画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTX1N4129DUR-1 | 30.4050 | ![]() | 6123 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4129 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 47.1 v | 62 v | 500オーム | ||||||||||||||
![]() | Jan1n4129ur-1 | 8.7150 | ![]() | 2878 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4129 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 47.1 v | 62 v | 500オーム | |||||||||||||||
![]() | JANTX1N4129UR-1 | 9.4950 | ![]() | 5170 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4129 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 47.1 v | 62 v | 500オーム | ||||||||||||||
jantxv1n4130c-1 | 23.1600 | ![]() | 4239 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4130 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.7 v | 68 v | 700オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n4130cur-1 | 28.8000 | ![]() | 4735 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4130 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.7 v | 68 v | 700オーム | ||||||||||||||
Jan1n4130d-1 | 13.1400 | ![]() | 4414 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4130 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.7 v | 68 v | 700オーム | ||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4130dur-1 | 36.0000 | ![]() | 2129 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4130 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.7 v | 68 v | 700オーム | ||||||||||||||
![]() | jan1n4131cur-1 | 22.3200 | ![]() | 6627 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4131 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 57 v | 75 v | 700オーム | |||||||||||||||
![]() | jantx1n4131cur-1 | 24.3150 | ![]() | 6621 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4131 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 57 v | 75 v | 700オーム | ||||||||||||||
![]() | JANTX1N4131DUR-1 | 30.4050 | ![]() | 7636 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4131 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 57 v | 75 v | 700オーム | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n4131dur-1 | 36.0000 | ![]() | 3866 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4131 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 57 v | 75 v | 700オーム | ||||||||||||||
jantxv1n4132-1 | 9.0450 | ![]() | 8782 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4132 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 62.4 v | 82 v | 800オーム | |||||||||||||||
JANTX1N4132C-1 | 13.5750 | ![]() | 8994 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4132 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 62.4 v | 82 v | 800オーム | |||||||||||||||
jantxv1n4132c-1 | 23.1600 | ![]() | 3607 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4132 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 62.4 v | 82 v | 800オーム | |||||||||||||||
![]() | Jan1n4132cur-1 | 22.3200 | ![]() | 7836 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4132 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 62.4 v | 82 v | 800オーム | |||||||||||||||
![]() | Jan1n4132ur-1 | 4.1100 | ![]() | 8618 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4132 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 62.4 v | 82 v | 800オーム | |||||||||||||||
jantxv1n4133-1 | 9.0450 | ![]() | 2785 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4133 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 66.2 v | 87 v | 1000オーム | |||||||||||||||
jantx1n4133d-1 | 16.9800 | ![]() | 6718 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4133 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 66.2 v | 87 v | 1000オーム | |||||||||||||||
![]() | APT50MC120JCU2 | - | ![]() | 1207 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT50MC120 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1200 v | 71a(tc) | 20V | 34mohm @ 50a 、20V | 2.3V @ 1MA(タイプ) | 179 NC @ 20 V | +25V、-10V | 2980 PF @ 1000 V | - | 300W (TC) | ||||||||
![]() | aptgt400tl65g | 387.4100 | ![]() | 2647 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | aptgt400 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APTMC120AM12CT3AG | - | ![]() | 2704 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP3 | APTMC120 | 炭化シリコン(原文) | 925W | SP3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n チャネル(位相レッグ) | 1200V(1.2kv) | 220A(TC) | 12mohm @ 150a 、20V | 2.4V @ 30MA(タイプ) | 483NC @ 20V | 8400pf @ 1000V | - | ||||||||||
jantx1n6321 | - | ![]() | 8532 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | ||||||||||||||||
jantxv1n6321 | 14.6700 | ![]() | 6585 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6321 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | |||||||||||||||
jantx1n6321dus | 57.9000 | ![]() | 7460 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6321 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | |||||||||||||||
jan1n6321us | 15.7500 | ![]() | 6515 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6321 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | |||||||||||||||
Jan1N6322 | 9.9000 | ![]() | 1822年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6322 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5オーム | |||||||||||||||
jantxv1n6322 | 14.6700 | ![]() | 6255 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6322 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5オーム | |||||||||||||||
jan1n6322us | 15.9300 | ![]() | 5546 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6322 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5オーム | |||||||||||||||
jantxv1n6323 | 14.6700 | ![]() | 8292 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6323 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 6オーム | |||||||||||||||
jantx1n6323cus | 46.3350 | ![]() | 3767 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6323 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 6オーム |
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