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トランジスタ（195）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
VS-VSHPS1445	-	RFQ	3948	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-VSHPS1445	廃止		160
VS-FC420SA10	23.7600	RFQ	6400	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FC420	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10		nチャネル	100 V	435a（tc）	10V	2.15mohm @ 200a 、10V	3.8V @ 750µA	375 NC @ 10 V	±20V	17300 pf @ 25 v	-	652W
VS-GB100YG120NT	-	RFQ	1943年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	GB100		625 w	標準	econo3 4pack	-					ear99	8541.29.0095	10	フルブリッジ												npt	1200 v	127 a	4V @ 15V、100A	80 µA	はい
VS-GB150YG120NT	-	RFQ	7460	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	GB150		892 w	標準	econo3 4pack	-					ear99	8541.29.0095	10	フルブリッジ												npt	1200 v	182 a	4V @ 15V 、200A	120 µA	はい
VS-CPV363M4KPBF	-	RFQ	3037	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV363		36 W	標準	IMS-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	160													-	600 V	11 a	2.1V @ 15V 、6a	250 µA	いいえ	740 PF @ 30 V
VS-CPV363M4UPBF	-	RFQ	3479	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV363		36 W	標準	IMS-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160													-	600 V	13 a	2.2V @ 15V 、6.8a	250 µA	いいえ	1.1 nf @ 30 v
VS-CPV364M4UPBF	-	RFQ	4578	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV364		63 W	標準	IMS-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160													-	600 V	20 a	2.1V @ 15V 、10a	250 µA	いいえ	2.1 nf @ 30 v
VS-EMF050J60U	-	RFQ	5252	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	emipak2	EMF050		338 w	標準	emipak2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSEMF050J60U	ear99	8541.29.0095	56	3つのレベルインバーター												-	600 V	88 a	2.1V @ 15V 、50a	100 µA	いいえ	9.5 nf @ 30 v
VS-FA40SA50LC	24.7261	RFQ	2509	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FA40	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSFA40SA50LC	ear99	8541.29.0095	160		nチャネル	500 V	40a（tc）	10V	130mohm @ 23a 、10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	543W （TC）
VS-FB180SA10P	-	RFQ	3277	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FB180	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSFB180SA10P	ear99	8541.29.0095	160		nチャネル	100 V	180a（tc）	10V	6.5mohm @ 180a 、10V	4V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W
VS-GA100NA60UP	-	RFQ	8659	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GA100		250 W	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGA100NA60UP	ear99	8541.29.0095	180	シングル												-	600 V	100 a	2.1V @ 15V 、50a	250 µA	いいえ	7.4 nf @ 30 v
VS-GA100TS60SFPBF	-	RFQ	1054	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak	GA100		780 w	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGA100TS60SFPBF	ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ												pt	600 V	220 a	1.28V @ 15V 、100A	1 Ma	いいえ	16.25 NF @ 30 V
VS-GA200SA60UP	-	RFQ	6509	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GA200		500 W	標準	SOT-227	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGA200SA60UP	ear99	8541.29.0095	10	シングル												-	600 V	200 a	1.9V @ 15V 、100A	1 Ma	いいえ	16.5 nf @ 30 v
VS-GA400TD60S	-	RFQ	6642	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	デュアルint-a-pak（3 + 8）	GA400		1563 w	標準	デュアルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGA400TD60S	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												-	600 V	750 a	1.52V @ 15V 、400A	1 Ma	いいえ
VS-GB05XP120KTPBF	-	RFQ	5750	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	12-MTPモジュール	GB05		76 W	標準	MTP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB05XP120KTPBF	ear99	8541.29.0095	105	三相インバーター												-	1200 v	12 a	-	250 µA	はい
VS-GB100DA60UP	-	RFQ	4740	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB100		447 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGB100DA60UP	ear99	8541.29.0095	180	シングル												-	600 V	125 a	2.8V @ 15V 、100A	100 µA	いいえ
VS-GB100LH120N	-	RFQ	2036	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB100		833 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB100LH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	200 a	1.77V @ 15V	1 Ma	いいえ	8.96 NF @ 25 V
VS-GB100TH120U	-	RFQ	4082	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB100		1136 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB100TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												npt	1200 v	200 a	3.6V @ 15V 、100A	5 Ma	いいえ	8.45 nf @ 20 v
VS-GB100TP120N	-	RFQ	2414	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak	GB100		650 W	標準	int-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB100TP120N	ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ												-	1200 v	200 a	2.2V @ 15V 、100A	5 Ma	いいえ	7.43 NF @ 25 V
VS-GB150TS60NPBF	-	RFQ	6749	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GB150		500 W	標準	int-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB150TS60NPBF	ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ												npt	600 V	138 a	3V @ 15V 、150a	200 µA	いいえ
VS-GB15XP120KTPBF	-	RFQ	5764	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	12-MTPモジュール	GB15		187 w	標準	MTP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB15XP120KTPBF	ear99	8541.29.0095	105	三相インバーター												npt	1200 v	30 a	3.66V @ 15V 、30A	250 µA	はい	1.95 nf @ 30 v
VS-GB200TH120U	-	RFQ	9330	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB200		1316 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB200TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												-	1200 v	330 a	3.6V @ 15V 、200A	5 Ma	いいえ	16.9 nf @ 30 v
VS-GB300LH120N	-	RFQ	5475	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB300		1645 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB300LH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	500 a	2V @ 15V	5 Ma	いいえ	21.2 nf @ 25 v
VS-GB600AH120N	-	RFQ	3189	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak （5）	GB600		3125 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB600AH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	910 a	1.9V @ 15V 、600A（タイプ）	5 Ma	いいえ	41 nf @ 25 v
VS-GB70LA60UF	-	RFQ	4224	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB70		447 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGB70LA60UF	ear99	8541.29.0095	180	シングル												npt	600 V	111 a	2.44V @ 15V、70a	100 µA	いいえ
VS-GB75YF120N	-	RFQ	9089	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	GB75		480 w	標準	econo2 4pack	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB75YF120N	ear99	8541.29.0095	12													-	1200 v	100 a	4.5V @ 15V 、100A	250 µA	いいえ
VS-GT100TP60N	79.2400	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	175°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GT100		417 w	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ												溝	600 V	160 a	2.1V @ 15V 、100A	5 Ma	いいえ	7.71 nf @ 30 v
VS-GT140DA60U	68.0600	RFQ	9869	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT140		652 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル												溝	600 V	200 a	2V @ 15V、100A	100 µA	いいえ
VS-GT300YH120N	208.0242	RFQ	1757	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 8）	GT300		1042 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT300YH120N	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												溝	1200 v	341 a	2.17V @ 15V	300 µA	いいえ	36 nf @ 30 v
vs-gt400th120n	-	RFQ	2344	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 8）	GT400		2119 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsgt400th120n	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												溝	1200 v	600 a	2.15V @ 15V 、400A	5 Ma	いいえ	28.8 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（195）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²