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離散半導体製品（41164）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce
APTM20DAM04G Microchip Technology APTM20DAM04G 226.1900
RFQ
 ECAD 2713 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 aptm20 モスフェット（金属酸化物） SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 372a 10V 5mohm @ 186a 、10V 5V @ 10MA 560 NC @ 10 V ±30V 28900 PF @ 25 V - 1250W
APTM20DUM04G Microchip Technology aptm20dum04g 300.2300
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 aptm20 モスフェット（金属酸化物） 1250W SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 200V 372a 5mohm @ 186a 、10V 5V @ 10MA 560NC @ 10V 28900PF @ 25V -
APTM20HM08FG Microchip Technology APTM20HM08FG 347.3625
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 aptm20 モスフェット（金属酸化物） 781W SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 200V 208a 10mohm @ 104a 、10V 5V @ 5MA 280NC @ 10V 14400pf @ 25V -
APTM20HM10FG Microchip Technology APTM20HM10FG 286.6400
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 aptm20 モスフェット（金属酸化物） 694W SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 200V 175a 12mohm @ 87.5a 、10V 5V @ 5MA 224NC @ 10V 13700pf @ 25V -
APTM50AM35FTG Microchip Technology Aptm50am35ftg 186.1014
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP4 APTM50 モスフェット（金属酸化物） 781W SP4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 500V 99a 39mohm @ 49.5a 、10V 5V @ 5MA 280NC @ 10V 14000pf @ 25V -
APTM50AM38SCTG Microchip Technology APTM50AM38SCTG 216.1517
RFQ
 ECAD 8836 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP4 APTM50 炭化シリコン（原文） 694W SP4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 500V 90a 45mohm @ 45a 、10V 5V @ 5MA 246NC @ 10V 11200pf @ 25V -
APTM50DAM19G Microchip Technology APTM50DAM19G 200.7200
RFQ
 ECAD 1400 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 APTM50 モスフェット（金属酸化物） SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 163a（tc） 10V 22.5mohm @ 81.5a 、10V 5V @ 10MA 492 NC @ 10 V ±30V 22400 PF @ 25 V - 1136W
APTM50DDAM65T3G Microchip Technology APTM50DDAM65T3G 106.2109
RFQ
 ECAD 6672 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP3 APTM50 モスフェット（金属酸化物） 390W SP3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 500V 51a 78mohm @ 25.5a 、10V 5V @ 2.5MA 140NC @ 10V 7000pf @ 25V -
APTM50H10FT3G Microchip Technology APTM50H10FT3G 119.5500
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP3 APTM50 モスフェット（金属酸化物） 312w SP3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 500V 37a 120mohm @ 18.5a 、10V 5V @ 1MA 96NC @ 10V 4367pf @ 25V -
APTM50HM75STG Microchip Technology APTM50HM75STG 164.9400
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP4 APTM50 モスフェット（金属酸化物） 357W SP4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 500V 46a 90mohm @ 23a 、10V 5V @ 2.5MA 123NC @ 10V 5600PF @ 25V -
APTM50SKM19G Microchip Technology APTM50SKM19G 200.7200
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 APTM50 モスフェット（金属酸化物） SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 163a（tc） 10V 22.5mohm @ 81.5a 、10V 5V @ 10MA 492 NC @ 10 V ±30V 22400 PF @ 25 V - 1136W
APTM60A11FT1G Microchip Technology APTM60A11FT1G 66.5200
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP1 APTM60 モスフェット（金属酸化物） 390W SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 600V 40a 132mohm @ 33a 、10V 5V @ 2.5MA 330NC @ 10V 10552pf @ 25V -
APT50M75JLLU3 Microchip Technology APT50M75JLLU3 32.1100
RFQ
 ECAD 8351 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -55°C〜150°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック APT50M75 モスフェット（金属酸化物） SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 51a（tc） 10V 75mohm @ 25.5a 、10V 5V @ 1MA 123 NC @ 10 V ±30V 5590 PF @ 25 V - 290W
APT50N60JCCU2 Microchip Technology APT50N60JCCU2 40.3200
RFQ
 ECAD 5107 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック APT50N60 モスフェット（金属酸化物） SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 50a（tc） 10V 45mohm @ 22.5a 、10V 3.9V @ 3MA 150 NC @ 10 V ±20V 6800 PF @ 25 V - 290W
APTC60AM45T1G Microchip Technology APTC60AM45T1G 67.0800
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP1 APTC60 モスフェット（金属酸化物） 250W SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 600V 49a 45mohm @ 24.5a 、10V 3.9V @ 3MA 150NC @ 10V 7200PF @ 25V -
