画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 150k40a | 35.5695 | ![]() | 6651 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 150k40 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 150k40agn | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.33 V @ 150 a | 35 mA @ 400 v | -40°C〜200°C | 150a | - | ||
150kr40a | 35.5695 | ![]() | 5407 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 標準、逆極性 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.33 V @ 150 a | 35 mA @ 400 v | -40°C〜200°C | 150a | - | |||||
![]() | 1N1183 | 7.4730 | ![]() | 9741 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1183 | 標準 | do-203ab | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N1183GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.2 V @ 35 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 35a | - | ||
![]() | 1N1183AR | 6.3770 | ![]() | 4662 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1183AR | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N1183ARGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 40 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 40a | - | ||
![]() | 1N1187 | 7.4730 | ![]() | 5062 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1187 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N1187GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.2 V @ 35 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 35a | - | ||
![]() | 1N1188A | 6.3770 | ![]() | 6241 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1188 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N118888AGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 40 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 40a | - | ||
![]() | 1N1189 | 7.4730 | ![]() | 1109 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1189 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N1189GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.2 V @ 35 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 35a | - | ||
![]() | 1N1202AR | 4.3635 | ![]() | 1430 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1202AR | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N1202ARGN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 12a | - | ||
![]() | 1N2128AR | 8.9025 | ![]() | 1559 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N2128AR | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N2128ARGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 60 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 60a | - | ||
1N2131AR | 11.7300 | ![]() | 5031 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N2131AR | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 60 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 60a | - | ||||
![]() | 1N2133AR | 8.9025 | ![]() | 9934 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N2133AR | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N2133ARGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.1 V @ 60 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 60a | - | ||
![]() | 1N3208R | 7.0650 | ![]() | 9958 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3208R | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3208RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.5 V @ 15 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||
1N3210 | 9.6500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3210 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.5 V @ 15 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||||
![]() | 1N3211 | 7.0650 | ![]() | 1199 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3211 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3211GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.5 V @ 15 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||
![]() | 1N3211R | 7.0650 | ![]() | 3529 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3211R | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3211RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.5 V @ 15 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||
![]() | 1N3212 | 7.0650 | ![]() | 5672 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3212 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3212GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.5 V @ 15 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||
![]() | 1N3291A | 33.5805 | ![]() | 8851 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 1N3291 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3291AGN | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.5 V @ 100 a | 24 MA @ 400 v | -40°C〜200°C | 100a | - | ||
![]() | 1N3293a | 33.5805 | ![]() | 2493 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 1N3293 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3293AGN | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.5 V @ 100 a | 17 MA @ 600 v | -40°C〜200°C | 100a | - | ||
![]() | 1N3293AR | 33.5805 | ![]() | 5372 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 1N3293AR | 標準、逆極性 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3293ARGN | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.5 V @ 100 a | 17 MA @ 600 v | -40°C〜200°C | 100a | - | ||
![]() | 1N3294a | 33.5805 | ![]() | 6744 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 1N3294 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3294AGN | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.5 V @ 100 a | 13 MA @ 800 v | -40°C〜200°C | 100a | - | ||
![]() | 1N3297A | 33.8130 | ![]() | 7080 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 1N3297 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3297AGN | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 1.5 V @ 100 a | 7 MA @ 1400 v | -40°C〜200°C | 100a | - | ||
![]() | 1N3765 | 6.2320 | ![]() | 5017 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3765 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3765GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 700 V | 1.2 V @ 35 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 35a | - | ||
![]() | 1N3765R | 6.2320 | ![]() | 1506 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3765R | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3765RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 700 V | 1.2 V @ 35 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 35a | - | ||
![]() | 1N3766 | 6.2320 | ![]() | 4148 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3766 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3766GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.2 V @ 35 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 35a | - | ||
![]() | 1N3890 | 6.7605 | ![]() | 7871 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N3890 | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N3890GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.4 V @ 12 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |
![]() | 1N4588 | 35.5695 | ![]() | 3219 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 1N4588 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N4588GN | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.5 V @ 150 a | 9.5 mA @ 200 v | -60°C〜200°C | 150a | - | ||
![]() | 1N4590 | 35.5695 | ![]() | 3928 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 1N4590 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N4590GN | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.5 V @ 150 a | 9 ma @ 400 v | -60°C〜200°C | 150a | - | ||
![]() | 1N4590R | 35.5695 | ![]() | 9089 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 1N4590R | 標準、逆極性 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N4590RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.5 V @ 150 a | 9 ma @ 400 v | -60°C〜200°C | 150a | - | ||
![]() | 1N4592R | 35.5695 | ![]() | 6078 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 1N4592R | 標準、逆極性 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N4592RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.5 V @ 150 a | 6.5 mA @ 600 v | -60°C〜200°C | 150a | - | ||
![]() | 1N4593 | 35.5695 | ![]() | 8887 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 1N4593 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N4593GN | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.5 V @ 150 a | 5.5 mA @ 800 v | -60°C〜200°C | 150a | - |
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