画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SDS120J005D3 | 2.8000 | ![]() | 1989年年 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2L | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0000 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.5 V @ 5 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 22a | 400pf @ 0V、1MHz | ||||
![]() | SDS065J004D3 | 1.6100 | ![]() | 7809 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2L | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0000 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 4 a | 0 ns | 12 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 14a | 213pf @ 0V、1MHz | ||||
![]() | SDS120J002D3 | 1.4200 | ![]() | 4074 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2L | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0000 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.5 V @ 2 a | 0 ns | 8 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 11a | 165pf @ 0V、1MHz | ||||
![]() | SDS120J020G3 | 8.0400 | ![]() | 2728 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS120J020G3 | ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 36a | 1.5 V @ 10 a | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | |||
![]() | SDS065J020H3 | 6.3000 | ![]() | 2667 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J020H3 | ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 20 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 51a | 1018pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS120J010H3 | 5.0100 | ![]() | 5247 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS120J010H3 | ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.5 V @ 10 a | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 36a | 780pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS065J020G3 | 6.3000 | ![]() | 3807 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J020G3 | ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 30a | 1.5 V @ 10 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | |||
![]() | SDS065J016H3 | 5.9300 | ![]() | 5280 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J016H3 | ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 16 a | 0 ns | 48 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 44a | 837PF @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS120J010D3 | 5.1200 | ![]() | 9659 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2L | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0000 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.5 V @ 10 a | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 37a | 780pf @ 0V、1MHz | ||||
![]() | SDS065J010E3 | 2.8000 | ![]() | 1387 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2L | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 5023-SDS065J010E3 | ear99 | 8541.10.0000 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 10 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 30a | 556PF @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS065J012C3 | 3.6800 | ![]() | 4729 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J012C3 | ear99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 12 a | 0 ns | 36 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 37a | 651PF @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS065J004C3 | 1.1000 | ![]() | 6146 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J004C3 | ear99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 4 a | 0 ns | 12 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 14a | 213pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS120J002C3 | 1.7000 | ![]() | 1625 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS120J002C3 | ear99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.5 V @ 2 a | 0 ns | 8 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 11a | 165pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS120J005C3 | 2.9500 | ![]() | 1507 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS120J005C3 | ear99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.5 V @ 5 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 22a | 400pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS065J016G3 | 5.5300 | ![]() | 9398 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J016G3 | ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 650 V | 25a | 1.5 V @ 8 a | 24 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | ||||
![]() | SDS065J040G3 | 10.6200 | ![]() | 7453 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J040G3 | ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 51a | 1.5 V @ 20 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | |||
![]() | SDS065J006E3 | 2.4600 | ![]() | 7074 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2L | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 5023-SDS065J006E3 | ear99 | 8541.10.0000 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 6 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 20a | 310pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS065J016C3 | 5.2700 | ![]() | 6166 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J016C3 | ear99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 16 a | 0 ns | 48 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 44a | 837PF @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS120J027H3 | 10.8900 | ![]() | 5197 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS120J027H3 | ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 27 a | 0 ns | 80 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 77a | 1761pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS120J030H3 | 10.8300 | ![]() | 9338 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS120J030H3 | ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.5 V @ 30 a | 0 ns | 72 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 95a | 2546pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS120J010C3 | 5.2700 | ![]() | 5757 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS120J010C3 | ear99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.5 V @ 10 a | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 37a | 780pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS065J030G3 | 8.5100 | ![]() | 1351 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J030G3 | ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 44a | 1.5 V @ 15 a | 0 ns | 48 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | |||
![]() | SDS065J010N3 | 3.0600 | ![]() | 4699 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J010N3 | ear99 | 8541.10.0000 | 1,000 | |||||||||||||||
![]() | SDS065J020C3 | 5.7900 | ![]() | 3621 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J020C3 | ear99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 20 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 51a | 1018pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS065J008C3 | 2.6300 | ![]() | 2379 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS065J008C3 | ear99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 8 a | 0 ns | 24 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 25a | 395pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS065J008S3 | 2.8300 | ![]() | 8248 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | SDS065J002D3 | 1.1000 | ![]() | 9845 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2L | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0000 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 2 a | 0 ns | 8 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 9a | 113pf @ 0V、1MHz | ||||
![]() | SDS065J006S3 | 2.3000 | ![]() | 1961年年 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-powervsfn | sic (炭化シリコン)ショットキー | 4-dfn (8x8) | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0000 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 6 a | 0 ns | 18 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 23a | 310pf @ 0V、1MHz | ||||
![]() | SDS120J010E3 | 5.2700 | ![]() | 4536 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2L | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 5023-SDS120J010E3 | ear99 | 8541.10.0000 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.5 V @ 10 a | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 37a | 780pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | SDS120J010G3 | 5.7900 | ![]() | 8702 | 0.00000000 | Sanan Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3L | ROHS3準拠 | 適用できない | 5023-SDS120J010G3 | ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 20a | 1.5 V @ 5 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C |
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