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トランジスタ（100539）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2911fe 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2911 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2965fe -
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2965 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2966fe -
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2966 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2970fe -
RFQ
 ECAD 8747 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2970 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms 10kohms
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN2607 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT （TPL3） -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1101 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1113ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1113 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 47 Kohms
RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1415 0.3400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1415 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1418 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1418 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1110 -
RFQ
 ECAD 5975 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1110 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT -
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2101 100 MW CST3 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 500µA、5MA 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2111act（tpl3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2111 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 10 Kohms
RN2106(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106 -
RFQ
 ECAD 3234 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2106 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2114(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2114 0.2800
RFQ
 ECAD 5009 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2114 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04f（TE85L -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1B04 300MW SM6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100na（icbo） NPN、PNP 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 100MA、1V 200MHz
HN1B01FU-Y(L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage hn1b01fu-y -
RFQ
 ECAD 9540 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B01 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 120MHz
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A （TE85L -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1954 100 MW SC-70 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 250mv @ 10ma 、200ma 300 @ 10MA 、2V 130MHz
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087R （TE85L 0.1270
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-61AA 2SC5087 150MW SMQ - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80ma npn 120 @ 20MA 、10V 8GHz 1.1DB〜2DB @ 1GHz
DKI03038 Sanken DKI03038 -
RFQ
 ECAD 7000 0.00000000 サンケン - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 48a 4.5V 、10V 4mohm @ 47.2a 、10V 2.5V @ 650µA 38.8 NC @ 10 V ±20V 2460 PF @ 15 V - 47W （TC）
DKI03082 Sanken DKI03082 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 サンケン - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 29a 4.5V 、10V 8.4mohm @ 25a 、10V 2.5V @ 250µA 16.3 NC @ 10 V ±20V 1030 PF @ 15 V - 32W
DKI04077 Sanken DKI04077 -
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 サンケン - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 47a（tc） 4.5V 、10V 8.9mohm @ 23.3a、10V 2.5V @ 350µA 18.5 NC @ 10 V ±20V 1470 PF @ 25 V - 37W （TC）
GKI04031 Sanken GKI04031 2.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 サンケン - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-dfn ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 17a（ta） 4.5V 、10V 3.5mohm @ 51a 、10V 2.5V @ 1MA 63.2 NC @ 10 V ±20V 3910 PF @ 25 V - 3.1w
SKI06048 Sanken SKI06048 -
RFQ
 ECAD 6392 0.00000000 サンケン - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 85a（tc） 4.5V 、10V 4.7mohm @ 55a 、10V 2.5V @ 1.5MA 90.6 NC @ 10 V ±20V 6210 PF @ 25 V - 135W
EKI07076 Sanken EKI07076 -
RFQ
 ECAD 1937年年 0.00000000 サンケン - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） EKI07076 DK ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 85a（tc） 4.5V 、10V 6.6mohm @ 44a 、10V 2.5V @ 1.5MA 91 NC @ 10 V ±20V 6340 PF @ 25 V - 135W
EKI07174 Sanken EKI07174 -
RFQ
 ECAD 3893 0.00000000 サンケン - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） EKI07174 DK ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 46a（tc） 4.5V 、10V 13.6mohm @ 22.8a 、10V 2.5V @ 650µA 36.2 NC @ 10 V ±20V 2520 PF @ 25 V - 90W
EKI10198 Sanken EKI10198 -
RFQ
 ECAD 6809 0.00000000 サンケン - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） EKI10198 DK ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 47a（tc） 4.5V 、10V 17.8mohm @ 23.4a 、10V 2.5V @ 1MA 55.8 NC @ 10 V ±20V 3990 PF @ 25 V - 116W
TK14A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK14A65W、S5x 2.8200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK14A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 40W （TC）
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5、S1Q -
RFQ
 ECAD 2691 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して To-262-3 Long Leads TK14C65 モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 300mohm @ 6.9a 、10V 4.5V @ 690µA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK32A12N1、S4x 1.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK32A12 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 32a 10V 13.8mohm @ 16a 、10V 4V @ 500µA 34 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 60 v - 30W （TC）
TK46A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1、S4X 1.0700
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK46A08 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 46a（tc） 10V 8.4mohm @ 23a 、10V 4V @ 500µA 37 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 40 V - 35W （TC）
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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