SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f
150K40A GeneSiC Semiconductor 150k40a 35.5695
RFQ
ECAD 6651 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 150k40 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 150k40agn ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 400 V 1.33 V @ 150 a 35 mA @ 400 v -40°C〜200°C 150a -
150KR40A GeneSiC Semiconductor 150kr40a 35.5695
RFQ
ECAD 5407 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 標準、逆極性 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 400 V 1.33 V @ 150 a 35 mA @ 400 v -40°C〜200°C 150a -
1N1183 GeneSiC Semiconductor 1N1183 7.4730
RFQ
ECAD 9741 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1183 標準 do-203ab ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N1183GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 50 v 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
1N1183AR GeneSiC Semiconductor 1N1183AR 6.3770
RFQ
ECAD 4662 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1183AR 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N1183ARGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 50 v 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 40a -
1N1187 GeneSiC Semiconductor 1N1187 7.4730
RFQ
ECAD 5062 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1187 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N1187GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 300 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
1N1188A GeneSiC Semiconductor 1N1188A 6.3770
RFQ
ECAD 6241 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1188 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N118888AGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 40a -
1N1189 GeneSiC Semiconductor 1N1189 7.4730
RFQ
ECAD 1109 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1189 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N1189GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 600 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
1N1202AR GeneSiC Semiconductor 1N1202AR 4.3635
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N1202AR 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N1202ARGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 12a -
1N2128AR GeneSiC Semiconductor 1N2128AR 8.9025
RFQ
ECAD 1559 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N2128AR 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N2128ARGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 50 v 1.1 V @ 60 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 60a -
1N2131AR GeneSiC Semiconductor 1N2131AR 11.7300
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N2131AR 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 60 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 60a -
1N2133AR GeneSiC Semiconductor 1N2133AR 8.9025
RFQ
ECAD 9934 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N2133AR 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N2133ARGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 300 V 1.1 V @ 60 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 60a -
1N3208R GeneSiC Semiconductor 1N3208R 7.0650
RFQ
ECAD 9958 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3208R 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3208RGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 50 v 1.5 V @ 15 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3210 GeneSiC Semiconductor 1N3210 9.6500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3210 標準 do-203ab(do-5) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 200 v 1.5 V @ 15 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3211 GeneSiC Semiconductor 1N3211 7.0650
RFQ
ECAD 1199 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3211 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3211GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 300 V 1.5 V @ 15 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3211R GeneSiC Semiconductor 1N3211R 7.0650
RFQ
ECAD 3529 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3211R 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3211RGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 300 V 1.5 V @ 15 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3212 GeneSiC Semiconductor 1N3212 7.0650
RFQ
ECAD 5672 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3212 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3212GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 400 V 1.5 V @ 15 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3291A GeneSiC Semiconductor 1N3291A 33.5805
RFQ
ECAD 8851 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N3291 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3291AGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 400 V 1.5 V @ 100 a 24 MA @ 400 v -40°C〜200°C 100a -
1N3293A GeneSiC Semiconductor 1N3293a 33.5805
RFQ
ECAD 2493 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N3293 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3293AGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 600 V 1.5 V @ 100 a 17 MA @ 600 v -40°C〜200°C 100a -
1N3293AR GeneSiC Semiconductor 1N3293AR 33.5805
RFQ
ECAD 5372 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N3293AR 標準、逆極性 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3293ARGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 600 V 1.5 V @ 100 a 17 MA @ 600 v -40°C〜200°C 100a -
1N3294A GeneSiC Semiconductor 1N3294a 33.5805
RFQ
ECAD 6744 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N3294 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3294AGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 800 V 1.5 V @ 100 a 13 MA @ 800 v -40°C〜200°C 100a -
1N3297A GeneSiC Semiconductor 1N3297A 33.8130
RFQ
ECAD 7080 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N3297 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3297AGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 1400 v 1.5 V @ 100 a 7 MA @ 1400 v -40°C〜200°C 100a -
1N3765 GeneSiC Semiconductor 1N3765 6.2320
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3765 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3765GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 700 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
1N3765R GeneSiC Semiconductor 1N3765R 6.2320
RFQ
ECAD 1506 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3765R 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3765RGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 700 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
1N3766 GeneSiC Semiconductor 1N3766 6.2320
RFQ
ECAD 4148 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3766 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3766GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 800 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
1N3890 GeneSiC Semiconductor 1N3890 6.7605
RFQ
ECAD 7871 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N3890 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N3890GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 100 V 1.4 V @ 12 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
1N4588 GeneSiC Semiconductor 1N4588 35.5695
RFQ
ECAD 3219 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N4588 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N4588GN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 200 v 1.5 V @ 150 a 9.5 mA @ 200 v -60°C〜200°C 150a -
1N4590 GeneSiC Semiconductor 1N4590 35.5695
RFQ
ECAD 3928 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N4590 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N4590GN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 400 V 1.5 V @ 150 a 9 ma @ 400 v -60°C〜200°C 150a -
1N4590R GeneSiC Semiconductor 1N4590R 35.5695
RFQ
ECAD 9089 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N4590R 標準、逆極性 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N4590RGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 400 V 1.5 V @ 150 a 9 ma @ 400 v -60°C〜200°C 150a -
1N4592R GeneSiC Semiconductor 1N4592R 35.5695
RFQ
ECAD 6078 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N4592R 標準、逆極性 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N4592RGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 600 V 1.5 V @ 150 a 6.5 mA @ 600 v -60°C〜200°C 150a -
1N4593 GeneSiC Semiconductor 1N4593 35.5695
RFQ
ECAD 8887 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N4593 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1N4593GN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 800 V 1.5 V @ 150 a 5.5 mA @ 800 v -60°C〜200°C 150a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