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離散半導体製品（41164）

画像 製品番号 価格設定（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
JANTX1N5531B-1 Microchip Technology jantx1n5531b-1 5.8900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/437 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5531 500 MW do-204ah（do-35 ガラス） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 50 Na @ 9.9 v 11 v 80オーム
JANTX1N5533B-1 Microchip Technology JANTX1N5533B-1 -
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/437 バルク sicで中止されました ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-204ah（do-35 ガラス） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 11.7 v 13 v 90オーム
JANTX1N5551US Microchip Technology jantx1n5551us 10.0650
RFQ
 ECAD 7370 0.00000000 マイクロチップテクノロジー mil-prf-19500/420 バルク アクティブ 表面マウント sq-melf b 1N5551 標準 B、sq-melf ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 400 V 1.2 V @ 9 a 2 µs 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 5a -
JANTX1N6312US Microchip Technology jantx1n6312us 21.1200
RFQ
 ECAD 6407 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf b 1N6312 500 MW B、sq-melf ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 5 µA @ 1 V 3.3 v 27オーム
JANTX1N6324 Microchip Technology JANTX1N6324 13.9950
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N6324 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 1 µA @ 8 V 10 v 6オーム
JANTX1N6328US Microchip Technology jantx1n6328us 16.3500
RFQ
 ECAD 4387 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf b 1N6328 500 MW B、sq-melf ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 11 v 15 V 10オーム
JANTX1N6643 Microchip Technology jantx1n6643 6.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/578 バルク アクティブ 穴を通して 軸 1N6643 標準 05プラスチックパッケージ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1 高速回復= <500ns 125 v 1.2 V @ 100 MA 6 ns 50 na @ 20 v -65°C〜175°C 300mA 5PF @ 0V、1MHz
JANTX1N748A-1 Microchip Technology jantx1n748a-1 2.2800
RFQ
 ECAD 1120 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/127 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N748 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 2 µA @ 1 V 3.9 v 20オーム
JANTX1N748AUR-1 Microchip Technology jantx1n748aur-1 4.7100
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/127 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 1N748 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 2 µA @ 1 V 3.9 v 20オーム
JANTX1N750A-1 Microchip Technology JANTX1N750A-1 2.2800
RFQ
 ECAD 4335 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/127 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N750 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 5 µA @ 1.5 v 4.7 v 15オーム
JANTX1N753AUR-1 Microchip Technology jantx1n753aur-1 4.3050
RFQ
 ECAD 9604 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/127 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 1N753 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 5 µA @ 3.5 v 6.2 v 3オーム
JANTX1N757AUR-1 Microchip Technology jantx1n757aur-1 4.2600
RFQ
 ECAD 1951年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/127 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 1N757 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 1 µA @ 7 V 9.1 v 6オーム
JANTX1N964B-1 Microchip Technology jantx1n964b-1 2.2350
RFQ
 ECAD 4552 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/127 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N964 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 9.9 v 13 v 13オーム
JANTX1N971B-1 Microchip Technology jantx1n971b-1 2.5200
RFQ
 ECAD 9715 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/117 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N971 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 21 V 27 v 41オーム
JANTX1N975B-1 Microchip Technology jantx1n975b-1 2.5950
RFQ
 ECAD 8321 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/117 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N975 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 30 V 39 v 80オーム
2N6661 Microchip Technology 2N6661 15.9000
RFQ
 ECAD 6582 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 モスフェット（金属酸化物） to-39 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 2N6661MC ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 90 v 350MA （TJ） 5V、10V 4ohm @ 1a 、10V 2V @ 1MA ±20V 50 pf @ 24 v - 6.25W
2N7000-G Microchip Technology 2N7000-G 0.5000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 2N7000 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 60 V 200MA （TJ） 4.5V 、10V 5OHM @ 500MA 、10V 3V @ 1MA ±30V 60 pf @ 25 v - 1W （TC）
DN2530N3-G Microchip Technology DN2530N3-G 0.7900
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 DN2530 モスフェット（金属酸化物） to-92（to-226） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 nチャネル 300 V 175ma 0V 12ohm @ 150ma 、0V - ±20V 300 pf @ 25 V 枯渇モード 740MW
DN2535N3-G Microchip Technology DN2535N3-G 0.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 DN2535 モスフェット（金属酸化物） to-92（to-226） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 350 V 120ma 0V 25OHM @ 120MA 、0V - ±20V 300 pf @ 25 V 枯渇モード 1W （TC）
LND150N3-G Microchip Technology LND150N3-G 0.6000
RFQ
 ECAD 1253 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 LND150 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 nチャネル 500 V 30MA （TJ） 0V 1000OHM @ 500µA 、0V - ±20V 10 pf @ 25 V 枯渇モード 740MW
TN0620N3-G Microchip Technology TN0620N3-G 1.6300
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 TN0620 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 200 v 250ma 5V、10V 6OHM @ 500MA 、10V 1.6V @ 1MA ±20V 150 PF @ 25 V - 1W （TC）
TP0606N3-G Microchip Technology TP0606N3-G 1.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 TP0606 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 pチャネル 60 V 320ma 5V、10V 3.5OHM @ 750MA 、10V 2.4V @ 1MA ±20V 150 PF @ 25 V - 1W （TC）
TP0620N3-G Microchip Technology TP0620N3-G 1.9000
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 TP0620 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 pチャネル 200 v 175ma 5V、10V 12OHM @ 200MA 、10V 2.4V @ 1MA ±20V 150 PF @ 25 V - 1W
TP2635N3-G Microchip Technology TP2635N3-G 2.0000
RFQ
 ECAD 832 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 TP2635 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 pチャネル 350 V 180ma 2.5V 、10V 15OHM @ 300MA 、10V 2V @ 1MA ±20V 300 pf @ 25 V - 1W
VN0106N3-G Microchip Technology VN0106N3-G 0.8100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 VN0106 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 60 V 350MA （TJ） 5V、10V 3OHM @ 1A 、10V 2.4V @ 1MA ±20V 65 PF @ 25 V - 1W （TC）
2N7002-G Microchip Technology 2N7002-G 0.6400
RFQ
 ECAD 866 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 2N7002 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 115MA （TJ） 5V、10V 7.5OHM @ 500MA 、10V 2.5V @ 250µA ±30V 50 pf @ 25 V - 360MW
DN1509N8-G Microchip Technology DN1509N8-G 0.9500
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-243AA DN1509N8 モスフェット（金属酸化物） TO-243AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 90 v 360ma 0V 6OHM @ 200MA 、0V - ±20V 150 PF @ 25 V 枯渇モード 1.6W
DN2530N8-G Microchip Technology DN2530N8-G 0.8800
RFQ
 ECAD 3905 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-243AA DN2530 モスフェット（金属酸化物） TO-243AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 300 V 200MA （TJ） 0V 12ohm @ 150ma 、0V - ±20V 300 pf @ 25 V 枯渇モード 1.6W
DN2540N3-G-P003 Microchip Technology DN2540N3-G-P003 1.0200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 DN2540 モスフェット（金属酸化物） to-92（to-226） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 400 V 120ma 0V 25OHM @ 120MA 、0V - ±20V 300 pf @ 25 V 枯渇モード 1W （TC）
DN2625K4-G Microchip Technology DN2625K4-G 1.6300
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 DN2625 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 250 v 1.1a（tj） 0V 3.5OHM @ 1A 、0V - 7.04 NC @ 1.5 v ±20V 1000 pf @ 25 v 枯渇モード -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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