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離散半導体製品（41164）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
JANTX1N5619 Microchip Technology jantx1n5619 5.2400
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/429 バルク アクティブ 穴を通して A 、軸 1N5619 標準 A 、軸 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 1.6 V @ 3 a 250 ns 500 NA @ 600 V -65°C〜175°C 1a -
JANTX1N6326 Microchip Technology JANTX1N6326 13.6600
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N6326 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 1 µA @ 9 V 12 v 7オーム
JANTX1N6640US Microchip Technology JANTX1N6640US 8.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/609 バルク アクティブ 表面マウント sq-melf d 1N6640 標準 D-5d ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 200 mA 4 ns 100 Na @ 50 V -65°C〜175°C 300mA -
JANTX1N914UR Microchip Technology jantx1n914ur 6.7950
RFQ
 ECAD 8197 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/116 バルク アクティブ 表面マウント DO-213AA 1N914 標準 DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 75 v 1.2 V @ 50 mA 5 ns 500 NA @ 75 V -65°C〜175°C 200mA 4PF @ 0V、1MHz
JANTX1N968BUR-1 Microchip Technology jantx1n968bur-1 6.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/117 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 1N968 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 15 V 20 v 25オーム
JANTX1N975BUR-1 Microchip Technology jantx1n975bur-1 -
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/117 バルク sicで中止されました ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 1N975 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 30 V 39 v 90オーム
JANTX1N6511 Microchip Technology jantx1n6511 379.1000
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/4 バルク アクティブ 穴を通して 14-CDIP （0.300 "、7.62mm） 1N6511 標準 14-CDIP - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1 高速回復= <500ns 7独立 75 v 300ma 1 V @ 100 MA 10 ns 100 Na @ 40 V -
JANTX1N825-1 Microchip Technology jantx1n825-1 5.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/159 バルク アクティブ - -55°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N825 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 5.9 v 15オーム
JANTX2N3421 Microchip Technology JANTX2N3421 13.4200
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/393 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 2N3421 1 W to-5 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 80 v 3 a 5µA npn 500MV @ 200MA 、2a 40 @ 1a 、2V -
JANTX2N3467 Microchip Technology JANTX2N3467 351.3300
RFQ
 ECAD 965 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/348 バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 1 W to-39 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 40 v 1 a 100na（icbo） PNP 1.2V @ 100MA、1a 40 @ 500MA、1V -
JANTX2N3868 Microchip Technology JANTX2N3868 23.8469
RFQ
 ECAD 5588 0.00000000 マイクロチップテクノロジー mil-prf-19500/350 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 2N3868 1 W to-5 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 60 V 3 Ma 100µa（icbo） PNP 1.5V @ 250MA 、2.5a 30 @ 1.5a 、2V -
JANTX2N5303 Microchip Technology JANTX2N5303 164.2949
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/456 バルク アクティブ - 穴を通して to-204aa、to-3 2N5303 5 W to-3（to-204aa ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 80 v 20 a 10µA npn 2V @ 4a 、20a 15 @ 10a 、2V -
JANTX2N6058 Microchip Technology JANTX2N6058 69.2300
RFQ
 ECAD 643 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/502 バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-204aa、to-3 2N6058 150 W to-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 80 v 12 a 1ma npn-ダーリントン 3V @ 120ma 、12a 1000 @ 6a、3V -
JANTX2N6287 Microchip Technology JANTX2N6287 53.5458
RFQ
 ECAD 3257 0.00000000 マイクロチップテクノロジー mil-prf-19500/505 バルク アクティブ -65°C〜175°C 穴を通して to-204aa、to-3 2N6287 175 w to-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 100 V 20 a 1ma pnp-ダーリントン 3V @ 200MA 、20a 1250 @ 10a 、3V -
JANTX2N6299 Microchip Technology JANTX2N6299 29.7122
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/540 バルク アクティブ -65°C〜175°C 穴を通して TO-213AA、to-66-2 2N6299 64 W ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 500µA pnp-ダーリントン 2V @ 16MA 、4a 750 @ 4a、3V -