APTC60HM70SCTG Microchip Technology APTC60HM70SCTG 178.2800
RFQ
 ECAD 2057 0.00000000 マイクロチップテクノロジー coolmos™ バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP4 APTC60 モスフェット（金属酸化物） 250W SP4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 600V 39a 70mohm @ 39a 、10V 3.9V @ 2.7MA 259NC @ 10V 7000pf @ 25V -
APTC80A10SCTG Microchip Technology APTC80A10SCTG 151.4613
RFQ
 ECAD 3935 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP4 APTC80 モスフェット（金属酸化物） 416W SP4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 800V 42a 100mohm @ 21a 、10V 3.9V @ 3MA 273NC @ 10V 6761pf @ 25V -
APTC80TA15PG Microchip Technology APTC80TA15PG 164.7513
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP6 APTC80 モスフェット（金属酸化物） 277W SP6-P ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 6 N-Channel（3 フェーズブリッジ） 800V 28a 150mohm @ 14a 、10V 3.9V @ 2MA 180NC @ 10V 4507pf @ 25V -
APTCV40H60CT1G Microchip Technology APTCV40H60CT1G 79.8900
RFQ
 ECAD 3055 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP1 APTCV40 176 W 標準 SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 フルブリッジ トレンチフィールドストップ 600 V 80 a 1.9V @ 15V 、50a 250 µA はい 3.15 nf @ 25 v
APTDF200H120G Microchip Technology APTDF200H120G 138.5800
RFQ
 ECAD 8562 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP6 APTDF200 標準 SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 3 V @ 200 a 150 µA @ 1200 V 235 a 単相 1.2 kv
APTDF30H1201G Microchip Technology aptdf30h1201g 40.7200
RFQ
 ECAD 7653 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP1 aptdf30 標準 SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 3.1 V @ 30 a 100 µA @ 1200 V 43 a 単相 1.2 kv
APTDF400AA120G Microchip Technology APTDF400AA120G 136.6900
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ シャーシマウント LP4 APTDF400 標準 SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない APTDF400AA120GMP-ND ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 1200 v 470a 3 V @ 400 a 385 ns 250 µA @ 1200 V
APTDF400AA170G Microchip Technology APTDF400AA170G 212.9600
RFQ
 ECAD 1987年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ シャーシマウント LP4 APTDF400 標準 SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1ペア共通アノード 1700 v 480a 2.5 V @ 400 a 572 ns 750 µA @ 1700 v
APTDF400AK120G Microchip Technology aptdf400ak120g 136.6900
RFQ
 ECAD 7040 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ シャーシマウント LP4 APTDF400 標準 SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペアシリーズ接続 1200 v 470a 3 V @ 400 a 385 ns 250 µA @ 1200 V
APTDF400AK170G Microchip Technology APTDF400AK170G 212.9600
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ シャーシマウント LP4 APTDF400 標準 SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1700 v 480a 2.5 V @ 400 a 572 ns 750 µA @ 1700 v
APTDF400AK60G Microchip Technology aptdf400ak60g 129.3311
RFQ
 ECAD 9761 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ シャーシマウント LP4 APTDF400 標準 SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペアシリーズ接続 600 V 500a 2 V @ 400 a 160 ns 750 µA @ 600 V
APTDF400KK100G Microchip Technology aptdf400kk100g 133.4200
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ シャーシマウント LP4 APTDF400 標準 SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 1000 V 500a 2.7 V @ 400 a 290 ns 250 µA @ 1000 V
APTDF400KK20G Microchip Technology APTDF400KK20G 129.7600
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ シャーシマウント LP4 APTDF400 標準 SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 500a 1.1 V @ 400 a 60 ns 750 µA @ 200 V
APTDF430U100G Microchip Technology APTDF430U100G 105.9808
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ シャーシマウント LP4 APTDF430 標準 LP4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1000 V 2.3 V @ 500 a 120 ns 2.5 mA @ 1000 v 500a -
APTDF60H1201G Microchip Technology APTDF60H1201G 45.1800
RFQ
 ECAD 5601 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP1 APTDF60 標準 SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 3 V @ 60 a 100 µA @ 1200 V 82 a 単相 1.2 kv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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