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トランジスタ（195）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
VS-GT75LP120N	-	RFQ	6088	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak	GT75		543 w	標準	int-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ												-	1200 v	150 a	2.35V @ 15V 、75a	5 Ma	いいえ	5.52 NF @ 25 V
FB180SA10	-	RFQ	8744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FB180	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10		nチャネル	100 V	180a（tc）	10V	6.5mohm @ 108a 、10V	4V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W
CPV363M4K	-	RFQ	3068	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV363		36 W	標準	IMS-2	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160	三相インバーター												-	600 V	11 a	2V @ 15V、11a	250 µA	いいえ	740 PF @ 30 V
VS-CPV364M4KPBF	-	RFQ	2726	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV364		63 W	標準	IMS-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160	三相インバーター												-	600 V	24 a	1.8V @ 15V 、24A	250 µA	いいえ	1.6 nf @ 30 v
GA200SA60U	-	RFQ	1337	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-		廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GA200		500 W	標準	SOT-227B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル												-	600 V	200 a	1.9V @ 15V 、100A	1 Ma	いいえ	16.5 nf @ 30 v
50MT060WH	-	RFQ	2289	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-		廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	12-MTPモジュール	50MT060		658 w	標準	12-MTP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ												pt	600 V	114 a	3.2V @ 15V 、100A	400 µA	いいえ	7.1 nf @ 30 v
VS-150MT060WDF-P	-	RFQ	1842年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	12-MTPモジュール	150MT060		543 w	標準	12-MTP PressFit	-		適用できない			ear99	8541.29.0095	105	デュアルバックチョッパー												-	600 V	138 a	2.48V @ 15V 、80a	100 µA	いいえ	14 nf @ 30 v
VS-ETY020P120F	179.8500	RFQ	5155	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ				ETY020					ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	60
VS-GT100DA120UF	41.5000	RFQ	1995年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT100		890 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル												溝	1200 v	187 a	2.55V @ 15V 、100A	100 µA	いいえ	6.15 nf @ 25 v
VS-GT90SA120U	36.8300	RFQ	9471	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック			781 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-GT90SA120U	ear99	8541.29.0095	10	シングル												トレンチフィールドストップ	1200 v	169 a	2.6V @ 15V 、75a	100 µA	いいえ
vs-gt50yf120nt	115.8900	RFQ	108	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール			231 w	標準	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-GT50YF120NT	ear99	8541.29.0095	12	フルブリッジ												トレンチフィールドストップ	1200 v	64 a	2.8V @ 15V 、50a	50 µA	はい
VS-GT90DA120U	38.4000	RFQ	4419	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック			781 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-GT90DA120U	ear99	8541.29.0095	10	シングル												トレンチフィールドストップ	1200 v	169 a	2.6V @ 15V 、75a	100 µA	いいえ
VS-GT300TD60S	209.2825	RFQ	2843	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール			882 w	標準	int-a-pak	ダウンロード			影響を受けていない	112-VS-GT300TD60S	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												トレンチフィールドストップ	600 V	466 a	1.47V @ 15V 、300A	200 µA	いいえ	24.2 nf @ 25 v
VS-GT400TD60S	259.7542	RFQ	4938	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール			1364 w	標準	int-a-pak	ダウンロード			影響を受けていない	112-VS-GT400TD60S	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												トレンチフィールドストップ	600 V	711 a	1.4V @ 15V 、400A	300 µA	いいえ
VS-ENW30S120T	130.3500	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	箱	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-ENW30S120T	ear99	8541.29.0095	100
VS-50MT060TFT	61.7800	RFQ	8553	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	20-MTPモジュール	50MT060		144 w	標準	20-MTP	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-50MT060TFT			1	フルブリッジ												トレンチフィールドストップ	600 V	55 a	2.1V @ 15V 、50a	40 µA	いいえ	3000 pf @ 25 v
VS-GT400LH060N	135.4500	RFQ	9055	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	GT400		1.363 kW	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-GT400LH060N			1	シングルチョッパー												トレンチフィールドストップ	600 V	492 a	2V @ 15V 、400A	20 µA	いいえ
VS-GT50LA65UF	26.8736	RFQ	9487	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT50		163 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-GT50LA65UF			1	シングルチョッパー												トレンチフィールドストップ	650 V	59 a	2.1V @ 15V 、50a	40 µA	いいえ
VS-GT75NA60UF	37.4800	RFQ	5221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT75		231 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-GT75NA60UF			1	シングルチョッパー												トレンチフィールドストップ	600 V	81 a	2.26V @ 15V、70a	100 µA	いいえ
VS-GT90DA60U	36.0300	RFQ	2878	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT90		446 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-GT90DA60U			1	シングル												トレンチフィールドストップ	600 V	146 a	2.15V @ 15V 、100A	100 µA	いいえ
VS-GT200TP065U	2.0900	RFQ	9144	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	GT200		429 w	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-GT200TP065U			1	ハーフブリッジ												トレンチフィールドストップ	650 V	177 a	2.12V @ 15V 、200A	200 µA	いいえ
VS-GT200TS065S	115.8100	RFQ	3012	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	箱	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール			1 kW	標準		-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-GT200TS065S			15	ハーフブリッジインバーター												溝	650 V	476 a		200 µA	いいえ
VS-GT100TS065S	85.9800	RFQ	5207	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	箱	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール			517 w	標準		-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-GT100TS065S			15	ハーフブリッジインバーター												溝	650 V	247 a		100 µA	いいえ
VS-ENU060Y60U	-	RFQ	1403	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します									-	ROHS3準拠			112-VS-ENU060Y60U			1
VS-GA250SA60S	-	RFQ	3119	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4	GA250		961 w	標準	SOT-227	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル												-	600 V	400 a	1.66V @ 15V 、200A	1 Ma	いいえ	16.25 NF @ 30 V
VS-GB90DA60U	-	RFQ	9603	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4	GB90		625 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-GB90DA60UGI	ear99	8541.29.0095	160	シングル												npt	600 V	147 a	2.8V @ 15V 、100A	100 µA	いいえ
VS-CPV363M4FPBF	-	RFQ	1904年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV363			-	IMS-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160	-												-			-		いいえ
VS-FC420SA15	25.6600	RFQ	2260	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FC420	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10		nチャネル	150 v	400a（tc）	10V	2.75mohm @ 200a 、10V	5.4V @ 1MA	250 NC @ 10 V	±20V	13700 PF @ 25 V	-	909W
VS-FC220SA20	-	RFQ	8471	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FC220	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSFC220SA20	ear99	8541.29.0095	160		nチャネル	200 v	220A（TC）	10V	7mohm @ 150a 、10V	5.1V @ 500µA	350 NC @ 10 V	±30V	21000 PF @ 50 V	-	789W （TC）
19MT050XF	-	RFQ	7178	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfet®	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	16-MTPモジュール	19MT050	モスフェット（金属酸化物）	1140w		16-MTP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*19MT050xf	ear99	8541.29.0095	15	4 nチャネル（ハーフブリッジ）		500V	31a		220mohm @ 19a 、10V	6V @ 250µA	160NC @ 10V		7210pf @ 25V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（195）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²