画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
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Jan2N3019 | 8.7115 | ![]() | 4681 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/391 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N3019 | 800 MW | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10µa(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 50 @ 500MA 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4148ubccc/tr | 26.3700 | ![]() | 2145 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/116 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1N4148 | 標準 | UBC | - | 影響を受けていない | 150-jan1n4148ubccc/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 75 v | 1a | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 25 Na @ 20 V | -65°C〜200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
jantxv2n3762 | - | ![]() | 9883 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/396 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C (TJ | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µa(icbo) | PNP | 900mv @ 100ma、1a | 30 @ 1a 、1.5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n4114ur-1 | 5.7000 | ![]() | 6859 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4114 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 15.2 v | 20 v | 150オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
UES1105 | 24.3900 | ![]() | 9474 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | - | ROHS非準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4135 | 2.4750 | ![]() | 8665 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N4135 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan2N6193 | - | ![]() | 5765 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/561 | バルク | sicで中止されました | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 5 a | 100µA | PNP | 1.2V @ 500MA 、5a | 60 @ 2a 、2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6326 | 376.5762 | ![]() | 8665 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 200 W | to-3 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 30 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4725 | 53.3550 | ![]() | 1979年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 軸 | 1N4725 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1 V @ 3 a | 25 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
jantxv1n4130d-1 | 28.9500 | ![]() | 3160 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4130 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.7 v | 68 v | 700オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N5660U3 | - | ![]() | 6970 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/454 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N5660 | 2 W | U3 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 2 a | 200na | npn | 800mv @ 400ma 、2a | 40 @ 500MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n2980b | - | ![]() | 2559 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 1N2980 | 10 W | do-213aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 12.2 v | 16 v | 4オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
jans2N3636 | - | ![]() | 2663 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 50 @ 50ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5157 | 52.0296 | ![]() | 1733 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 5 W | to-3 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 500 V | 250 µA | 250µA | npn | 2.5V @ 700MA 、3.5a | 30 @ 1a 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansr2n2222aua | 153.5402 | ![]() | 2893 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 650 MW | ua | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n1186r | 120.7200 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/297 | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1186 | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.4 V @ 110 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 35a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6339 | 67.2980 | ![]() | 6983 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 2N6339 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSP2N222222AL | 98.5102 | ![]() | 2288 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 500 MW | TO-18(to-206aa | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
jans2N3501 | 63.4204 | ![]() | 8779 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/366 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N3501 | 1 W | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 Ma | 10µa(icbo) | npn | 400MV @ 15MA、150MA | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans2n3636l | - | ![]() | 9986 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 1 W | to-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 50 @ 50ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans2n2484ub | 58.5102 | ![]() | 7143 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/376 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 2N2484 | 360 MW | ub | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 50 Ma | 2NA | npn | 300MV @ 100µA、1MA | 250 @ 1MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans1n6328c | 358.7400 | ![]() | 4789 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 500 MW | b 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 11 v | 15 V | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3810 | 18.8328 | ![]() | 4983 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/336 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-78-6金属缶 | 2N3810 | 350MW | to-78-6 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50ma | 10µa(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 250MV @ 100µA、1MA | 150 @ 1MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5793 | 18.8328 | ![]() | 1731 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C | 穴を通して | to-78-6金属缶 | 2N579 | 500MW | to-78-6 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2N5793MS | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600MA | 10µa(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 900MV @ 30MA、300MA | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
2N4239 | 36.5085 | ![]() | 5232 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 100na(icbo) | npn | 600MV @ 100MA、1A | 30 @ 250ma、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
2N3501E3 | 13.7123 | ![]() | 6726 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 500 MW | to-39 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 Ma | 10µa(icbo) | npn | 400MV @ 15MA、150MA | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
APT84F50B2 | 23.6500 | ![]() | 4438 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Power Mos 8™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3バリアント | APT84F50 | モスフェット(金属酸化物) | T-Max™[B2] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 84a(tc) | 10V | 65mohm @ 42a 、10V | 5V @ 2.5MA | 340 NC @ 10 V | ±30V | 13500 PF @ 25 V | - | 1135W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3997 | - | ![]() | 9404 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/374 | バルク | sicで中止されました | -65°C〜200°C (TJ) | シャーシ、スタッドマウント | TO-11-4 、スタッド | 2 W | TO-111 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 10µA | npn | 2V @ 500MA 、5a | 80 @ 1a 、2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N656 | 35.8169 | ![]() | 6680 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 2N656 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6300 | 35.8302 | ![]() | 7814 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/539 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C (TJ | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 75 W | to-66(to-213aa | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 500 µA | 500µA | npn-ダーリントン | 3V @ 80ma 、8a | 750 @ 4a、3V | - |
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