物） | 1W | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャネル（デュアル）共通ドレイン | 28V | 4.1a | 33mohm @ 4.6a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI6925ADQ-T1-E3 | - | | 1125 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | SI6925 | モスフェット（金属酸化物） | 800mw | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル（デュアル） | 20V | 3.3a | 45mohm @ 3.9a 、4.5V | 1.8V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||
| SI6928DQ-T1-E3 | - | | 6592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | SI6928 | モスフェット（金属酸化物） | 1W | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル（デュアル） | 30V | 4a | 35mohm @ 4a 、10V | 1V @ 250µA | 14NC @ 5V | - | ロジックレベルゲート |
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