画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RSD200N10TL | - | ![]() | 5729 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RSD200 | モスフェット(金属酸化物) | CPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 20a(ta) | 4V 、10V | 52mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 1MA | 48.5 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | R8002ANX | - | ![]() | 5448 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R8002 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 800 V | 2a(tc) | 10V | 4.3OHM @ 1A 、10V | 5V @ 1MA | 12.7 NC @ 10 V | ±30V | 210 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | US6M2TR | 0.6700 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | US6M2 | モスフェット(金属酸化物) | 1W | tumt6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 30V 、20V | 1.5a、1a | 240mohm @ 1.5a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.2NC @ 4.5V | 80pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168L-40TE25 | 0.1092 | ![]() | 9488 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RB168 | ショットキー | PMDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 650 mv @ 1 a | 550 NA @ 40 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143ZEFRATL | 0.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA143 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 Ma | - | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ZEBHZGTL | - | ![]() | 6835 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DTC143 | 150 MW | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 Ma | - | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3022ALHRC11 | 73.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT3022 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 93a(tc) | 18V | 28.6mohm @ 36a、18V | 5.6V @ 18.2MA | 133 NC @ 18 V | +22V、-4V | 2208 PF @ 500 V | - | 339W | |||||||||||||||||||||||
![]() | RF103L2STE25 | 0.4900 | ![]() | 83 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RF103 | 標準 | PMDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 920 mv @ 1 a | 20 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-7716B | - | ![]() | 5863 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | mtzj。 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±3% | - | 穴を通して | do-204ag | 500 MW | MSD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 Na @ 12 v | 16 v | 25オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS5U21TR | 0.2832 | ![]() | 8811 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-5薄い、TSOT-23-5 | QS5U21 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 1.5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 200mohm @ 1.5a 、4.5V | 2V @ 1MA | 4.2 NC @ 4.5 v | ±12V | 325 PF @ 10 V | ショットキーダイオード(分離) | 1.25W | |||||||||||||||||||||||
SP8J1TB | - | ![]() | 4227 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SP8J1 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 5a | 42mohm @ 5a、10V | 2.5V @ 1MA | 16NC @ 5V | 1400pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SH8J65TB1 | 1.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SH8J65 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 7a | 29mohm @ 7a、10V | 2.5V @ 1MA | 18NC @ 5V | 1200pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R5021Anx | 3.3797 | ![]() | 4461 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R5021 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 500 V | 21a(tc) | 10V | 210mohm @ 10.5a 、10V | 4.5V @ 1MA | 64 NC @ 10 V | ±30V | 2300 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RTF025N03FRATL | 0.4900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | RTF025 | モスフェット(金属酸化物) | tumt3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 2.5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 67mohm @ 2.5a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 5.2 NC @ 4.5 v | 270 pf @ 10 v | - | 800MW | ||||||||||||||||||||||||
![]() | umt2ntr | 0.4000 | ![]() | 465 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | UMT2 | 150MW | UMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150ma | 100na(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 500MV @ 5MA 、50ma | 120 @ 1MA 、6V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4132T100Q | 0.3748 | ![]() | 9382 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SC4132 | 2 W | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 120 v | 2 a | 1µa(icbo) | npn | 2V @ 100MA、1a | 120 @ 100MA 、5V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6015ANJTL | 3.0267 | ![]() | 7224 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | R6015 | モスフェット(金属酸化物) | LPTS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 15a(tc) | 300mohm @ 7.5a 、10V | 4.5V @ 1MA | 50 NC @ 10 V | 1700 PF @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RJP020N06T100 | 0.9100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | RJP020 | モスフェット(金属酸化物) | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | nチャネル | 60 V | 2a(ta) | 2.5V 、4.5V | 240mohm @ 2a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 10 NC @ 4 V | ±12V | 160 pf @ 10 v | - | 500MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | RF201LAM4STR | 0.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | RF201 | 標準 | PMDTM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.2 V @ 1.5 a | 30 ns | 1 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 1.5a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6015ANX | 6.2100 | ![]() | 189 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6015 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 600 V | 15a(ta) | 10V | 300mohm @ 7.5a 、10V | 4.5V @ 1MA | 50 NC @ 10 V | ±30V | 1700 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123JUAT106 | 0.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTC123 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW72T116 | 0.1088 | ![]() | 1405 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | - | 表面マウント | TO-236-3 | BCW72 | SST3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | - | npn | - | 200 @ 2MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123EUAT106 | 0.2600 | ![]() | 917 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTA123 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 20 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114EKAT146 | 0.2700 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTA114 | 200 MW | SMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 50 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
RSS050P03TB | 0.4572 | ![]() | 2115 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RSS050 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 5a(ta) | 4V 、10V | 42mohm @ 5a、10V | 2.5V @ 1MA | 13 NC @ 5 V | ±20V | 1200 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | dtd723ymt2l | 0.1027 | ![]() | 8425 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SOT-723 | DTD723 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 30 V | 200 ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 140 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB113ZCT116 | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTB113 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 56 @ 50MA 、5V | 200 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD123TKT146 | 0.5400 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTD123 | 200 MW | SMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 500 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 100 @ 50ma 、5v | 200 MHz | 2.2 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS6M3TR | 0.6200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | QS6M3 | モスフェット(金属酸化物) | 1.25W | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 30V 、20V | 1.5a | 230mohm @ 1.5a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 1.6NC @ 4.5V | 80pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RVQ040N05TR | 0.7800 | ![]() | 7296 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | RVQ040 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 45 v | 4a(ta) | 4V 、10V | 53mohm @ 4a 、10V | 2.5V @ 1MA | 8.8 NC @ 5 V | 21V | 530 PF @ 10 V | - | 600MW |
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