APTM120H140FT1G Microchip Technology APTM120H140FT1G 73.6800
RFQ
 ECAD 8821 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP1 APTM120 モスフェット（金属酸化物） 208W SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 1200V（1.2kv） 8a 1.68ohm @ 7a 、10V 5V @ 1MA 145NC @ 10V 3812pf @ 25V -
APTM120UM70DAG Microchip Technology aptm120um70dag 414.1700
RFQ
 ECAD 7791 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 APTM120 モスフェット（金属酸化物） SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 1200 v 171a（tc） 10V 80mohm @ 85.5a 、10V 5V @ 30MA 1650 NC @ 10 V ±30V 43500 PF @ 25 V - 5000W
APTM20AM05FG Microchip Technology APTM20AM05FG 279.2300
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 aptm20 モスフェット（金属酸化物） 1136W SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 200V 317a 5mohm @ 158.5a 、10V 5V @ 10MA 448NC @ 10V 27400pf @ 25V -
APTM20AM06SG Microchip Technology APTM20AM06SG 278.5720
RFQ
 ECAD 3264 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 aptm20 モスフェット（金属酸化物） 1250W SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 200V 300a 7.2mohm @ 150a 、10V 5V @ 6MA 325NC @ 10V 18500pf @ 25V -
APTM20AM08FTG Microchip Technology APTM20AM08FTG 178.3214
RFQ
 ECAD 2593 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP4 aptm20 モスフェット（金属酸化物） 781W SP4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 200V 208a 10mohm @ 104a 、10V 5V @ 5MA 280NC @ 10V 14400pf @ 25V -
APTM20DAM04G Microchip Technology APTM20DAM04G 226.1900
RFQ
 ECAD 2713 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 aptm20 モスフェット（金属酸化物） SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 372a 10V 5mohm @ 186a 、10V 5V @ 10MA 560 NC @ 10 V ±30V 28900 PF @ 25 V - 1250W
APTM20DUM04G Microchip Technology aptm20dum04g 300.2300
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 aptm20 モスフェット（金属酸化物） 1250W SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 200V 372a 5mohm @ 186a 、10V 5V @ 10MA 560NC @ 10V 28900PF @ 25V -
APTM20HM08FG Microchip Technology APTM20HM08FG 347.3625
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 aptm20 モスフェット（金属酸化物） 781W SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 200V 208a 10mohm @ 104a 、10V 5V @ 5MA 280NC @ 10V 14400pf @ 25V -
APTM20HM10FG Microchip Technology APTM20HM10FG 286.6400
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 aptm20 モスフェット（金属酸化物） 694W SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 200V 175a 12mohm @ 87.5a 、10V 5V @ 5MA 224NC @ 10V 13700pf @ 25V -
APTM50AM35FTG Microchip Technology Aptm50am35ftg 186.1014
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP4 APTM50 モスフェット（金属酸化物） 781W SP4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 500V 99a 39mohm @ 49.5a 、10V 5V @ 5MA 280NC @ 10V 14000pf @ 25V -
APTM50AM38SCTG Microchip Technology APTM50AM38SCTG 216.1517
RFQ
 ECAD 8836 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP4 APTM50 炭化シリコン（原文） 694W SP4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 500V 90a 45mohm @ 45a 、10V 5V @ 5MA 246NC @ 10V 11200pf @ 25V -
APTM50DAM19G Microchip Technology APTM50DAM19G 200.7200
RFQ
 ECAD 1400 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 APTM50 モスフェット（金属酸化物） SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 163a（tc） 10V 22.5mohm @ 81.5a 、10V 5V @ 10MA 492 NC @ 10 V ±30V 22400 PF @ 25 V - 1136W
APTM50DDAM65T3G Microchip Technology APTM50DDAM65T3G 106.2109
RFQ
 ECAD 6672 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP3 APTM50 モスフェット（金属酸化物） 390W SP3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 500V 51a 78mohm @ 25.5a 、10V 5V @ 2.5MA 140NC @ 10V 7000pf @ 25V -
APTM50H10FT3G Microchip Technology APTM50H10FT3G 119.5500
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP3 APTM50 モスフェット（金属酸化物） 312w SP3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 500V 37a 120mohm @ 18.5a 、10V 5V @ 1MA 96NC @ 10V 4367pf @ 25V -
APTM50HM75STG Microchip Technology APTM50HM75STG 164.9400
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP4 APTM50 モスフェット（金属酸化物） 357W SP4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 500V 46a 90mohm @ 23a 、10V 5V @ 2.5MA 123NC @ 10V 5600PF @ 25V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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