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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 現在 - @ vr | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -破壊（ V | 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） | 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | 抵抗-RDS （オン） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PHP75NQ08T、127 | - |  | 6949 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | php75 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 75 v | 75a（tc） | 10V | 13mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1985 PF @ 25 V | - | 157W | |||||||||||||||||||
 | phu101nq03lt 、127 | - | | 8691 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | PHU10 | モスフェット（金属酸化物） | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 30 V | 75a（tc） | 5V、10V | 5.5mohm @ 25a 、10V | 2.5V @ 1MA | 23 NC @ 5 V | ±20V | 2180 PF @ 25 V | - | 166W | |||||||||||||||||||
 | phw80nq10t 、127 | - | | 9408 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | PhW80 | モスフェット（金属酸化物） | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 100 V | 80a（tc） | 10V | 15mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 109 NC @ 10 V | ±20V | 4720 PF @ 25 V | - | 263W | |||||||||||||||||||
 | PHX27NQ11T 、127 | - | | 7638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | PHX27 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 110 v | 20.8a（tc） | 10V | 50mohm @ 14a 、10V | 4V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1240 PF @ 25 V | - | 50W （TC） | |||||||||||||||||||
| phx8nq11t 、127 | - | | 7652 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | PHX8 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 110 v | 7.5a | 10V | 180mohm @ 6a 、10V | 4V @ 1MA | 14.7 NC @ 10 V | ±20V | 360 PF @ 25 V | - | 27.7W | |||||||||||||||||||
 | J112,126 | - | | 2286 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆ボックス（ TB） | 廃止 | 150°C （TJ） | 穴を通して | to-226-3 | J112 | 400 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | nチャネル | 40 v | 6pf @ 10V | 40 v | 5 ma @ 15 v | 1 V @ 1 µa | 50オーム | |||||||||||||||||||||||
 | PDTA123EK 、115 | - | | 9921 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | PDTA123 | 250 MW | SMT3; mpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 150mv @ 500µa 、10ma | 30 @ 20MA 、5V | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | |||||||||||||||||||||||
 | PDTA143XE 、115 | - | | 8017 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | PDTA143 | 150 MW | SC-75 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 150mv @ 500µa 、10ma | 50 @ 10ma 、5v | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||
| PDTB113ZS、126 | - | | 8465 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆ボックス（ TB） | 廃止 | 穴を通して | to-226-3 | PDTB113 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 70 @ 50MA 、5V | 1 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||
| PDTC123JE 、115 | - | | 9674 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | PDTC123 | 150 MW | SC-75 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | npn-バイアス化 | 100MV @ 250µA、5MA | 100 @ 10ma 、5v | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||
| PDTC124ES、126 | - | | 6655 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆ボックス（ TB） | 廃止 | 穴を通して | to-226-3 | PDTC124 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | npn-バイアス化 | 150mv @ 500µa 、10ma | 60 @ 5MA 、5V | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||
 | PZM10NB 、115 | - | | 6195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM10 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM10NB1,115 | - | | 4647 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM10 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM12NB1,115 | - | | 8936 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM12 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 100 na @ 9 v | 12 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM13NB1,115 | - | | 2578 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM13 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 100 Na @ 10 V | 13 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM13NB2,115 | - | | 7874 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM13 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 100 Na @ 10 V | 13 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM16NB1,115 | - | | 9182 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM16 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 na @ 12 v | 16 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM18NB2,115 | - | | 7838 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM18 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 Na @ 13 V | 18 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM18NB3,115 | - | | 6232 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM18 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 Na @ 13 V | 18 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM2.4NBA 115 | - | | 1855年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±6％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | PZM2.4 | 220 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM20NB 、115 | - | | 3865 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM20 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 Na @ 15 V | 20 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM20NB1,115 | - | | 9177 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM20 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 Na @ 15 V | 20 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM20NB3,115 | - | | 5038 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM20 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 Na @ 15 V | 20 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM22NB1,115 | - | | 1630 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM22 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 na @ 17 v | 22 v | 25オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM24NB2,115 | - | | 4347 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM24 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 na @ 19 v | 24 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM27NB 、115 | - | | 5799 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM27 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 Na @ 21 V | 27 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM3.0NB1,115 | - | | 3742 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM3.0 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM3.3NB2A 、115 | - | | 9326 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±4％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | PZM3.3 | 220 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM3.6NB2,115 | - | | 8384 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM3.6 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||
| PZM3.9NB 、115 | - | | 9779 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM3.9 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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