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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
JANTXV2N3867U4	172.9000	RFQ	6545	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				40 v	3 a		100µa（icbo）					PNP	1.5V @ 250MA 、2.5a	40 @ 1.5a 、2V	-
jantxv1n3306b	-	RFQ	5890	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド				50 W		DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 10 a		125 µA @ 5 V										7.5 v	0.3オーム
Jan2N5666	15.5211	RFQ	9012	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5666			1.2 w		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				200 v	5 a		200na					npn	1V @ 1a 、5a	40 @ 1a 、5V	-
JANTX2N2945AUB	434.5428	RFQ	1089	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/382	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	4-SMD 、リードなし				400 MW		ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				20 v	100 Ma		10µa（icbo）					PNP	-	70 @ 1MA 、500mv	-
jan1n5297-1/tr	31.6650	RFQ	7031	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5297			500MW		DO-7	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5297-1/tr	ear99	8541.10.0070	1																																100V	1.1MA	1.35V
APTGT150A60T1G	74.4307	RFQ	8204	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	SP1	aptgt150			480 w	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																		トレンチフィールドストップ	600 V	225 a	1.9V @ 15V 、150a	250 µA	はい			9.2 nf @ 25 v
jantx1n4990dus/tr	30.9000	RFQ	5238	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b				5 W		e-melf	-				150-jantx1n4990dus/tr	ear99	8541.10.0050	100													1.5 V @ 1 a		2 µA @ 167 v										220 v	550オーム
jantx1n6857-1	-	RFQ	9714	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/444	バルク	アクティブ				穴を通して	do-204ah do-35 、軸			ショットキー			DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度									20 v		350 mv @ 1 Ma		150 na @ 16 v	-65°C〜150°C	150ma
jans1n6661	-	RFQ	3794	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/587	バルク	アクティブ				穴を通して	do-204ah do-35 、軸			標準			DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns									225 v		1 V @ 400 Ma		50 Na @ 225 v	-65°C〜175°C	500mA	-
UES2602	66.6501	RFQ	5460	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました				穴を通して	to-204aa、to-3			標準			to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									100 V		930 mv @ 15 a	35 ns	20 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	30a	-
APTM100A13SCG	355.3600	RFQ	6314	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	SP6	APTM100		モスフェット（金属酸化物）	1250W		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）		1000V（1kv）	65a	156mohm @ 32.5a 、10V	5V @ 6MA	562NC @ 10V	15200pf @ 25V	-
jantx1n3293	-	RFQ	5708	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/246	バルク	アクティブ				シャーシ、スタッドマウント	DO-205AA	1N3293		標準			do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									600 V		1.55 V @ 310 a		10 mA @ 400 v	-65°C〜200°C	100a	-
jan1n4487us	10.8150	RFQ	8520	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a	1N4487			1.5 w		D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1 V @ 200 mA		250 na @ 65.6 v										82 v	160オーム
R4240F	59.8350	RFQ	1107	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	DO-205AA	R4240		標準、逆極性			do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									400 V		1.2 V @ 200 a		50 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	125a	-
JANTX2N6351	-	RFQ	5780	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/472	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	TO-205AC、to-33-4金属缶	2N6351			1 W		to-33	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				150 v	5 a		-					npn-ダーリントン	2.5V @ 10ma 、5a	1000 @ 5a 、5V	-
Jan2N2920L	30.6432	RFQ	8162	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/355	バルク	アクティブ		200°C （TJ）		穴を通して	to-78-6金属缶	2N2920			350MW		to-78-6	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				60V	30ma		10µa（icbo）					2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	300 @ 1MA 、5V	-
jantxv1n5290ur-1/tr	40.4100	RFQ	4711	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N5290			500MW		do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5290ur-1/tr	ear99	8541.10.0070	1																																100V	517µA	1.05V
jan1n4148ubca	26.3700	RFQ	1344	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/116	バルク	アクティブ				表面マウント	3-SMD 、リードなし	1N4148		標準			ub	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度								1ペア共通アノード	75 v	200mA	1.2 V @ 100 MA	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜200°C
HSM190JE3/TR13	0.8100	RFQ	8710	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	DO-214BA	HSM190		ショットキー			DO-214BA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns									90 v		840 mV @ 1 a		100 µA @ 90 V	-55°C〜175°C	1a	-
UPS180E3/TR7	0.4800	RFQ	1458	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ						UPS180						-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
S4205TS	102.2400	RFQ	2806	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ												-			影響を受けていない	150-S4205TS			1
jan1n3595ur-1/tr	6.1579	RFQ	4610	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/241	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	DO-213AA			標準			DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3595ur-1/tr	ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度									125 v		920 mV @ 100 Ma	3 µs	1 Na @ 125 v	-65°C〜175°C	150ma	-
APT2X61DC120J	-	RFQ	5888	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止				シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	Apt2x61		sic （炭化シリコン）ショットキー			SOT-227	-	ROHS準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		回復時間なし> 500ma								2独立	1200 v	60a	1.8 V @ 60 a	0 ns	1.2 mA @ 1200 v
1N6764R	205.5600	RFQ	5575	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/642	バルク	アクティブ				穴を通して	TO-254-3	1N6764		標準			TO-254	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									150 v		1.05 V @ 12 a	35 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜175°C	12a	300pf @ 5V、1MHz
APT80GP60B2G	23.1200	RFQ	6040	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ				穴を通して	TO-247-3バリアント	APT80GP60	標準		1041 w		T-Max™[B2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			pt	600 V	100 a	2.7V @ 15V 、80a
jantxv1n649-1	-	RFQ	7021	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/240	バルク	アクティブ				穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N649		標準			DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns									600 V		1 V @ 400 Ma		50 Na @ 600 V	-65°C〜175°C	400mA	-
Jan1N6765	-	RFQ	9004	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	TO-254-3			標準			TO-254	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									200 v		1.05 V @ 12 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-	12a	300pf @ 5V、1MHz
1N5420	7.9800	RFQ	356	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	b 、軸	1N5420		標準			b 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2266-1N5420	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									600 V		1.5 V @ 9 a	400 ns	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N3176	216.8850	RFQ	1598	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	1N3176		標準			do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3176MS	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									1400 v		1.25 V @ 240 a		75 µA @ 1400 v	-65°C〜200°C	240a	-
jans1n6639us	84.0000	RFQ	1932年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/609	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf d			標準			D-5d	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		高速回復= <500ns									75 v		1.2 V @ 500 Ma	4 ns	100 Na @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²